先用原型号和候选型号做一对一比对,避免只拿封装名替代完整型号。
封装现货
SOT-883 封装现货型号与清单询价
围绕 SOT-883 封装聚合公开现货和可询型号,方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 50 个公开可查询型号。
同封装核对
SOT-883 同封装兼容说明
同封装只代表初筛入口,不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、官方资料链接和不可放宽条件放到同一张备注清单里。
核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。
电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。
以官方 PDF 和修订版本为准,页面资料只作为采购初筛入口。
同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。
把不能替代的参数写入清单备注,减少业务和工程反复确认。
购物路径
SOT-883 封装购物路径
把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作,适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。
进入实时筛选
按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。
保留候选型号
把优先样本带入对比或清单,避免从搜索入口反复重新查找。
统一核价
业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。
资料复核
采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。
PMZ290UNE2YL
Nexperia(安世)
PMZ290UNE2YL,Nexperia(安世),现货库存,SOT-883封装,300,000件现货PESD5V0U2BM,315
Nexperia(安世)
PESD5V0U2BM,315,Nexperia(安世),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-883封装,30,000件现货,采用SOT883无引脚超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装的超低电容双向双路静电放电(ESD)保护二极管阵列,旨在保护多达两条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。PMZ550UNEYL
Nexperia(安世)
PMZ550UNEYL,Nexperia(安世),现货库存,SOT-883封装,20,000件现货NX3008NBKMB
Nexperia(安世)
NX3008NBKMB,Nexperia(安世),现货库存,SOT-883封装,10,000件现货LMN2500N3T5G
LRC(乐山无线电)
LMN2500N3T5G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-883封装,询盘确认库存,1个N沟道 耐压:20V 电流:1ABAW56M,315
Nexperia(安世)
BAW56M,315,Nexperia(安世),二极管 / 开关二极管,SOT-883封装,询盘确认库存,BAW56M,315LN108N3T5G
LRC(乐山无线电)
LN108N3T5G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-883封装,询盘确认库存,特性:VDS=20V。 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。 产品材料符合RoHS要求且无卤。应用:笔记本电脑和便携式设备的电源管理。 负载开关LMP21D5N3T5G
LRC(乐山无线电)
LMP21D5N3T5G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-883封装,询盘确认库存,1个P沟道 耐压:20V 电流:700mALESD8D5.0CN3T5G
LRC(乐山无线电)
LESD8D5.0CN3T5G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-883封装,询盘确认库存,LESD8D5.0CN3T 5G旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使其成为电路板空间有限设计中静电放电保护的理想选择。由于其尺寸小巧,适用于手机、MP3播放MMBT3906N3
TC(德昌)
MMBT3906N3,TC(德昌),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-883封装,询盘确认库存,MMBT3906N3PESD3V3L2UM,315
Nexperia(安世)
PESD3V3L2UM,315,Nexperia(安世),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-883封装,询盘确认库存,采用三焊盘SOT883无引脚超小型塑料封装的低电容ESD保护二极管,旨在保护多达两条传输线或数据线免受静电放电(ESD)损坏。LMBT3906N3T5G
LRC(乐山无线电)
LMBT3906N3T5G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-883封装,询盘确认库存,特性:产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;通过AEC-Q101认证并具备PPAP能力LSI1012BN3T5G
LRC(乐山无线电)
LSI1012BN3T5G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-883封装,询盘确认库存,1个N沟道 耐压:20V 电流:500mABAT54CM,315
Nexperia(安世)
BAT54CM,315,Nexperia(安世),二极管 / 肖特基二极管,SOT-883封装,询盘确认库存,平面肖特基势垒双二极管,封装在SOT883无引脚超小塑料封装中。SSM3K56CT,L3F
TOSHIBA(东芝)
SSM3K56CT,L3F,TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-883封装,询盘确认库存,特性:1.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 235 mΩ (最大值) (@VGS = 4.5 V)。RDS(ON) = 300 mΩ (最大值) (@VGS = 2.5 V)。RDS(ON)SDV301N3
SHIKUES(时科)
SDV301N3,SHIKUES(时科),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-883封装,询盘确认库存,特性:30V N-Channel MOSFET High Dense Design.。 RDS(ON) = 300 mΩ (typ.) @ VGS = 4.5 V。 RDS(ON) = 400 mΩ (typ.) @ VGS =LESD8D5.0CN3T6G
LRC(乐山无线电)
LESD8D5.0CN3T6G,LRC(乐山无线电),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-883封装,询盘确认库存,LESD8D5.0CN3T6G 旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)影响。出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间,使这些器件非常适合用于印刷电路板空间有限的设计中的 ESD 保护。PESD5V0L2UM,315
Nexperia(安世)
PESD5V0L2UM,315,Nexperia(安世),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-883封装,询盘确认库存,低电容ESD保护二极管采用三焊盘SOT883无引脚超小型塑料封装,旨在保护多达两条传输线或数据线免受静电放电(ESD)损坏。PESD5V0L2UM
UMW(友台半导体)
PESD5V0L2UM,UMW(友台半导体),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-883封装,询盘确认库存,低电容ESD保护二极管,采用三焊盘SOT883无铅超小型塑料封装,旨在保护多达两条传输线或数据线免受静电放电(ESD)损坏。PMBT3904M,315
Nexperia(安世)
PMBT3904M,315,Nexperia(安世),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-883封装,询盘确认库存,NPN单开关晶体管,采用SOT883 (SC-101)无铅超小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。PBSS2515M,315
Nexperia(安世)
PBSS2515M,315,Nexperia(安世),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-883封装,询盘确认库存,采用SOT883无引脚超小型塑料封装的低VCEsat NPN晶体管。互补PNP晶体管:PBSS3515M。ESDALC6V1M3
ST(意法半导体)
ESDALC6V1M3,ST(意法半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-883封装,询盘确认库存,用于ESD保护的双线低电容Transil阵列PBSS3540M,315
Nexperia(安世)
PBSS3540M,315,Nexperia(安世),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-883封装,询盘确认库存,低 VCEsat PNP 晶体管,采用 SOT883 无引脚超小型塑料封装。NPN 互补型号为 PBSS2540M。2N7002KN3T5G
MSKSEMI(美森科)
2N7002KN3T5G,MSKSEMI(美森科),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-883封装,询盘确认库存,特性:60V, 300mA, RDS(ON) = 1.7Ω@VGS = 10V。 快速开关。 有环保型产品。 2KV HBM ESD 能力。应用:笔记本电脑。 智能手机PESD5V0V2BMYL
Nexperia(安世)
PESD5V0V2BMYL,Nexperia(安世),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-883封装,询盘确认库存,两款双向静电放电(ESD)保护二极管,旨在保护两条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。该器件采用DFN1006 - 3(SOT883)无引脚超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。2PC4617QM,315
Nexperia(安世)
2PC4617QM,315,Nexperia(安世),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-883封装,询盘确认库存,NPN通用晶体管,采用SOT883无引脚超小型塑料封装。PNP互补型号:2PA1776M系列。BAV170MYL
Nexperia(安世)
BAV170MYL,Nexperia(安世),二极管 / 通用二极管,SOT-883封装,询盘确认库存,双共阴极低泄漏二极管封装在无铅超小型DFN1006-3 (SOT883)表面贴装器件(SMD)塑料封装中。BAV70M,315
Nexperia(安世)
BAV70M,315,Nexperia(安世),二极管 / 开关二极管,SOT-883封装,询盘确认库存,BAV70M,315BC847CM,315
Nexperia(安世)
BC847CM,315,Nexperia(安世),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-883封装,询盘确认库存,NPN 电流:100mA 电压:45VCEDM7001BKPBFREE
Central(中环)
CEDM7001BKPBFREE,Central(中环),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-883封装,询盘确认库存,1个N沟道 耐压:20V 电流:100mACEDM7004BKPBFREE
Central(中环)
CEDM7004BKPBFREE,Central(中环),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-883封装,询盘确认库存,1个N沟道 耐压:30V 电流:1.78ACEDM7004TRPBFREE
Central(中环)
CEDM7004TRPBFREE,Central(中环),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-883封装,询盘确认库存,1个N沟道 耐压:30V 电流:1.78ACEDM8001BKPBFREE
Central(中环)
CEDM8001BKPBFREE,Central(中环),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-883封装,询盘确认库存,1个P沟道 耐压:20V 电流:100mACEDM8001TRPBFREE
Central(中环)
CEDM8001TRPBFREE,Central(中环),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-883封装,询盘确认库存,1个P沟道 耐压:20V 电流:100mACEDM8004BKPBFREE
Central(中环)
CEDM8004BKPBFREE,Central(中环),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-883封装,询盘确认库存,1个P沟道 耐压:30V 电流:450mACET3904ETRPBFREE
Central(中环)
CET3904ETRPBFREE,Central(中环),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-883封装,询盘确认库存,CET3904E TR PBFREECET3906ETRPBFREE
Central(中环)
CET3906ETRPBFREE,Central(中环),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-883封装,询盘确认库存,CET3906E TR PBFREEESDALC6V1M3R
ST(意法半导体)
ESDALC6V1M3R,ST(意法半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-883封装,询盘确认库存,ESDALC6V1M3RGSBC847BM
GOOD-ARK(固锝)
GSBC847BM,GOOD-ARK(固锝),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-883封装,询盘确认库存,GSBC847BMGSFW02009
GOOD-ARK(固锝)
GSFW02009,GOOD-ARK(固锝),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-883封装,询盘确认库存,GSFW02009GSFW0202
GOOD-ARK(固锝)
GSFW0202,GOOD-ARK(固锝),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-883封装,询盘确认库存,GSFW0202GSFW0501
GOOD-ARK(固锝)
GSFW0501,GOOD-ARK(固锝),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOT-883封装,询盘确认库存,GSFW0501LBC847BN3T5G
LRC(乐山无线电)
LBC847BN3T5G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SOT-883封装,询盘确认库存,特性:湿度敏感度等级:1。ESD 评级-人体模型:>4000V。ESD 评级-机器模型:>400V。产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。S 前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用。AEC-Q101 合格且具备 PPLESD8D3.3CN3T5G
LRC(乐山无线电)
LESD8D3.3CN3T5G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-883封装,询盘确认库存,LESD8D3.3CN3T 5G 旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使其成为电路板空间有限设计中 ESD 保护的理想选择。由于其尺寸小巧,适用于手机、MP3PDTA123TM,315
Nexperia(安世)
PDTA123TM,315,Nexperia(安世),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-883封装,询盘确认库存,PDTA123TM,315PDTC143TM,315
Nexperia(安世)
PDTC143TM,315,Nexperia(安世),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SOT-883封装,询盘确认库存,NPN 电阻型晶体管(封装细节见“简化外形、符号和引脚排列”)。PESD4V0X2UMZ
Nexperia(安世)
PESD4V0X2UMZ,Nexperia(安世),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-883封装,询盘确认库存,PESD4V0X2UMZPESD5V0U2BM-QYL
Nexperia(安世)
PESD5V0U2BM-QYL,Nexperia(安世),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-883封装,询盘确认库存,PESD5V0U2BM-QYLPESD5V0X2UAMBYL
Nexperia(安世)
PESD5V0X2UAMBYL,Nexperia(安世),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-883封装,询盘确认库存,PESD5V0X2UAMBYLPESD5V0X2UMYL
Nexperia(安世)
PESD5V0X2UMYL,Nexperia(安世),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOT-883封装,询盘确认库存,PESD5V0X2UMYL封装选购
SOT-883 封装选购常见问题
SOT-883 封装在华芯购有多少可查询型号?
当前 SOT-883 封装页收录 50 个公开可查询型号,本页优先展示 4 个现货样本。
筛选 SOT-883 封装型号时还要核对什么?
除封装外,还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。
SOT-883 封装找不到完全一致型号怎么办?
可以从 Nexperia(安世)、LRC(乐山无线电)、TC(德昌)、TOSHIBA(东芝)、SHIKUES(时科) 或 现货库存、三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)、三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)、二极管 > 开关二极管 继续筛选,也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围,由业务按同封装和关键参数协助确认。

