封装现货

TO-236-3 封装现货型号与清单询价

围绕 TO-236-3 封装聚合公开现货和可询型号，方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 511 个公开可查询型号。

进入实时筛选候选转清单对比前 5 个查看现货
511匹配型号 6常见品牌 8相关分类
按品牌继续
ROHM(罗姆)57TOSHIBA(东芝)12ST(意法半导体)7onsemi(安森美)2Nexperia(安世)1TI(德州仪器)1
按分类继续
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)30三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管27二极管 > 肖特基二极管5三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)5二极管 > 开关二极管2二极管 > 稳压二极管2三极管/MOS管/晶体管 > 达林顿管2三极管/MOS管/晶体管 > 结型场效应管(JFET)2
常用动作
批量转清单实时筛选候选对比
封装核对TO-236-3 只代表封装识别入口，正式采购前仍需确认完整 MPN、引脚数、温度等级、包装、批号和制造商资料。

同封装核对

TO-236-3 同封装兼容说明

同封装只代表初筛入口，不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、官方资料链接和不可放宽条件放到同一张备注清单里。

同封装对比 候选转清单 查看现货
完整MPN

先用原型号和候选型号做一对一比对，避免只拿封装名替代完整型号。

引脚/尺寸

核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。

关键参数

电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。

制造商PDF

以官方 PDF 和修订版本为准，页面资料只作为采购初筛入口。

数量交期

同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。

不可放宽

把不能替代的参数写入清单备注，减少业务和工程反复确认。

样本候选
NTR4003NT1Gonsemi(安森美) · SOT-23转清单2SD1781KT146RROHM(罗姆) · TO-236-3转清单2SK2394-6-TB-Eonsemi(安森美) · TO-236-3转清单

购物路径

TO-236-3 封装购物路径

把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作，适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。

品牌ROHM(罗姆) / TOSHIBA(东芝) / ST(意法半导体) / onsemi(安森美) 封装SOT-23 / TO-236-3
01

进入实时筛选

按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。

02

保留候选型号

把优先样本带入对比或清单，避免从搜索入口反复重新查找。

03

统一核价

业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。

04

资料复核

采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。

进入实时筛选 对比前 4 个 候选转清单 提交TO-236-3 封装需求
型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价

NTR4003NT1G

onsemi(安森美)

NTR4003NT1G，onsemi(安森美)，现货库存，SOT-23封装，195,000件现货
现货库存
SOT-23
195,000
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2SD1781KT146R

ROHM(罗姆)

2SD1781KT146R，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：极低的集电极-发射极饱和电压VCE(sat)：VCE(sat) = 0.1V（典型值）(IC / IB = 500 mA / 50 mA)。 紧凑型封装中具有高电流容量。 与2SB1197K互补。应用：POWER AMPLI
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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2SK2394-6-TB-E

onsemi(安森美)

2SK2394-6-TB-E，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 结型场效应管(JFET)，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：大正向传输导纳。 小输入电容。 小尺寸封装，可使应用设备小型化。 超低噪声系数。 这些是无铅器件。应用：AM调谐器射频放大器。 低噪声放大器
三极管/MOS管/晶体管 > 结型场效应管(JFET)
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DTA143TKAT146

ROHM(罗姆)

DTA143TKAT146，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，TO-236-3封装，询盘确认库存，PNP型，-100mA、-50V数字晶体管（内置偏置电阻晶体管）
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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BAT54SHMT116

ROHM(罗姆)

BAT54SHMT116，ROHM(罗姆)，二极管 / 肖特基二极管，TO-236-3封装，询盘确认库存，电压:30V 电流:200mA
二极管 > 肖特基二极管
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2SC2411KT146R

ROHM(罗姆)

2SC2411KT146R，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：高ICMAX：ICMAX = 0.5A。 低VCE(sat)，适合低电压操作。 与2SA1036K互补。应用：驱动电路。 低频放大器
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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RN1404,LF

TOSHIBA(东芝)

RN1404,LF，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，TO-236-3封装，询盘确认库存，RN1404,LF
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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RN1405,LF

TOSHIBA(东芝)

RN1405,LF，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，TO-236-3封装，询盘确认库存，RN1405,LF
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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BCX19HZGT116

ROHM(罗姆)

BCX19HZGT116，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，电流:500mA 电压:45V
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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DTD123YKT146

ROHM(罗姆)

DTD123YKT146，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：内置偏置电阻。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，还具有完全消除寄生效应的优点。 仅需设置开/关条件即可操作，使电路设计变得容易。 互补PNP类型。 无铅/
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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2SA2061(TE85L,F)

TOSHIBA(东芝)

2SA2061(TE85L,F)，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：高 DC 电流增益：hF 在 200 至 500 之间（IC =-0.5 A）。 低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) =-0.19V（最大值）。 高速开关：tF = 40 ns（典型值）。应用：高速开关应
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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DRV5055A1EDBZRQ1

TI(德州仪器)

DRV5055A1EDBZRQ1，TI(德州仪器)，传感器 / 线性霍尔传感器，TO-236-3封装，询盘确认库存，DRV5055-Q1 具有模拟输出的汽车类、比例式线性霍尔效应传感器
传感器 > 线性霍尔传感器
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STZ5.6NT146

ROHM(罗姆)

STZ5.6NT146，ROHM(罗姆)，二极管 / 稳压二极管，TO-236-3封装，询盘确认库存，STZ5.6NT146
二极管 > 稳压二极管
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DTA143ZCAT116

ROHM(罗姆)

DTA143ZCAT116，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，TO-236-3封装，询盘确认库存，DTA143ZCAT116
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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DAN202KT146

ROHM(罗姆)

DAN202KT146，ROHM(罗姆)，二极管 / 开关二极管，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：高可靠性。 小模具类型。 高速开关。应用：高速开关
二极管 > 开关二极管
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DTD123EKT146

ROHM(罗姆)

DTD123EKT146，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，几乎完全消除寄生效应。 操作时只需设置开/关条件，便于设备设计。应用：反相器。 接口
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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DTC143EKAT146

ROHM(罗姆)

DTC143EKAT146，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 4.7kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件，使电路设计简单。 互补PNP类型。应用：反相器。 接口
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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DTC114YKAT146

ROHM(罗姆)

DTC114YKAT146，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：内置偏置电阻，R1 = 10kΩ，R2 = 47kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件，使电路设计更简单。 互补PNP类型：DTA114Y系列。应用：反相器。 接口
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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2SC3906KT146R

ROHM(罗姆)

2SC3906KT146R，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：高击穿电压：BV/CEO = 120V。 与2SA1579/2SA1514K互补。应用：高压放大器
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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2SD2226KT146W

ROHM(罗姆)

2SD2226KT146W，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，2SD2226KT146W
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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RN779DT146

ROHM(罗姆)

RN779DT146，ROHM(罗姆)，二极管 / 通用二极管，TO-236-3封装，询盘确认库存，RN779DT146
二极管 > 通用二极管
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2SC2712-BL,LF

TOSHIBA(东芝)

2SC2712-BL,LF，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，适用于音频通用放大应用
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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2SC2411KT146Q

ROHM(罗姆)

2SC2411KT146Q，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：高ICMAX：ICMAX = 0.5A。 低VCE(sat)，适合低电压运行。 与2SA1036K互补。应用：驱动电路。 低频放大器
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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2SA1162-GR,LF

TOSHIBA(东芝)

2SA1162-GR,LF，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：高电压和高电流：VCEO =-50V，IC =-150mA (max)。 出色的hFE线性度：hFE (IC =-0.1mA) / hFE (IC =-2mA) = 0.98 (typ.)。 高hFE：hFE = 70
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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2SC3906KT146S

ROHM(罗姆)

2SC3906KT146S，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，2SC3906KT146S
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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DTB113EKT146

ROHM(罗姆)

DTB113EKT146，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，TO-236-3封装，询盘确认库存，DTB113EKT146
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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MMFTP6401-HAF

ST(意法半导体)

MMFTP6401-HAF，ST(意法半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-236-3封装，询盘确认库存，P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:12V 电流:4.3A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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RN2402,LF

TOSHIBA(东芝)

RN2402,LF，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：AEC-Q101合格。 集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有广泛电阻范围的晶体管，以适应各种电路设计。 与RN1401至RN1406互补。应用：开关。 逆变器电路
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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DTB114EKT146

ROHM(罗姆)

DTB114EKT146，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 10kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件，使电路设计简单。 互补NPN类型：DTD114K。应用：反相器。 接口
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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DTD114EKT146

ROHM(罗姆)

DTD114EKT146，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：内置偏置电阻，无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，且几乎完全消除寄生效应。 操作时只需设置开/关条件，使设备设计简单。应用：反相器。 接口
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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RJK005N03T146

ROHM(罗姆)

RJK005N03T146，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：低导通电阻。 低电压驱动（2.5V驱动）。应用：开关
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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2SA1037AKT146R

ROHM(罗姆)

2SA1037AKT146R，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：通用型。 无铅/符合RoHS标准。应用：开关电路。 LED驱动电路
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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MMBT9014B

ST(意法半导体)

MMBT9014B，ST(意法半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，B档hfe:110~220 NPN 电流:100mA 电压:45V
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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2SK208-R(TE85L,F)

TOSHIBA(东芝)

2SK208-R(TE85L,F)，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 结型场效应管(JFET)，TO-236-3封装，询盘确认库存，通用、阻抗转换器和电容式麦克风应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 结型场效应管(JFET)
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RB421DT146

ROHM(罗姆)

RB421DT146，ROHM(罗姆)，二极管 / 肖特基二极管，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：高可靠性。 小型封装。 超低正向电压（VF）。应用：小电流整流
二极管 > 肖特基二极管
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SSM3K7002KF,LXHF

TOSHIBA(东芝)

SSM3K7002KF,LXHF，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.05Ω（典型值）(@ VGS = 10V)；RDS(ON) = 1.15Ω（典型值）(@ VGS = 5.0V)；RDS(ON) = 1.2
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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DTC124EKAT146

ROHM(罗姆)

DTC124EKAT146，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 22kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 仅需设置开/关条件即可操作，使电路设计更简单。 互补PNP类型。应用：反相器。 接口
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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DTC143XKAT146

ROHM(罗姆)

DTC143XKAT146，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：内置偏置电阻。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 仅需设置开/关条件即可操作，使电路设计变得简单。 互补PNP类型。应用：反相器。 接口
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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2SD1782KT146Q

ROHM(罗姆)

2SD1782KT146Q，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：低VCE(sat)：VCE(sat)=0.2V（典型值）（IC/IB = 500mA/50mA）。 高击穿电压：BVCEO = 80V。 与2SB1198K互补。应用：DRIVER
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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BSS64AT116

ROHM(罗姆)

BSS64AT116，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，BSS64AT116
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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DTA124EKAT146

ROHM(罗姆)

DTA124EKAT146，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 22kΩ。 内置偏置电阻可配置逆变器电路，无需连接外部输入电阻。 仅需设置开/关条件即可运行，使电路设计简单。 互补NPN类型。应用：逆变器。 接口
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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DTC124TKAT146

ROHM(罗姆)

DTC124TKAT146，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：内置偏置电阻。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，还能完全消除寄生效应。 操作时只需设置开/关条件，使电路设计变得简单。 互补 PNP 类型。 无铅/符合
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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P0109AL5AA4

ST(意法半导体)

P0109AL5AA4，ST(意法半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 晶闸管(可控硅)/模块，TO-236-3封装，询盘确认库存，敏感高抗扰度0.25 A SCR
三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
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RB425DT146

ROHM(罗姆)

RB425DT146，ROHM(罗姆)，二极管 / 肖特基二极管，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：高可靠性。 小封装类型。 超低正向压降（VF）。应用：小电流整流
二极管 > 肖特基二极管
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RHK003N06T146

ROHM(罗姆)

RHK003N06T146，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：非常快速的开关。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 通过AEC-Q101认证。应用：开关电路
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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2SA1163-GR,LF

TOSHIBA(东芝)

2SA1163-GR,LF，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：AEC-Q101合格。 高电压：VCEO = -120V。 出色的hFE线性度：hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (典型值)。 高hFE：hFE = 200至700。
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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DTC614TKT146

ROHM(罗姆)

DTC614TKT146，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：除了普通数字晶体管的特性外。低饱和电压,在集电极电流 (Ic) / 基极电流 (Ib) = 50mA / 2.5mA 时,典型值集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)) = 40mV,使这些晶体管非常适合用于静音电路。这些晶体管
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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2SD1781KT146Q

ROHM(罗姆)

2SD1781KT146Q，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：极低的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：在 IC = 500mA、IB = 50mA 时，典型值为 0.1V。 紧凑型封装下的高电流容量。 与 2SB1197K 互补。应用：功率放大器
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-236-3
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TL1431ACL3T

ST(意法半导体)

TL1431ACL3T，ST(意法半导体)，电源与功率 / 电压基准芯片，TO-236-3封装，询盘确认库存，TL1431是一款可调并联电压基准源，在2.5 V至36 V的工作温度范围内具有保证的温度稳定性。通过两个外部电阻，输出电压可在2.5 V至36 V之间调节。
电源管理 > 电压基准芯片
TO-236-3
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MMBT9012H-H35

ST(意法半导体)

MMBT9012H-H35，ST(意法半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，用于开关和放大应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-236-3
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BSS5130AT116

ROHM(罗姆)

BSS5130AT116，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，BSS5130AT116
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-236-3
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2SC3838KT146N

ROHM(罗姆)

2SC3838KT146N，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：高过渡频率：典型值为3.2GHz。 小rbb'-Cc和高增益：典型值为4ps。 小噪声系数。应用：UHF变频器。 本地振荡器
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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2SB1690KT146

ROHM(罗姆)

2SB1690KT146，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，PNP 电流:2A 电压:12V
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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BSS84AHZGT116

ROHM(罗姆)

BSS84AHZGT116，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-236-3封装，询盘确认库存，1个P沟道 耐压:60V 电流:230mA
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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DTC143ZKAT146

ROHM(罗姆)

DTC143ZKAT146，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：内置偏置电阻：R1 = 4.7kΩ，R2 = 47kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 只需设置开/关条件即可操作，使电路设计更简单。 互补PNP类型：DTA143Z系列。应用：反相器。 接口
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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DAP202KT146

ROHM(罗姆)

DAP202KT146，ROHM(罗姆)，二极管 / 开关二极管，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：高可靠性。 小型封装。 高速开关。应用：高速开关
二极管 > 开关二极管
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2SD1383KT146B

ROHM(罗姆)

2SD1383KT146B，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 达林顿管，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：达林顿连接，具有高直流电流增益。 基极和发射极之间内置 4kΩ 电阻。 与 2SB852K 互补。应用：高增益放大器
三极管/MOS管/晶体管 > 达林顿管
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STZ6.8NT146

ROHM(罗姆)

STZ6.8NT146，ROHM(罗姆)，二极管 / 稳压二极管，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：小型模具类型（SMD3）。 高可靠性。应用：电压调节（阳极公共双类型）
二极管 > 稳压二极管
TO-236-3
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DTA115EKAT146

ROHM(罗姆)

DTA115EKAT146，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 100kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 仅需设置开/关条件即可操作，使电路设计简单。 互补NPN类型。应用：逆变器。 接口
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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2SB1198KT146R

ROHM(罗姆)

2SB1198KT146R，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：低VCE(sat)，VCE(sat) = -0.2V（典型值）(Ic / Ib = -0.5A / -50mA)。 高击穿电压，BVCEO = -80V。 与2SD1782K互补
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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2SD1782KT146R

ROHM(罗姆)

2SD1782KT146R，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：低VCE(sat)：VCE(sat)=0.2V（典型值） (IC/I = 500mA/50mA)。 高击穿电压：BVCEO = 80V。 与2SB1198K互补。应用：DRIVER
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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RB495DT146

ROHM(罗姆)

RB495DT146，ROHM(罗姆)，二极管 / 肖特基二极管，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：小型模具类型（SMD3）。 低反向电流（IR）。 高可靠性。应用：一般整流
二极管 > 肖特基二极管
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RB420DT146

ROHM(罗姆)

RB420DT146，ROHM(罗姆)，二极管 / 肖特基二极管，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：高可靠性。 小封装类型。 低正向电压。应用：小电流整流
二极管 > 肖特基二极管
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2SD2226KT146V

ROHM(罗姆)

2SD2226KT146V，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：高直流电流增益。 高发射极-基极电压（VCBO = 12V）。 低饱和电压（最大VCE(sat) = 300mV，IC / IB = 50 / 5mA）。应用：低频放大器
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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2SB852KT146B

ROHM(罗姆)

2SB852KT146B，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 达林顿管，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：达林顿连接，具有高直流电流增益。 基极和发射极之间内置4kΩ电阻。 与2SD1383K互补。应用：高增益放大器
三极管/MOS管/晶体管 > 达林顿管
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DTC123EKAT146

ROHM(罗姆)

DTC123EKAT146，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 2.2kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件，使电路设计更简单。 互补PNP类型。应用：反相器。 接口
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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2SC2713-GR,LF

TOSHIBA(东芝)

2SC2713-GR,LF，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：高电压：VCEO = 120V。出色的hFE线性度：hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95（典型值）。高hFE：hFE = 200至700。低噪声：NF = 1dB（典型值），
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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2SA1037AKT146S

ROHM(罗姆)

2SA1037AKT146S，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：出色的hFE线性度。应用：通用小信号放大器
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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2SB1695KT146

ROHM(罗姆)

2SB1695KT146，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：集电极电流大。 VCE(sat) ≤ -370mV（IC = -1A / IB = -50mA时）。 互补NPN类型：2SD2657K。应用：低频放大器。 驱动器
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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DTC123YKAT146

ROHM(罗姆)

DTC123YKAT146，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：内置偏置电阻，R₁ = 2.2kΩ，R₂ = 10kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件，使电路设计简单。 互补PNP类型。应用：反相器。 接口
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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DTA143ZKAT146

ROHM(罗姆)

DTA143ZKAT146，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：内置偏置电阻，R1 = 4.7kΩ，R2 = 47kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 仅需设置开/关条件即可操作，使电路设计简单。 互补NPN类型。应用：反相器。 接口
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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MMBTRC104SS

ST(意法半导体)

MMBTRC104SS，ST(意法半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，TO-236-3封装，询盘确认库存，用于开关、接口电路和驱动电路应用
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
TO-236-3
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DTC114TKAT146

ROHM(罗姆)

DTC114TKAT146，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：内置偏置电阻。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件，使电路设计简单。 互补PNP类型。应用：反相器。 接口
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
TO-236-3
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2SC2714-Y(TE85L,F)

TOSHIBA(东芝)

2SC2714-Y(TE85L,F)，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：小反向传输电容：Cre = 0.7 pF（典型值）。 低噪声系数：NF = 2.5 dB（典型值）。应用：高频放大器应用。 FM、RF、MIX、IF放大器应用
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-236-3
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MMBT9014C1

ST(意法半导体)

MMBT9014C1，ST(意法半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，适用于开关和音频放大器应用。推荐使用PNP晶体管MMBT9015作为互补类型。
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-236-3
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DTA114YKAT146

ROHM(罗姆)

DTA114YKAT146，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：内置偏置电阻，R1 = 10kΩ，R2 = 47kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。仅需设置开/关条件即可操作，使电路设计更简单。互补NPN类型。应用：反相器。接口
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
TO-236-3
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PMBTA44,215

Nexperia(安世)

PMBTA44,215，Nexperia(安世)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，PMBTA44,215
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-236-3
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RN2425(TE85L,F)

TOSHIBA(东芝)

RN2425(TE85L,F)，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，TO-236-3封装，询盘确认库存，RN2425(TE85L,F)
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
TO-236-3
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2SD1484KT146R

ROHM(罗姆)

2SD1484KT146R，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：高电流：IC = 0.5A。 低VcE(sat)：VCE(sat) ≤ 400mV，IC = 150mA / IB = 15mA。应用：低频放大器。 驱动器
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-236-3
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DTA143EKAT146

ROHM(罗姆)

DTA143EKAT146，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：内置偏置电阻，R1 = R2 = 4.7kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件，使电路设计更简单。 互补NPN类型。应用：反相器。 接口
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
TO-236-3
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封装选购

TO-236-3 封装选购常见问题

TO-236-3 封装在华芯购有多少可查询型号？

当前 TO-236-3 封装页收录 511 个公开可查询型号，本页优先展示 1 个现货样本。

筛选 TO-236-3 封装型号时还要核对什么？

除封装外，还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。

TO-236-3 封装找不到完全一致型号怎么办？

可以从 onsemi(安森美)、ROHM(罗姆)、TOSHIBA(东芝)、TI(德州仪器)、ST(意法半导体) 或 现货库存、三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)、三极管/MOS管/晶体管 > 结型场效应管(JFET)、三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管 继续筛选，也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围，由业务按同封装和关键参数协助确认。