先用原型号和候选型号做一对一比对，避免只拿封装名替代完整型号。
封装现货
TO-220F-3 封装现货型号与清单询价
围绕 TO-220F-3 封装聚合公开现货和可询型号，方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 467 个公开可查询型号。
467匹配型号
8常见品牌
8相关分类
按分类继续
常用动作
封装核对TO-220F-3 只代表封装识别入口，正式采购前仍需确认完整 MPN、引脚数、温度等级、包装、批号和制造商资料。
同封装核对
TO-220F-3 同封装兼容说明
同封装只代表初筛入口，不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、官方资料链接和不可放宽条件放到同一张备注清单里。
核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。
电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。
以官方 PDF 和修订版本为准，页面资料只作为采购初筛入口。
同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。
把不能替代的参数写入清单备注，减少业务和工程反复确认。
购物路径
TO-220F-3 封装购物路径
把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作，适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。
进入实时筛选
按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。
保留候选型号
把优先样本带入对比或清单，避免从搜索入口反复重新查找。
统一核价
业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。
资料复核
采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。
型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
MBR10100CTF-G1
DIODES(美台)
MBR10100CTF-G1，DIODES(美台)，二极管 / 肖特基二极管，TO-220F-3封装，询盘确认库存，电压:100V 电流:5A二极管 > 肖特基二极管
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查看详情 >MBR20150SCTF-G1
DIODES(美台)
MBR20150SCTF-G1，DIODES(美台)，二极管 / 肖特基二极管，TO-220F-3封装，询盘确认库存，高压双肖特基整流器，适用于开关电源和其他电源转换器。该器件适用于中压操作，特别是在需要低开关损耗和低噪声的高频电路中。提供TO-220-3 2和TO-220F-3封装。二极管 > 肖特基二极管
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查看详情 >MBR10150CTF-G1
DIODES(美台)
MBR10150CTF-G1，DIODES(美台)，二极管 / 肖特基二极管，TO-220F-3封装，询盘确认库存，电压:150V 电流:5A二极管 > 肖特基二极管
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查看详情 >CS10N80FA9D
华润华晶
CS10N80FA9D，华润华晶，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，N沟道,800V,10A,720mΩ@10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >MBR30100CTF-G1
DIODES(美台)
MBR30100CTF-G1，DIODES(美台)，二极管 / 肖特基二极管，TO-220F-3封装，询盘确认库存，电压:100V 电流:15A二极管 > 肖特基二极管
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查看详情 >MBRF40250TG
onsemi(安森美)
MBRF40250TG，onsemi(安森美)，二极管 / 肖特基二极管，TO-220F-3封装，询盘确认库存，250 V，40 A 肖特基功率整流器最大程度减少了 EMI 滤波需求，降低了开关损耗，具有软恢复，无逆向恢复振荡。二极管 > 肖特基二极管
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onsemi(安森美)
MBRF10H150CTG，onsemi(安森美)，二极管 / 开关二极管，TO-220F-3封装，询盘确认库存，肖特基增强整流器，VF 更低、浪涌能力更高、IR 参数更低。二极管 > 开关二极管
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查看详情 >STGF7H60DF
ST(意法半导体)
STGF7H60DF，ST(意法半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-220F-3封装，询盘确认库存，600 V、7 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
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查看详情 >CS15N50FA9R
华润华晶
CS15N50FA9R，华润华晶，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，N沟道,500V,15A,400mΩ@10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >CS10N70FA9D
华润华晶
CS10N70FA9D，华润华晶，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，N沟道 700V 10A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >CS4N60FA9R
华润华晶
CS4N60FA9R，华润华晶，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，1个N沟道 耐压:600V 电流:4A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >KIA317PI-U/PF
KEC
KIA317PI-U/PF，KEC，电源与功率 / 线性稳压器(LDO)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，Vin=40V Iout=1.5A Pd=2W电源管理 > 线性稳压器(LDO)
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查看详情 >BT134-600E,127
WeEn(瑞能)
BT134-600E,127，WeEn(瑞能)，三极管/MOS管/晶体管 / 晶闸管(可控硅)/模块，TO-220F-3封装，询盘确认库存，采用SOT82塑料封装的平面钝化敏感栅极四象限三端双向可控硅，适用于通用双向开关和相位控制应用。这款“E系列”敏感栅极三端双向可控硅旨在直接与微控制器、逻辑集成电路和其他低功率栅极触发电路连接。三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
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查看详情 >STPS10150CFP
ST(意法半导体)
STPS10150CFP，ST(意法半导体)，二极管 / 肖特基二极管，TO-220F-3封装，询盘确认库存，150 V、10 A双路功率肖特基整流器二极管 > 肖特基二极管
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查看详情 >MBRF10L100CT
HUAKE(华科)
MBRF10L100CT，HUAKE(华科)，二极管 / 肖特基二极管，TO-220F-3封装，询盘确认库存，特性：共阴极结构。 低功耗和高效率。 超低正向压降。 高浪涌能力。应用：高频开关。 续流和极性保护应用二极管 > 肖特基二极管
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查看详情 >CRJF650N65GC
CRMICRO(华润微)
CRJF650N65GC，CRMICRO(华润微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，CRJF650N65GC三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >SBD10C200F
SILAN(士兰微)
SBD10C200F，SILAN(士兰微)，二极管 / 肖特基二极管，TO-220F-3封装，询盘确认库存，-二极管 > 肖特基二极管
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查看详情 >2SC5353L-TF3-T
UTC(友顺)
2SC5353L-TF3-T，UTC(友顺)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，适用于开关稳压器和高压开关应用。适用于高速 DC-DC 转换器应用三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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查看详情 >CS120N08A8
华润华晶
CS120N08A8，华润华晶，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，CS120N08 A8是采用先进沟槽技术制成的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >T1635T-8FP
ST(意法半导体)
T1635T-8FP，ST(意法半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 晶闸管(可控硅)/模块，TO-220F-3封装，询盘确认库存，16 A Snubberless 三端双向可控硅三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
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查看详情 >JCS4N70FC-220MF
吉林华微
JCS4N70FC-220MF，吉林华微，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，1个N沟道 耐压:700V 电流:4A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >STGF14NC60KD
ST(意法半导体)
STGF14NC60KD，ST(意法半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-220F-3封装，询盘确认库存，STGF14NC60KD三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
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查看详情 >VS-20CTH03FP-N3
Vishay(威世)
VS-20CTH03FP-N3，Vishay(威世)，二极管 / 快恢复/高效率二极管，TO-220F-3封装，询盘确认库存，VS-20CTH03FP-N3二极管 > 快恢复/高效率二极管
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查看详情 >SBD20C45F
SILAN(士兰微)
SBD20C45F，SILAN(士兰微)，二极管 / 肖特基二极管，TO-220F-3封装，询盘确认库存，电压:45V 电流:20A二极管 > 肖特基二极管
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查看详情 >OSG60R580FTF
ORIENTAL SEMI(东微)
OSG60R580FTF，ORIENTAL SEMI(东微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，高压MOSFET利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。旨在最大限度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。通用系列针对极端开关性能进行了优化，以最大限度地减少开关损耗。专为高功三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >SBD10C150F
SILAN(士兰微)
SBD10C150F，SILAN(士兰微)，二极管 / 肖特基二极管，TO-220F-3封装，询盘确认库存，电压:150V 电流:10A二极管 > 肖特基二极管
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查看详情 >JCS7HN65FC-220MF
吉林华微
JCS7HN65FC-220MF，吉林华微，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，1个N沟道 耐压:650V 电流:7A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >MBR20100CTF-G1
DIODES(美台)
MBR20100CTF-G1，DIODES(美台)，二极管 / 肖特基二极管，TO-220F-3封装，询盘确认库存，高压双肖特基整流器，适用于开关模式电源和其他功率转换器。该器件适用于中压操作，尤其适用于需要低开关损耗和低噪声的高频电路。二极管 > 肖特基二极管
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查看详情 >GL4N65FA9
GL(光磊)
GL4N65FA9，GL(光磊)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，1个N沟道 耐压:650V 电流:4A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >JCS20N65FH-220MF
吉林华微
JCS20N65FH-220MF，吉林华微，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，1个N沟道 耐压:650V 电流:20A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >STGF20M65DF2
ST(意法半导体)
STGF20M65DF2，ST(意法半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-220F-3封装，询盘确认库存，沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、20 A，低损耗三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
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查看详情 >L7905CP
ST(意法半导体)
L7905CP，ST(意法半导体)，电源与功率 / 线性稳压器(LDO)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，L79xxC 系列三端负电压稳压器采用 TO-220、TO-220FP 和 D²PAK 封装，并提供多种固定输出电压，适用于各种应用。这些稳压器可提供本地卡上稳压，从而消除了单点稳压带来的分配问题；此外，由于具有与 L78xx 正电压标准系列相同的电源管理 > 线性稳压器(LDO)
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查看详情 >KTB1369-Y-U/PF
KEC
KTB1369-Y-U/PF，KEC，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，特性：高击穿电压：VCEO = -180V(Min.)。 高过渡频率：fT = 100MHz(Typ.)。 高电流：ICE(mass) = 2A。 与KTD2061互补。应用：高压应用。 TV、显示器垂直输出应用三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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查看详情 >SMT5N60
HUAKE(华科)
SMT5N60，HUAKE(华科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，特性：5.0A, 600V, RDS(on)(Typ) = 1.9Ω @ VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 100%雪崩测试。 快速开关。 改善的dv/dt能力。应用：高频开关电源。 有源功率因数校正三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >PTF4N60
PUOLOP(迪浦)
PTF4N60，PUOLOP(迪浦)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，特性：RDS(on)（典型值2.6Ω）@VGS = 10V。 改进的dv/dt能力，高耐用性。 100%雪崩测试。 最大结温范围（150℃）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AOTF190A60L
AOS
AOTF190A60L，AOS，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，专有αMOS5技术。 低导通电阻RDS(ON)。 优化开关参数，实现更好的电磁性能。 增强体二极管，具备高耐用性和快速反向恢复能力三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >NCE0130A
NCE(无锡新洁能)
NCE0130A，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，使用先进的沟槽技术和设计，可提供低栅极电荷和出色的导通电阻。可用于多种应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >SL4N65F
Slkor(萨科微)
SL4N65F，Slkor(萨科微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，类型 N VDSS(V) 650 ID@TC=96?C(A) 4 PD@TC=96?C(W) 23.3 VGS(V) ±30 RDS(on)(m?)Max.@TC=\n25?C VGS=4.76V -三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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查看详情 >CR10N65FA9K
CRMICRO(华润微)
CR10N65FA9K，CRMICRO(华润微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，CR10N60F A9K是一款采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），该技术可降低导通损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >TSF840MD
Truesemi(信安)
TSF840MD，Truesemi(信安)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，MOS,N沟道,840,8N50,500V,8A,0.95Ω(Max)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >JCS4N60FC-220MF
吉林华微
JCS4N60FC-220MF，吉林华微，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，N沟道 600V 4A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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查看详情 >SVF4N65F
SILAN(士兰微)
SVF4N65F，SILAN(士兰微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，N沟道,650V,4A,2.7Ω@10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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查看详情 >JCS10N65FC-220MF
吉林华微
JCS10N65FC-220MF，吉林华微，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，N沟道 650V 10A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >F7N70L
晶导微电子
F7N70L，晶导微电子，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，F7N70是一款高压功率MOSFET，采用先进的沟槽式MOSFET设计，具备更优的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >SVF5N60F
SILAN(士兰微)
SVF5N60F，SILAN(士兰微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，N沟道,600V,5A,2.15Ω@10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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查看详情 >PTF10HN08
PUOLOP(迪浦)
PTF10HN08，PUOLOP(迪浦)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，特性：80V/100A，RDS(ON)=6.5mΩ (typ.)@ VGS=10V。 提供无铅和环保器件。 低导通电阻，以最小化传导损耗。 高雪崩电流。 100%经过雪崩测试。应用：电源。 DC-DC转换器三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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查看详情 >SVF20N50F
SILAN(士兰微)
SVF20N50F，SILAN(士兰微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，SVF20N50F/PN 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用专有的 F - Cell 结构 VDMOS 技术制造。经过改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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查看详情 >MEM4N60A3G
MICRONE(南京微盟)
MEM4N60A3G，MICRONE(南京微盟)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，开关稳压器应用。高电压、高速。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >NCE80T320F
NCE(无锡新洁能)
NCE80T320F，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。这款超结MOSFET符合行业对PFC、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC SMPS要求。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >SVF7N60F
SILAN(士兰微)
SVF7N60F，SILAN(士兰微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，N沟道,600V,7A,1.2Ω@10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >SVF7N80F
SILAN(士兰微)
SVF7N80F，SILAN(士兰微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，N沟道,800V,7A,1.55Ω@10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >NCE30TD60BF
NCE(无锡新洁能)
NCE30TD60BF，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-220F-3封装，询盘确认库存，使用专有沟槽设计和先进的FS（场截止）第二代技术，提供卓越的导通和开关性能，易于并联操作。三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
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查看详情 >3DD13005ND66F
CJ(江苏长电/长晶)
3DD13005ND66F，CJ(江苏长电/长晶)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，特性：适用于功率开关应用。 良好的高温性能。 低饱和电压。 高速开关三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
TO-220F-3
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查看详情 >TPA60R160D
无锡紫光微
TPA60R160D，无锡紫光微，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，超级结功率MOSFET是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据SJ原理设计。深沟道SJ MOSFET提供了一种极低开关、通信和传导损耗的器件，具有最高的稳健性，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和低温。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >MBR20200CTF-G1
DIODES(美台)
MBR20200CTF-G1，DIODES(美台)，二极管 / 肖特基二极管，TO-220F-3封装，询盘确认库存，高压双肖特基整流器，适用于开关电源和其他电源转换器。该器件适用于中压操作，特别是在需要低开关损耗和低噪声的高频电路中。有TO-220-3 (2)和TO-220F-3封装。二极管 > 肖特基二极管
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查看详情 >SVF12N65F(S)
SILAN(士兰微)
SVF12N65F(S)，SILAN(士兰微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，1个N沟道 耐压:650V 电流:12A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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Maplesemi(美浦森)
SLF13N50A，Maplesemi(美浦森)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术制造。此先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件适用于高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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Truesemi(信安)
TSF20N50MR，Truesemi(信安)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，特性：采用先进的平面条纹 DMOS 技术。 20A，500V，最大导通电阻 RDS(on) = 0.30Ω（VGS = 10V 时）。 低栅极电荷（典型值 45nC）。 高耐用性。 快速开关。 100% 雪崩测试，改善三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SILAN(士兰微)
SVF7N60CF，SILAN(士兰微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，N沟道 600V 7A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >SVF4N60F
SILAN(士兰微)
SVF4N60F，SILAN(士兰微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，N沟道,600V,4A,2Ω@10V，塑封三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >TSF840MR
Truesemi(信安)
TSF840MR，Truesemi(信安)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，N沟道，500V，9A，0.8Ω三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >SVF10N65CF
SILAN(士兰微)
SVF10N65CF，SILAN(士兰微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，SVF10N65CF/K/FJH 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用专有的 F-Cell 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >TK8A60DA(STA4,X,S)
TOSHIBA(东芝)
TK8A60DA(STA4,X,S)，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.8Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 4.0S（典型值）。 低漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 600V)。 增强模式：Vth三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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HUAKE(华科)
SMF4N65，HUAKE(华科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，特性：4.0A, 650V, RDS(on)(Typ) = 2.2Ω @ VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 100%雪崩测试。 快速开关。 改善的dv/dt能力。应用：高频开关模式电源。 有源功率因数校正三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >TSF18N60MR
Truesemi(信安)
TSF18N60MR，Truesemi(信安)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，N沟道 18A,600V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >JCS7N65FB-220MF
吉林华微
JCS7N65FB-220MF，吉林华微，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，耐压:650V 电流:7A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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查看详情 >SSF65R650S2
上海超致
SSF65R650S2，上海超致，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，SJ-FET是新一代高压MOSFET系列，采用先进的电荷平衡机制，具有出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度地减少传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。SJ-FET适用于三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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查看详情 >SVF4N65CAF
SILAN(士兰微)
SVF4N65CAF，SILAN(士兰微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用专有的F-CellTM高压平面VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >SVS11N65FJD2
SILAN(士兰微)
SVS11N65FJD2，SILAN(士兰微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，SVS11N65D/F/S/FJD2是一款采用超结MOS技术制造的N沟道增强型高压功率MOSFET。它实现了低传导损耗和开关损耗，能助力设计工程师打造出高效、高功率密度且散热性能卓越的电源转换器。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >SVF13N50F
SILAN(士兰微)
SVF13N50F，SILAN(士兰微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，1个N沟道 耐压:500V 电流:13A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >MBR10200CTF-G1
DIODES(美台)
MBR10200CTF-G1，DIODES(美台)，二极管 / 肖特基二极管，TO-220F-3封装，询盘确认库存，高压双肖特基整流器，适用于开关电源和其他电源转换器。该器件适用于中压操作，特别是在需要低开关损耗和低噪声的高频电路中。提供 TO-220-3 (2) 和 TO-220F-3 (选项 1) 封装。二极管 > 肖特基二极管
TO-220F-3
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查看详情 >SVS14N60FJD2
SILAN(士兰微)
SVS14N60FJD2，SILAN(士兰微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，N沟道 耐压:600V 电流:14A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >TSF9N90M
Truesemi(信安)
TSF9N90M，Truesemi(信安)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，N沟道，900V，9A，1.4Ω三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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查看详情 >ATM2N65TF
Agertech(艾吉芯)
ATM2N65TF，Agertech(艾吉芯)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，是高电压功率MOSFET，具有快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高抗雪崩特性。通常用于电源、PWM电机控制、高效DC-DC转换器和桥接电路的高速开关应用中。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >CJ7915F
CJ(江苏长电/长晶)
CJ7915F，CJ(江苏长电/长晶)，电源与功率 / 线性稳压器(LDO)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，CJ7915F电源管理 > 线性稳压器(LDO)
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查看详情 >CJPF12N65
CJ(江苏长电/长晶)
CJPF12N65，CJ(江苏长电/长晶)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，这种先进的高压MOSFET设计用于在雪崩模式下承受高能量并实现高效开关。这种新的高能量器件还具有漏源二极管快速恢复时间。适用于高压、高速开关应用，如电源、转换器、功率电机控制和桥接电路。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >FIR4N65FG
FIRST(福斯特)
FIR4N65FG，FIRST(福斯特)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，此商品当前暂未能提供产品规格书(PDF)。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >KNF3725A
KIA
KNF3725A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，KNF3725A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >KNF6140A
KIA
KNF6140A，KIA，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，特性：专有新平面技术。 RDs(ON)，典型值 = 0.35Ω@Vgs = 10V。 低栅极电荷，可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。应用：镇流器和照明。 DC-AC逆变器三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >TPA65R360M
无锡紫光微
TPA65R360M，无锡紫光微，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3封装，询盘确认库存，特性：极低的品质因数 RDS(on)×Qg。 100%雪崩测试。 符合RoHS标准。应用：开关模式电源（SMPS）。 不间断电源（UPS）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >封装选购
TO-220F-3 封装选购常见问题
TO-220F-3 封装在华芯购有多少可查询型号？
当前 TO-220F-3 封装页收录 467 个公开可查询型号，本页优先展示 近期可询样本。
筛选 TO-220F-3 封装型号时还要核对什么？
除封装外，还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。
TO-220F-3 封装找不到完全一致型号怎么办？
可以从 DIODES(美台)、华润华晶、onsemi(安森美)、ST(意法半导体)、KEC 或 二极管 > 肖特基二极管、三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)、二极管 > 开关二极管、三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块 继续筛选，也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围，由业务按同封装和关键参数协助确认。