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ASD65R350E ANHI(安海) 现货与清单询价
ASD65R350E，ANHI(安海)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.318Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.8 至 4.2V。应用：PFC 级。 硬开关 PWM 级
- MPN
- ASD65R350E
- 品牌/制造商
- ANHI(安海)
- 封装
- TO-252
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/ASD65R350E