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1N5407G-T DIODES(美台) 现货与清单询价
1N5407G-T,DIODES(美台),二极管 / 通用二极管,DO-201AD封装,询盘确认库存,特性:玻璃钝化芯片结构。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达125A峰值。 无铅表面处理;符合RoHS标准
- MPN
- 1N5407G-T
- 品牌/制造商
- DIODES(美台)
- 封装
- DO-201AD
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/1N5407G-T
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1N5407G-T,DIODES(美台),二极管 / 通用二极管,DO-201AD封装,询盘确认库存,特性:玻璃钝化芯片结构。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达125A峰值。 无铅表面处理;符合RoHS标准