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HJ8205 R+O(宏嘉诚) 现货与清单询价

HJ8205,R+O(宏嘉诚),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-23-6L封装,询盘确认库存,特性:VDS = 20V。 I0 = 4.3A。 RDS(on)@VGS = 4.0V < 30mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 46mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 负

MPN
HJ8205
品牌/制造商
R+O(宏嘉诚)
封装
SOT-23-6L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HJ8205
公开内容边界

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