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H12N90 Huixin(慧芯) 现货与清单询价
H12N90,Huixin(慧芯),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-3PB封装,询盘确认库存,N沟道,漏源电压:900V,连续漏极电流:12A,导通电阻:96mΩ@10V,耗散功率:300W,MOSFET产品,ESD防护。
- MPN
- H12N90
- 品牌/制造商
- Huixin(慧芯)
- 封装
- TO-3PB
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/H12N90
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H12N90,Huixin(慧芯),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-3PB封装,询盘确认库存,N沟道,漏源电压:900V,连续漏极电流:12A,导通电阻:96mΩ@10V,耗散功率:300W,MOSFET产品,ESD防护。