封装现货

TFBGA-54 封装现货型号与清单询价

围绕 TFBGA-54 封装聚合公开现货和可询型号,方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 173 个公开可查询型号。

173匹配型号 3常见品牌 1相关分类
按品牌继续
ISSI(美国芯成)59Alliance Memory20Winbond(华邦)1
按分类继续
存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)80
常用动作
封装核对TFBGA-54 只代表封装识别入口,正式采购前仍需确认完整 MPN、引脚数、温度等级、包装、批号和制造商资料。

同封装核对

TFBGA-54 同封装兼容说明

同封装只代表初筛入口,不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、官方资料链接和不可放宽条件放到同一张备注清单里。

完整MPN

先用原型号和候选型号做一对一比对,避免只拿封装名替代完整型号。

引脚/尺寸

核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。

关键参数

电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。

制造商PDF

以官方 PDF 和修订版本为准,页面资料只作为采购初筛入口。

数量交期

同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。

不可放宽

把不能替代的参数写入清单备注,减少业务和工程反复确认。

购物路径

TFBGA-54 封装购物路径

把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作,适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。

品牌ISSI(美国芯成) / Alliance Memory / Winbond(华邦) 封装TFBGA-54
01

进入实时筛选

按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。

02

保留候选型号

把优先样本带入对比或清单,避免从搜索入口反复重新查找。

03

统一核价

业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。

04

资料复核

采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。

型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价

AS4C16M16SA-7BCNTR

Alliance Memory

AS4C16M16SA-7BCNTR,Alliance Memory,存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,256Mb SDRAM,内部配置为4个4M x 16位的bank,支持143MHz时钟频率,商业级温度范围0°C至70°C,TFBGA封装。
存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM)
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AS4C16M16SB-6BINTR

Alliance Memory

AS4C16M16SB-6BINTR,Alliance Memory,存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,AS4C16M16SB 是一款高速 CMOS 同步动态随机存取存储器 (SDRAM),内部配置为 4 个 4M 字 x 16 位的 DRAM,具有同步接口。支持 166MHz 的快速时钟速率,访问时间低至
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AS4C16M16SA-6BIN

Alliance Memory

AS4C16M16SA-6BIN,Alliance Memory,存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,256Mb SDRAM,内部配置为4个4M x 16位的bank,支持166MHz时钟频率,工业级温度范围-40°C至85°C,TFBGA封装。
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IS42S16400J-6BLI

ISSI(美国芯成)

IS42S16400J-6BLI,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,64Mb SDRAM,1兆位 x 16位 x 4个bank,3.3V供电,支持多种时钟频率,内部4个bank可隐藏行访问/预充电周期,提供无缝高速随机访问操作。
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IS42S16400J-7BLI-TR

ISSI(美国芯成)

IS42S16400J-7BLI-TR,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,64 Mb Synchronous DRAM,1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks,支持143 MHz时钟频率,3.3V供电,工业级温度范围。
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IS42S16160J-6BLI

ISSI(美国芯成)

IS42S16160J-6BLI,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器,设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统,包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织
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IS42S16400J-7BLI

ISSI(美国芯成)

IS42S16400J-7BLI,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,IS42S16400J-7BLI
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IS42S16160J-7BL

ISSI(美国芯成)

IS42S16160J-7BL,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器,设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统,包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为
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IS42S16160J-6BL

ISSI(美国芯成)

IS42S16160J-6BL,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器,设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统,包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为
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IS42S16160J-7BLI

ISSI(美国芯成)

IS42S16160J-7BLI,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器,设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统,包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织
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IS42S16160J-7BLI-TR

ISSI(美国芯成)

IS42S16160J-7BLI-TR,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器,设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统,包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体
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IS45S16160J-6BLA1

ISSI(美国芯成)

IS45S16160J-6BLA1,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,IS45S16160J 6BLA1
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IS45S16160J-7BLA2

ISSI(美国芯成)

IS45S16160J-7BLA2,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,IS45S16160J 7BLA2
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IS42S16160J-7BL-TR

ISSI(美国芯成)

IS42S16160J-7BL-TR,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器,设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统,包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被
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IS42VM16320E-6BLI

ISSI(美国芯成)

IS42VM16320E-6BLI,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,IS42/45SM/RM/VM16320E 是8Mx16BitsX4Banks的Mobile Synchronous DRAM,支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电,所有输入和输出都同步到系统时钟的上升沿。支持自动
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W9825G6KB-6

Winbond(华邦)

W9825G6KB-6,Winbond(华邦),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,W9825G6KB 是一种高带宽同步动态随机存取存储器 (SDRAM),组织为 4M x 4 bank x 16 位。支持高达 166 MHz 的时钟频率,适用于高性能应用的主要内存。
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AS4C4M16SA-6BIN

Alliance Memory

AS4C4M16SA-6BIN,Alliance Memory,存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,64Mb SDRAM是一款高速CMOS同步DRAM,内部配置为4个1M字x16位的DRAM,具有完全同步操作、内部流水线架构和可编程模式寄存器等功能。适用于需要高带宽和高性能PC应用的场合。
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IS42SM16320E-75BLI

ISSI(美国芯成)

IS42SM16320E-75BLI,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,IS42/45SM/RM/VM16320E 是8Mx16BitsX4Banks的Mobile Synchronous DRAM,支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电,所有输入和输出都同步到系统时钟的上升沿。支持自
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IS42VM16320E-75BLI

ISSI(美国芯成)

IS42VM16320E-75BLI,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,IS42/45SM/RM/VM16320E 是8Mx16BitsX4Banks的Mobile Synchronous DRAM,支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电,所有输入和输出都同步到系统时钟的上升沿。支持自
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IS45S16320F-7BLA2

ISSI(美国芯成)

IS45S16320F-7BLA2,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,512Mb Synchronous DRAM,高速CMOS动态随机存取存储器,支持3.3V VDD/VDDQ,具有内部四bank结构和同步接口,适用于高性能系统。支持多种突发长度和可编程CAS延迟。
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IS42S16320F-6BLI

ISSI(美国芯成)

IS42S16320F-6BLI,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,512Mb SDRAM 是一种高速 CMOS 动态随机存取存储器,根据 DRAM 选项,可在 3.3V VDD/VDDQ 或 2.5V VDD/VDDQ 存储系统中运行。内部配置为具有同步接口的四体 DRAM。512Mb
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AS4C16M16SA-7BCN

Alliance Memory

AS4C16M16SA-7BCN,Alliance Memory,存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,256Mb SDRAM,内部配置为4个4M x 16位的bank,支持143MHz时钟频率,商业级温度范围0°C至70°C,TFBGA封装。
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IS42S16160J-6BLI-TR

ISSI(美国芯成)

IS42S16160J-6BLI-TR,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器,设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统,包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体
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AS4C16M16SA-6BAN

Alliance Memory

AS4C16M16SA-6BAN,Alliance Memory,存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,AS4C16M16SA-6BAN
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AS4C16M16SA-6BANTR

Alliance Memory

AS4C16M16SA-6BANTR,Alliance Memory,存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,AS4C16M16SA-6BANTR
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AS4C16M16SA-6BINTR

Alliance Memory

AS4C16M16SA-6BINTR,Alliance Memory,存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,256Mb SDRAM,内部配置为4个4M x 16位的bank,支持166MHz时钟频率,工业级温度范围-40°C至85°C,TFBGA封装。
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AS4C16M16SB-6BIN

Alliance Memory

AS4C16M16SB-6BIN,Alliance Memory,存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,AS4C16M16SB 是一款高速 CMOS 同步动态随机存取存储器 (SDRAM),内部配置为 4 个 4M 字 x 16 位的 DRAM,具有同步接口。支持 166MHz 的快速时钟速率,访问时间低至 5/
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AS4C4M16SA-6BAN

Alliance Memory

AS4C4M16SA-6BAN,Alliance Memory,存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,64Mb SDRAM,166MHz,4个1M x 16位的存储库,支持完全同步操作,具有可编程模式寄存器,适用于需要高带宽的应用,特别是高性能PC应用。
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AS4C4M16SA-6BANTR

Alliance Memory

AS4C4M16SA-6BANTR,Alliance Memory,存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,64Mb SDRAM,166MHz,4个1M x 16位的存储库,支持完全同步操作,具有可编程模式寄存器,适用于需要高带宽的应用,特别是高性能PC应用。
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AS4C4M16SA-6BINTR

Alliance Memory

AS4C4M16SA-6BINTR,Alliance Memory,存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,64Mb SDRAM是一款高速CMOS同步DRAM,内部配置为4个1M字x16位的DRAM,具有完全同步操作、内部流水线架构和可编程模式寄存器等功能。适用于需要高带宽和高性能PC应用的场合。
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AS4C4M16SA-7BCN

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AS4C4M16SA-7BCN,Alliance Memory,存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,64Mb SDRAM,4M x 16位,同步动态随机存取内存,具有快速访问时间(4.5/5.4/5.4 ns)、高速时钟速率(200/166/143 MHz)、完全同步操作、内部流水线架构、可编程模式寄存器等功能
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AS4C4M16SA-7BCNTR

Alliance Memory

AS4C4M16SA-7BCNTR,Alliance Memory,存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,64Mb SDRAM是一款高速CMOS同步DRAM,内部配置为4个1M字x16位的DRAM,具有完全同步操作、内部流水线架构和可编程模式寄存器等功能。适用于需要高带宽和高性能PC应用的场合。
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AS4C8M16SA-6BAN

Alliance Memory

AS4C8M16SA-6BAN,Alliance Memory,存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,128Mb SDRAM,支持快速访问时间(5ns)和高速时钟频率(166MHz)。该器件符合AEC-Q100标准,适用于汽车应用,支持-40°C至105°C的工作温度范围。
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AS4C8M16SA-6BANTR

Alliance Memory

AS4C8M16SA-6BANTR,Alliance Memory,存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,128Mb SDRAM,支持快速访问时间(5ns)和高速时钟频率(166MHz)。该器件符合AEC-Q100标准,适用于汽车应用,支持-40°C至105°C的工作温度范围。
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AS4C8M16SA-6BIN

Alliance Memory

AS4C8M16SA-6BIN,Alliance Memory,存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,128Mb SDRAM,内部配置为4个2M字 x 16位的存储阵列,支持完全同步操作,具有可编程模式寄存器,适用于需要高带宽的应用。
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AS4C8M16SA-6BINTR

Alliance Memory

AS4C8M16SA-6BINTR,Alliance Memory,存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,128Mb SDRAM,内部配置为4个2M字 x 16位的存储阵列,支持完全同步操作,具有可编程模式寄存器,适用于需要高带宽的应用。
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AS4C8M16SA-7BCN

Alliance Memory

AS4C8M16SA-7BCN,Alliance Memory,存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,128Mb SDRAM,内部配置为4个2M字 x 16位的存储阵列,支持完全同步操作,具有可编程模式寄存器,适用于需要高带宽的应用。
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AS4C8M16SA-7BCNTR

Alliance Memory

AS4C8M16SA-7BCNTR,Alliance Memory,存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,128Mb SDRAM,内部配置为4个2M字 x 16位的存储阵列,支持完全同步操作,具有可编程模式寄存器,适用于需要高带宽的应用。
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IS42RM16160K-6BLI

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IS42RM16160K-6BLI,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,IS42RM16160K-6BLI
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IS42RM16160K-6BLI-TR

ISSI(美国芯成)

IS42RM16160K-6BLI-TR,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,IS42RM16160K-6BLI-TR 是一款移动 268,435,456 位 CMOS 同步 DRAM,组织为 4 组 4,194,304 字 x 16 位。该产品提供完全同步操作,所有输入和输出均与系统时钟
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IS42RM16160K-75BLI

ISSI(美国芯成)

IS42RM16160K-75BLI,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,IS42RM16160K-75BLI 是一款移动 268,435,456 位 CMOS 同步 DRAM,组织为 4 组 4,194,304 字 x 16 位。该产品提供完全同步操作,所有输入和输出均与系统时钟的正沿同
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IS42RM16160K-75BLI-TR

ISSI(美国芯成)

IS42RM16160K-75BLI-TR,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,组织为4个bank,每个bank包含4,194,304个字 x 16位。这些产品提供完全同步操作,所有输入和输出都与系统时钟的正边沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。
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IS42RM16200D-6BLI

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IS42RM16200D-6BLI,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,IS42RM16200D 6BLI
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IS42RM16200D-6BLI-TR

ISSI(美国芯成)

IS42RM16200D-6BLI-TR,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,IS42RM16200D 6BLI TR
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IS42RM16200D-75BLI

ISSI(美国芯成)

IS42RM16200D-75BLI,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,IS42RM16200D 75BLI
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IS42RM16200D-75BLI-TR

ISSI(美国芯成)

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IS42RM16800H-6BLI

ISSI(美国芯成)

IS42RM16800H-6BLI,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,组织为4个bank,每个bank有2,097,152字 x 16位。支持完全同步操作,所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。具有内部4个bank操作、自动刷新和自刷新功能。支持突发读取单写操作,所有引脚与LVCMOS
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ISSI(美国芯成)

IS42RM16800H-6BLI-TR,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,组织为4个bank,每个bank有2,097,152字 x 16位。支持完全同步操作,所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。具有内部4个bank操作、自动刷新和自刷新功能。支持突发读取单写操作,所有引脚与LVC
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IS42RM16800H-75BLI

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IS42RM16800H-75BLI,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,组织为4个bank,每个bank有2,097,152字 x 16位。支持完全同步操作,所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。具有内部4个bank操作、自动刷新和自刷新功能。支持突发读取单写操作,所有引脚与LVCMO
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IS42RM16800H-75BLI-TR,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,IS42/45SM/RM/VM16800H 是一种128Mb (2M x 16Bits x 4Banks) 的移动同步DRAM,具有完全同步操作,内部4个bank操作,自动刷新和自刷新等功能。
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IS42S16160G-5BL

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IS42S16160G-6BL,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,IS42S16160G-6BL 是一款256Mb同步动态随机存取内存(SDRAM),支持多种时钟频率(166 MHz)。该芯片采用54-Ball BGA封装,支持3.3V供电,工作温度范围为0°C到+70°C。具备自动刷新
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IS42S16160G-6BL-TR,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,IS42S16160G是一款256Mb Synchronous DRAM,支持16M x 16位配置,具有166 MHz的时钟频率。支持商业级温度范围(0°C到+70°C)。
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IS42S16160G-7BL

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IS42S16320F-6BL

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IS42S16320F-6BL,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,512Mb Synchronous DRAM,高速CMOS动态随机存取存储器,支持3.3V VDD/VDDQ,具有内部四bank结构和同步接口,适用于高性能系统。支持多种突发长度和可编程CAS延迟。
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IS42S16320F-7BLI-TR,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,512Mb Synchronous DRAM,支持3.3V供电,具有高带宽和低功耗特性。支持多种工作模式,包括自动刷新和自刷新。
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IS42S16400J-5BL

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IS42S16400J-5BL,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,IS42S16400J是一款64Mb同步动态随机存取内存(SDRAM),具有1兆位x16位x4个bank的组织结构,支持全同步操作,所有信号都参考正时钟边缘。工作频率为200MHz,单3.3V电源供电,LVTTL接口。可编
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IS42S16400J-5BL-TR,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,64 Mb Synchronous DRAM,1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks,支持200 MHz时钟频率,3.3V供电,工业级温度范围。
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IS42S16400J-7BL-TR,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,64 Mb Synchronous DRAM,1 Meg Bits x 16 Bits x 4 Banks,支持143 MHz时钟频率,3.3V供电,工业级温度范围。
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IS42S16800F-6BL,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,128Mb Synchronous DRAM, 3.3V VDD 和 VDDQ, 54-ball BGA 封装, 支持 200, 166, 143 MHz 时钟频率, 商业级温度范围 0°C 到 +70°C。
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IS42S16800F-6BLI,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,IS42/45S16800F 是一款128Mb同步动态随机存取内存,支持高带宽数据传输,采用四bank结构,支持多种时钟频率和突发长度。
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IS42S16800F-7BL,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,IS42/45S16800F 是一款128Mb同步动态随机存取内存,支持高带宽数据传输,采用四bank结构,支持多种时钟频率和突发长度。
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IS42S83200G-7BL

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IS42S83200G-7BL,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,IS42S83200G是一款256Mb Synchronous DRAM,支持8M x 8位配置,具有143 MHz的时钟频率。支持工业级温度范围(-40°C到+85°C)。
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IS42S83200G-7BL-TR,ISSI(美国芯成),存储器 / 同步动态随机存取内存(SDRAM),TFBGA-54封装,询盘确认库存,256Mb Synchronous DRAM,实现高速数据传输,支持多种时钟频率,具备自刷新和低功耗模式。
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封装选购

TFBGA-54 封装选购常见问题

TFBGA-54 封装在华芯购有多少可查询型号?

当前 TFBGA-54 封装页收录 173 个公开可查询型号,本页优先展示 近期可询样本。

筛选 TFBGA-54 封装型号时还要核对什么?

除封装外,还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。

TFBGA-54 封装找不到完全一致型号怎么办?

可以从 Alliance Memory、ISSI(美国芯成)、Winbond(华邦) 或 存储器 > 同步动态随机存取内存(SDRAM) 继续筛选,也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围,由业务按同封装和关键参数协助确认。