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HYG110N11LS1C2 HUAYI(华羿微) 现货与清单询价

HYG110N11LS1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，PDFN-8封装，询盘确认库存，特性：115V/60A，导通电阻RDS(ON) = 9.8mΩ（典型值），VGS = 10V；导通电阻RDS(ON) = 14.5mΩ（典型值），VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。可靠耐用。提供无卤器件（符合

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MPN: HYG110N11LS1C2
品牌/制造商: HUAYI(华羿微)
封装: PDFN-8
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/HYG110N11LS1C2

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