PACKAGE STOCK

TOLL 封装现货型号与BOM询价

围绕 TOLL 封装聚合公开现货和可询型号，方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 95 个公开可查询型号。

进入实时筛选候选转 BOM对比前 5 个
95匹配型号 8常见品牌 4相关分类
按品牌继续
Siliup(矽普)32HUAYI(华羿微)8赛力康电气6ANHI(安海)4Tokmas(托克马斯)4MOT(仁懋)3NCE(无锡新洁能)3GOFORD(谷峰)2
按分类继续
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)77电源管理 > 理想二极管/ORing控制器1碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)1现货库存1
采购提示
批量转 BOM提交封装需求实时筛选
封装核对TOLL 只代表封装识别入口，正式采购前仍需确认完整 MPN、引脚数、温度等级、包装、批号和制造商资料。

PACKAGE COMPATIBILITY

TOLL 同封装兼容核对台

同封装只代表初筛入口，不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、PDF 证据和不可放宽条件放到同一张核对表里。

同封装对比 封装需求转 BOM 查看判断方法
完整MPN

先用原型号和候选型号做一对一比对，避免只拿封装名替代完整型号。

引脚/尺寸

核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。

关键参数

电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。

制造商PDF

以官方 PDF 和修订版本为准，页面资料只作为采购初筛入口。

数量交期

同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。

不可放宽

把不能替代的参数写入 BOM 备注，减少业务和工程反复确认。

样本候选
NCEP018N85LLNCE Power/新洁能 · TOLL转 BOMHYG016N10NS1TAHUAYI(华羿微) · TOLL转 BOMHYG015N10NS1TAHUAYI(华羿微) · TOLL转 BOM

PACKAGE DECISION

TOLL 封装核对指南

把封装页从“型号列表”变成采购员可执行的筛选台：先统一封装写法，再按品牌、类目、库存和资料把候选缩小到可核价范围。

7 现货样本 / 95 个可查询型号
可合并检索写法
TOLL
01

先识别封装写法

TOLL 可能会和 相近写法 同时出现在资料或BOM里，先统一封装关键词再筛型号。

02

再核对品牌与类目

当前样本覆盖 Siliup(矽普)、HUAYI(华羿微)、赛力康电气、ANHI(安海)，常见分类包括 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)、电源管理 > 理想二极管/ORing控制器、碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，避免只按封装忽略应用参数。

03

保留可替代候选

同封装型号可先暂存或对比，提交 BOM 时写明可接受品牌、参数范围和交期要求。

04

下单前复查资料

封装页是入口，最终仍需核对制造商 PDF、引脚数、尺寸图、批号、包装和检测资料。

按 TOLL 筛现货型号 对比候选型号 候选转 BOM 提交封装需求

RFQ HANDOFF

TOLL 封装采购备注模板

把入口页里的候选型号、品牌封装、不可放宽参数和交付要求整理成可提交备注，方便业务继续确认库存、替代边界和报价。

带备注提交 BOM 
采购入口：TOLL 封装
候选型号：NCEP018N85LL / HYG016N10NS1TA / HYG015N10NS1TA / HYG011N04LS1TA / HYG017N10NS1TA / CRSZ019N10N4Q
品牌/制造商范围：Siliup(矽普) / HUAYI(华羿微) / 赛力康电气 / ANHI(安海) / Tokmas(托克马斯)
分类范围：三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) / 电源管理 > 理想二极管/ORing控制器 / 碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET) / 现货库存
封装线索：TOLL
需求数量：请按型号填写目标数量、阶梯数量或年用量
不可放宽参数：完整MPN、品牌/制造商、封装、引脚、电压、电流、温度等级、认证、替代边界
可接受替代范围：请填写可接受品牌、同封装候选、国产替代或指定不可替代
交付要求：批号、包装、交期、检测资料、含税报价、付款和交付条件
公开库存和价格仅用于采购初筛，最终以业务人员确认报价为准

SOURCING PATH

TOLL 封装采购路径

把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作，适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。

品牌Siliup(矽普) / HUAYI(华羿微) / 赛力康电气 / ANHI(安海) 封装TOLL
01

进入实时筛选

按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。

02

保留候选型号

把优先样本带入对比或 BOM，避免从搜索入口反复重新查找。

03

统一核价

业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。

04

资料复核

采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。

进入实时筛选 对比前 4 个 候选转 BOM 提交TOLL 封装需求

BUYER ANSWER

同封装型号能直接替代吗？

不能直接判断。插件、SOIC-8、SOT-23、0603、SOP-8、SMD3225-4P 这类封装入口只适合初筛，正式替代还要逐项核对完整 MPN、引脚定义、外形尺寸、关键电气参数、温度等级、生命周期、制造商 PDF 和应用场景，并把原型号、候选型号、数量、交期和不可放宽参数一起提交 BOM 复核。

查看答案去处理
型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价

NCEP018N85LL

NCE Power/新洁能

NCEP018N85LL，NCE Power/新洁能，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，26,000件现货，85V360A 1.4毫欧
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
26,000
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HYG016N10NS1TA

HUAYI(华羿微)

HYG016N10NS1TA，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，16,000件现货，特性：100V/370A，RDS(ON)=1.35mΩ (典型值)，@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
16,000
询盘报价
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HYG015N10NS1TA

HUAYI(华羿微)

HYG015N10NS1TA，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，8,900件现货，特性：100V/380A，导通电阻（RDS(ON)）典型值为 1.2mΩ（VGS = 10V 时）。 100% 雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件（符合 RoHS 标准）。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
8,900
询盘报价
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HYG011N04LS1TA

HUAYI(华羿微)

HYG011N04LS1TA，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，8,800件现货，特性：40V/320A，RDS(ON)=0.9 mΩ(典型值)@VGS = 10V，RDS(ON)=1.3 mΩ(典型值)@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 有无卤器件（符合RoHS标准）。应用：
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
8,800
询盘报价
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HYG017N10NS1TA

HUAYI(华羿微)

HYG017N10NS1TA，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，6,900件现货，特性：100V/330A。 RDS(ON) = 1.6mΩ（典型值），@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 可提供无卤器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
6,900
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CRSZ019N10N4Q

CR MICRO/华润微

CRSZ019N10N4Q，CR MICRO/华润微，现货库存，TOLL封装，6,000件现货
现货库存
TOLL
6,000
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HYG012N03LR1TA

HUAYI(华羿微)

HYG012N03LR1TA，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，2,000件现货，MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
2,000
询盘报价
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NCEP40T35ALL

NCE(无锡新洁能)

NCEP40T35ALL，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，使用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。适用于高频开关和同步整流。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
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SP85N04AGHTO

Siliup(矽普)

SP85N04AGHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：85V，电流：160A，RDSON：3.8mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
询盘报价
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SFT040N150C3

赛力康电气

SFT040N150C3，赛力康电气，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，N沟道 150V 190A 3.3mΩ@10v 功率(Pd)260W 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
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HYG006N04LS1TA

HUAYI(华羿微)

HYG006N04LS1TA，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，特性：40V/600A，RDS(ON)=0.45mΩ（典型值）@VGS = 10V。 RDS(ON)=0.61mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 有无卤器件（符合RoHS标准）。应用：开
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
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SP40N01GHTO

Siliup(矽普)

SP40N01GHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
询盘报价
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CRSZ025N10NZ

CRMICRO(华润微)

CRSZ025N10NZ，CRMICRO(华润微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，特性：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积（FOM）。 符合JEDEC标准。应用：电机控制和驱动。 电池管理
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
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HYG012N08NS1TA

HUAYI(华羿微)

HYG012N08NS1TA，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，特性：80V/420A。 RDS(ON)=0.9mΩ（典型值）@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠且坚固。 提供无卤器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
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SP40N01ABGTO

Siliup(矽普)

SP40N01ABGTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：40V，电流：330A,Rdson：0.75mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
询盘报价
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SP60N01GTO

Siliup(矽普)

SP60N01GTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：60V，电流：325A,Rdson：0.95mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
询盘报价
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MOT4592HT

MOT(仁懋)

MOT4592HT，MOT(仁懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，MOT4592HT
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
询盘报价
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SFT018N100BC3

赛力康电气

SFT018N100BC3，赛力康电气，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，N沟道 100V 320A 1.55mΩ@10v 功率(Pd)312W 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
询盘报价
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SFT018N100C3

赛力康电气

SFT018N100C3，赛力康电气，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，N沟道 100V 320A 1.55mΩ@10v 功率(Pd)312W 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
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MDT15N054PTRH

MagnaChip

MDT15N054PTRH，MagnaChip，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，MDT15N054PTRH
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
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SFT015N110C3

赛力康电气

SFT015N110C3，赛力康电气，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，N沟道 100V 372A 1.3mΩ@10v 功率(Pd)329W 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
询盘报价
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MDDG06R01L

MDD(辰达半导体)

MDDG06R01L，MDD(辰达半导体)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，60V N通道增强模式MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
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AUR014N10

ANHI(安海)

AUR014N10，ANHI(安海)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，特性：低漏源导通电阻。 TOLL-8L RDS(on) = 1.2mΩ（典型值）。 高速功率开关。 增强型体二极管 dv/dt 能力。 增强型雪崩耐用性。应用：开关电源中的同步整流。 电信和工业领域的硬开关和高速 DC/DC 电路
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
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SP010N02GHTO

Siliup(矽普)

SP010N02GHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
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SP010P09GHTO

Siliup(矽普)

SP010P09GHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品，P沟道，耐压：-100V，电流：\n-150A,Rdson：9mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
询盘报价
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MDDG04R01L

MDD(辰达半导体)

MDDG04R01L，MDD(辰达半导体)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，40V N通道增强模式MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
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MX5050TL10R25

Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

MX5050TL10R25，Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)，电源管理 > 理想二极管/ORing控制器，TOLL封装，询盘确认库存，MX5050TL10R25是一款集成了理想二极管控制器和100V 180A NMOS的功率模块，代替传统的肖特基。肖特基二极管广泛用于电源系统设计，可在各种输入电源故障条件下提供保护，并通过并联电源提供系统冗余。该
电源管理 > 理想二极管/ORing控制器
TOLL
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SFT016N80C3

赛力康电气

SFT016N80C3，赛力康电气，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，N沟道 80V 360A 1.3mΩ@10v 功率(Pd)312W 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
询盘报价
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NCEP020N10LL

Tokmas(托克马斯)

NCEP020N10LL，Tokmas(托克马斯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，100V500A 1.5毫欧
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
询盘报价
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HYG022N10NS1TA

HUAYI(华羿微)

HYG022N10NS1TA，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，特性：100V/249A，RDS(on) = 2.2mΩ（典型值）@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无卤器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
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PGT10N027

HT(金誉)

PGT10N027，HT(金誉)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围175℃。 100%雪崩测试。应用：电池管理。 不间断电源（UPS）
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
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SP010N02AGHTO

Siliup(矽普)

SP010N02AGHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
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SP010N01GHTO

Siliup(矽普)

SP010N01GHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：100V，电流：390A,Rdson：1.05mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
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HSY0076A

HUASHUO(华朔)

HSY0076A，HUASHUO(华朔)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，保证100%通过环境适应性规范测试，有绿色环保器件可供选择
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
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SP40N01AGHTO

Siliup(矽普)

SP40N01AGHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：40V，电流：370A,Rdson：0.75mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
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SP10HF25TO

Siliup(矽普)

SP10HF25TO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，超结 MOSFET产品，N沟道，耐压：250V，电流：180A, Rdson：10mR，带快恢复
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
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SP010N02LGHTO

Siliup(矽普)

SP010N02LGHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：100V，电流：245A,Rdson：1.9mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
询盘确认
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SP011N01GHTO

Siliup(矽普)

SP011N01GHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：110V，电流：375A,Rdson：1.1mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
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SP60N01AGHTO

Siliup(矽普)

SP60N01AGHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：60V，电流：440A,Rdson：0.7mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
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SP013N03GHTO

Siliup(矽普)

SP013N03GHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：135V，电流：270A,Rdson：3.0mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
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WMLL013N08HGS

Wayon(上海维安)

WMLL013N08HGS，Wayon(上海维安)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，采用先进的功率沟槽MOSFET技术，专门设计用于最小化导通电阻，同时保持出色的开关性能。该器件非常适合高效快速开关应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
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SP020N09GHTO

Siliup(矽普)

SP020N09GHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：200V，电流：140A,Rdson：8.3mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
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MGV022N14N

Megain(美佳音)

MGV022N14N，Megain(美佳音)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，特性：低RDS(ON)。 低栅极电荷。 低热阻。 100%雪崩测试。 出色的CdV/dt效应衰减。应用：负载开关。 电池保护
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
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SP020N08GHTO

Siliup(矽普)

SP020N08GHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：200V，电流：150A,Rdson：8mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL
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MX10T01AHTL

Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

MX10T01AHTL，Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，1.3 mohm @VGS = 10V 100V Toll MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP40N01AAGTO

Siliup(矽普)

SP40N01AAGTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：40V，电流：600A,Rdson：0.55mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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NCEP15T14LL

NCE(无锡新洁能)

NCEP15T14LL，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，该系列器件采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg的组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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NCEP028N12LL

NCE(无锡新洁能)

NCEP028N12LL，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，该系列器件采用超级沟槽 II 技术，经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP13HF30TO

Siliup(矽普)

SP13HF30TO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，超结 MOSFET产品，N沟道，耐压：300V，电流：135A, Rdson：13mR，带快恢复
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP010N02AAGHTO

Siliup(矽普)

SP010N02AAGHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：100V，电流：300A,Rdson：1.5mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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NCEP023N10LL

Tokmas(托克马斯)

NCEP023N10LL，Tokmas(托克马斯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，100V300A 2.3毫欧
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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MGV012N10N

Megain(美佳音)

MGV012N10N，Megain(美佳音)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，类型：1个N沟道 漏源电压100V 漏极电流411A 导通电阻1.2mΩ@10V,50A 耗散功率600W 阈值电压3.2V 栅极电荷157nC@10V 输入电容11074pF@50V 反向传输电容176pF@50V 工作温度-5
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP011N03AGHTO

Siliup(矽普)

SP011N03AGHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：110V，电流：240A,Rdson：2.7mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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HSBL020N08

HUASHUO(华朔)

HSBL020N08，HUASHUO(华朔)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，HSBL020N08符合RoHS标准和无卤产品要求，100%通过EAS测试，具备全面的功能可靠性认证。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP40P01GTO

Siliup(矽普)

SP40P01GTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品，P沟道，耐压：-40V，电流：-330A,Rdson：1.3mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AUR020N085

ANHI(安海)

AUR020N085，ANHI(安海)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，特性：低漏源导通电阻。 TO220&TO263 RDS(on) = 2.1mΩ（典型值）。 TOLL-8L RDS(on) = 1.8 mΩ（典型值）。 高速功率开关。 增强型体二极管dv/dt能力。 增强型雪崩耐用性。应用：开关电源中
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP010N02BGHTO

Siliup(矽普)

SP010N02BGHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：100V，电流：260A,Rdson：1.8mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP85N01BGHTO

Siliup(矽普)

SP85N01BGHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：85V，电流：350A，RDSON：1.3mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP013N04BGHTO

Siliup(矽普)

SP013N04BGHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：135V，电流：200A,Rdson：4.2mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AGM025N13LL

AGMSEMI(芯控源)

AGM025N13LL，AGMSEMI(芯控源)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，AGM025N13LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP40N01ACGTO

Siliup(矽普)

SP40N01ACGTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：40V，电流：260A，RDSON：0.85mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP30HF65TO

Siliup(矽普)

SP30HF65TO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，超结MOSFET产品，N沟道，耐压：650V，电流：30A，RDSON：85mR，带快恢复
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP010N01AGHTO

Siliup(矽普)

SP010N01AGHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，特性：快速开关。 低栅极电荷和导通电阻。 先进的分裂栅沟槽技术。 100%单脉冲雪崩能量测试。应用：PWM应用。 硬开关和高频电路
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AOTL66518

Tokmas(托克马斯)

AOTL66518，Tokmas(托克马斯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，150V220A 5毫欧
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP015N04BGHTO

Siliup(矽普)

SP015N04BGHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：150V，电流：220A,Rdson：4.3mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP012N02AGHTO

Siliup(矽普)

SP012N02AGHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：120V，电流：300A,Rdson：1.9mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SFT025N100C3

赛力康电气

SFT025N100C3，赛力康电气，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，N沟道 100V 260A 2.1mΩ@10v 功率(Pd)275W 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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GT016N10TL

GOFORD(谷峰)

GT016N10TL，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：330A 阈值电压(Vgs(th))：3.8V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：1.5mΩ@10V 封装：TOLL-8L
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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NCEP016N85LL

Tokmas(托克马斯)

NCEP016N85LL，Tokmas(托克马斯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，100V300A 1.4毫欧
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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WSM300N04G

WINSOK(微硕)

WSM300N04G，WINSOK(微硕)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，N沟道 40V 300A，可应用于电子烟、无线充、无人机、医疗、车充、控制器、数码产品、小家电、消费类电子
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP60N01AAGHTO

Siliup(矽普)

SP60N01AAGHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：60V，电流：570A,Rdson：0.53mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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BMT65N065UC1

Bestirpower(萃锦半导体)

BMT65N065UC1，Bestirpower(萃锦半导体)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，超结 MOSFET,650V,55A,65mΩ@23.5V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP025N16GHTO

Siliup(矽普)

SP025N16GHTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，中压SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：250V，电流：95A,Rdson：16mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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GT009N04TL

GOFORD(谷峰)

GT009N04TL，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。 可用于各种应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SP30N01AAGTO

Siliup(矽普)

SP30N01AAGTO，Siliup(矽普)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：30V，电流：330A,Rdson：0.55mR
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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AUR030N10

ANHI(安海)

AUR030N10，ANHI(安海)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，特性：低漏源导通电阻。 TO220&TO263 RDS(on) = 2.8mΩ (典型值)。 TOLL-8L RDS(on) = 2.4mΩ (典型值)。 高速功率开关。 增强型体二极管 dv/dt 能力。 增强型雪崩耐用性。应用：开关电
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SE100300

SINO-IC(光宇睿芯)

SE100300，SINO-IC(光宇睿芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷和低工作电压。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。驱动要求简单。小封装外形。表面贴装器件
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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MOT16N65T

MOT(仁懋)

MOT16N65T，MOT(仁懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，特性：高开关速度。 100%雪崩测试。应用：高效开关模式电源。 基于半桥的电子灯镇流器
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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MOT1121T

MOT(仁懋)

MOT1121T，MOT(仁懋)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，特性：低栅极电荷。 低反向传输电容。 100%雪崩测试。应用：电池管理。 电机控制与驱动
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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ADR065N028AH

ANHI(安海)

ADR065N028AH，ANHI(安海)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TOLL封装，询盘确认库存，VDS=650V/Id=80A,Rds(on)=30mΩ/Qg=97.6nC /Ciss=2333pF/Trr=19.52nS
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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PACKAGE FAQ

TOLL 封装采购常见问题

TOLL 封装在华芯购有多少可查询型号？

当前 TOLL 封装页收录 95 个公开可查询型号，本页优先展示 7 个现货样本。

筛选 TOLL 封装型号时还要核对什么？

除封装外，还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。

TOLL 封装找不到完全一致型号怎么办？

可以从 NCE Power/新洁能、HUAYI(华羿微)、CR MICRO/华润微、NCE(无锡新洁能)、Siliup(矽普) 或 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)、现货库存、电源管理 > 理想二极管/ORing控制器、碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET) 继续筛选，也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围，由业务按同封装和关键参数协助确认。