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HJ8205 R+O(宏嘉诚) 现货与清单询价
HJ8205,R+O(宏嘉诚),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-23-6L封装,询盘确认库存,特性:VDS = 20V。 I0 = 4.3A。 RDS(on)@VGS = 4.0V < 30mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 46mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 负
- MPN
- HJ8205
- 品牌/制造商
- R+O(宏嘉诚)
- 封装
- SOT-23-6L
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/HJ8205
