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DSS2540M-7B DIODES(美台) 现货与清单询价
DSS2540M-7B，DIODES(美台)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，DFN-3封装，询盘确认库存，特性：BVCEO > 40V (Ic = 500mA)。 高集电极电流 Icm = 1A。 峰值脉冲电流。 功率耗散 Pd = 1000mW。 低集电极-发射极饱和电压。 封装尺寸 0.60mm²，比 SOT23 小 13 倍。 封装高
- MPN
- DSS2540M-7B
- 品牌/制造商
- DIODES(美台)
- 封装
- DFN-3
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/DSS2540M-7B