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GT50JR22(S1WLD,E,S TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价
GT50JR22(S1WLD,E,S，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-3P-3封装，询盘确认库存，特性：6.5 代。 RC-IGBT 由一个在 IGBT 芯片中单片集成的续流二极管 (FWD) 组成。 增强模式。 高速开关。 -IGBT：tf = 0.05 μs（典型值）(IC = 50A)。 -FWD：trr
- MPN
- GT50JR22(S1WLD,E,S
- 品牌/制造商
- TOSHIBA(东芝)
- 封装
- TO-3P-3
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/GT50JR22(S1WLD%2CE%2CS