先用原型号和候选型号做一对一比对,避免只拿封装名替代完整型号。
封装现货
SOD-123W 封装现货型号与清单询价
围绕 SOD-123W 封装聚合公开现货和可询型号,方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 517 个公开可查询型号。
同封装核对
SOD-123W 同封装兼容说明
同封装只代表初筛入口,不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、官方资料链接和不可放宽条件放到同一张备注清单里。
核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。
电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。
以官方 PDF 和修订版本为准,页面资料只作为采购初筛入口。
同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。
把不能替代的参数写入清单备注,减少业务和工程反复确认。
购物路径
SOD-123W 封装购物路径
把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作,适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。
进入实时筛选
按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。
保留候选型号
把优先样本带入对比或清单,避免从搜索入口反复重新查找。
统一核价
业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。
资料复核
采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。
PMEG4030ER,115
Nexperia(安世)
PMEG4030ER,115,Nexperia(安世),二极管 / 肖特基二极管,SOD-123W封装,61,263件现货,平面肖特基势垒整流器,集成保护环用于应力保护,采用SOD123W小型扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装。PTVS36VS1UR
FUXINSEMI(富芯森美)
PTVS36VS1UR,FUXINSEMI(富芯森美),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOD-123W封装,37,293件现货,特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 低外形封装。 出色的钳位能力。 IEC61000-4-2 ESD 30kV 空气放电、30kV 接触放电合规。 保护一条 I/O 线路。 无铅部件符合PTVS16VS1UR,115
Nexperia(安世)
PTVS16VS1UR,115,Nexperia(安世),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOD-123W封装,36,000件现货,VRWM=16V,Vc=26V,Ipp=15.4APMEG10010ELR-QX
Nexperia(安世)
PMEG10010ELR-QX,Nexperia(安世),二极管 / 肖特基二极管,SOD-123W封装,15,000件现货,平面肖特基势垒整流器,带有用于应力保护的集成保护环,采用SOD123W小型扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装。PTVS5V0S1UR,115
Nexperia(安世)
PTVS5V0S1UR,115,Nexperia(安世),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOD-123W封装,询盘确认库存,采用SOD123W小型扁平引脚薄型表面贴装器件(SMD)塑料封装的400 W单向瞬态电压抑制器(TVS),专为瞬态过电压保护而设计。S1MLWH
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
S1MLWH,Taiwan Semiconductor(台湾半导体),二极管 / 通用二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:AEC-Q101合格。 适合自动贴片。 封装尺寸紧凑。 浪涌电流能力高。 低功耗,高效率。 湿度敏感度等级:根据J-STD-020标准为1级。应用:DC-DC转换器。 汽车应用SS210LW
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SS210LW,Taiwan Semiconductor(台湾半导体),二极管 / 肖特基二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,电压:100V 电流:2ARS1KLW
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
RS1KLW,Taiwan Semiconductor(台湾半导体),二极管 / 开关二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,RS1KLWRS1GLW
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
RS1GLW,Taiwan Semiconductor(台湾半导体),二极管 / 开关二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,RS1GLWSS14LW
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SS14LW,Taiwan Semiconductor(台湾半导体),二极管 / 肖特基二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,电压:40V 电流:1APMEG40T30ER-QX
Nexperia(安世)
PMEG40T30ER-QX,Nexperia(安世),二极管 / 肖特基二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,Trench Maximum Efficiency General Application (MEGA) 肖特基势垒整流器,封装在 CFP3 (SOD123W) 小型扁平引脚表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。SS26LWH
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SS26LWH,Taiwan Semiconductor(台湾半导体),二极管 / 肖特基二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,电压:60V 电流:2APMEG4020ER,115
Nexperia(安世)
PMEG4020ER,115,Nexperia(安世),二极管 / 肖特基二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,平面肖特基势垒整流器,带有用于应力保护的集成保护环,采用SOD123W小型扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装。MM1Z24WAT
Agertech(艾吉芯)
MM1Z24WAT,Agertech(艾吉芯),二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功耗:最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%MM1Z27BW
晶导微电子
MM1Z27BW,晶导微电子,二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功率耗散:最大500mW。 齐纳反向电压范围宽:2.0V至75V。 小型塑料封装,适合表面贴装设计。 公差约为±2%BZT52C22WAT
Agertech(艾吉芯)
BZT52C22WAT,Agertech(艾吉芯),二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功耗:最大500mW。 宽齐纳反向电压范围:2.0 V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装MM1Z18WAT
Agertech(艾吉芯)
MM1Z18WAT,Agertech(艾吉芯),二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功耗:最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%RS1DLW
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
RS1DLW,Taiwan Semiconductor(台湾半导体),二极管 / 开关二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,RS1DLWPNE20020ERX
Nexperia(安世)
PNE20020ERX,Nexperia(安世),二极管 / 通用二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,高功率密度,采用高效平面技术的超快速恢复整流器,封装在小型扁平引脚SOD123W表面贴装器件(SMD)塑料封装中。ES1GLW
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
ES1GLW,Taiwan Semiconductor(台湾半导体),二极管 / 开关二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,ES1GLWHS1DLW
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
HS1DLW,Taiwan Semiconductor(台湾半导体),二极管 / 开关二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,HS1DLWRS1JLW
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
RS1JLW,Taiwan Semiconductor(台湾半导体),二极管 / 开关二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,RS1JLWS1GLW
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
S1GLW,Taiwan Semiconductor(台湾半导体),二极管 / 通用二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,S1GLWSS1H20LW
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SS1H20LW,Taiwan Semiconductor(台湾半导体),二极管 / 肖特基二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,电压:200V 电流:1ASS220LWH
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SS220LWH,Taiwan Semiconductor(台湾半导体),二极管 / 肖特基二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,电压:200V 电流:2ASS310LW
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SS310LW,Taiwan Semiconductor(台湾半导体),二极管 / 肖特基二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,电压:100V 电流:3ASS36LW
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SS36LW,Taiwan Semiconductor(台湾半导体),二极管 / 肖特基二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:低功耗,高效率。 适合自动贴装。 过压保护用保护环。 高浪涌电流能力。 湿度敏感度等级:1级,符合J-STD-020。 符合RoHS标准。应用:开关模式电源(SMPS)。 适配器TSDGLW
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
TSDGLW,Taiwan Semiconductor(台湾半导体),二极管 / 通用二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,TSDGLWUF1GLWH
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
UF1GLWH,Taiwan Semiconductor(台湾半导体),二极管 / 开关二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,UF1GLWHUF1JLW
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
UF1JLW,Taiwan Semiconductor(台湾半导体),二极管 / 开关二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,UF1JLWSS310LWH
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SS310LWH,Taiwan Semiconductor(台湾半导体),二极管 / 肖特基二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,电压:100V 电流:3APTVS30VS1UTR,115
Nexperia(安世)
PTVS30VS1UTR,115,Nexperia(安世),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOD-123W封装,询盘确认库存,采用SOD123W小型扁平引脚薄型表面贴装器件(SMD)塑料封装的400 W单向瞬态电压抑制器(TVS),专为高温应用中的瞬态过电压保护而设计。MM1Z5V1W
JSMSEMI(杰盛微)
MM1Z5V1W,JSMSEMI(杰盛微),二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,确保在各类电子设备中实现高效、稳定的电压控制,尤其适用于对电压精度要求高的小型化电路设计。SS16LWRVG
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SS16LWRVG,Taiwan Semiconductor(台湾半导体),二极管 / 肖特基二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,电压:60V 电流:1APTVS3V3S1UR,115
Nexperia(安世)
PTVS3V3S1UR,115,Nexperia(安世),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOD-123W封装,询盘确认库存,采用SOD123W小型扁平引脚薄型表面贴装器件(SMD)塑料封装的400 W单向瞬态电压抑制器(TVS),专为瞬态过电压保护而设计。MM1Z6V8W
晶导微电子
MM1Z6V8W,晶导微电子,二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功率耗散:最大500mW。 齐纳反向电压范围宽:2.0V至75V。 小塑料封装,适用于表面贴装设计。 公差约±5%PMEG10020ELRX
Nexperia(安世)
PMEG10020ELRX,Nexperia(安世),二极管 / 肖特基二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,平面肖特基势垒整流器,集成保护环用于应力保护,封装在SOD123W小型扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装中。PMEG4010ETR-QX
Nexperia(安世)
PMEG4010ETR-QX,Nexperia(安世),二极管 / 肖特基二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,电压:40V 电流:1ASS16LW
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SS16LW,Taiwan Semiconductor(台湾半导体),二极管 / 肖特基二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,电压:60V 电流:1AMMSZ5228BW
晶导微电子
MMSZ5228BW,晶导微电子,二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功耗:最大500mW。 宽齐纳反向电压范围:2.4V至39V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%MMSZ5250BW
晶导微电子
MMSZ5250BW,晶导微电子,二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功率耗散:最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至39V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±5%1N4148WA
PJSEMI(平晶微)
1N4148WA,PJSEMI(平晶微),二极管 / 开关二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:适用于表面贴装应用。 快速反向恢复时间。 适合自动贴装BZT52C3V9W
晶导微电子
BZT52C3V9W,晶导微电子,二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功率耗散:最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装BZT52C18W
晶导微电子
BZT52C18W,晶导微电子,二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功率耗散:最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装BZT52C20W
晶导微电子
BZT52C20W,晶导微电子,二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,表面贴装齐纳二极管MM1Z2V4W
晶导微电子
MM1Z2V4W,晶导微电子,二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功耗:最大500mW。 宽齐纳反向电压范围:2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%MM1Z3V0W
晶导微电子
MM1Z3V0W,晶导微电子,二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功耗:最大500mW。 宽齐纳反向电压范围:2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%MM1Z4V7BW
晶导微电子
MM1Z4V7BW,晶导微电子,二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功率耗散:最大500mW。 齐纳反向电压范围宽:2.0V至75V。 小型塑料封装,适合表面贴装设计。 公差约为±2%MM1Z7V5BW
晶导微电子
MM1Z7V5BW,晶导微电子,二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功率耗散:最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±2%PMEG6020ER-QX
Nexperia(安世)
PMEG6020ER-QX,Nexperia(安世),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOD-123W封装,询盘确认库存,平面肖特基势垒整流器,带有用于应力保护的集成保护环,封装在SOD123W小型扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装中。MM1Z11BW
JSMSEMI(杰盛微)
MM1Z11BW,JSMSEMI(杰盛微),二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,适用于高精度稳压和电路保护应用,凭借出众效能,成为您设计中的理想选择。B0530WA
晶导微电子
B0530WA,晶导微电子,二极管 / 肖特基二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:低正向压降。用于瞬态保护的保护环结构。高电导。也有无铅版本MM1Z2V7BW
JSMSEMI(杰盛微)
MM1Z2V7BW,JSMSEMI(杰盛微),二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,适用于各类精密稳压及电路保护应用场景,以其卓越性能满足您的电路设计需求。MM1Z5V1WAT
Agertech(艾吉芯)
MM1Z5V1WAT,Agertech(艾吉芯),二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功率耗散:最大500mW。 宽齐纳反向电压范围:2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%MMSZ5225BW
晶导微电子
MMSZ5225BW,晶导微电子,二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功率耗散:最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.4V至39V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约±5%PTVS24VS1UR-MS
MSKSEMI(美森科)
PTVS24VS1UR-MS,MSKSEMI(美森科),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOD-123W封装,询盘确认库存,此款单向TVS管,采用 SOD-123W封装,它具备高脉冲功率:最高达400W,这是在 8/20μs 波形下的能量吸收能力,被广泛应用于保护CAN总线、LIN总线、USB 接口和其他汽车电子系统免受 ESBZT52C6V2W
晶导微电子
BZT52C6V2W,晶导微电子,二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功率耗散:最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装MM1Z3V9W
晶导微电子
MM1Z3V9W,晶导微电子,二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功耗:最大500mW。 宽齐纳反向电压范围:2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%PTVS20VS1UR-MS
MSKSEMI(美森科)
PTVS20VS1UR-MS,MSKSEMI(美森科),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOD-123W封装,询盘确认库存,此款单向TVS管,采用 SOD-123W封装,它具备高脉冲功率:最高达400W,这是在 8/20μs 波形下的能量吸收能力,被广泛应用于保护CAN总线、LIN总线、USB 接口和其他汽车电子系统免受 ESPTVS15VS1UR-MS
MSKSEMI(美森科)
PTVS15VS1UR-MS,MSKSEMI(美森科),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOD-123W封装,询盘确认库存,此款单向TVS管,采用 SOD-123W封装,它具备高脉冲功率:最高达400W,这是在 8/20μs 波形下的能量吸收能力,被广泛应用于保护CAN总线、LIN总线、USB 接口和其他汽车电子系统免受 ESLL60PW
晶导微电子
LL60PW,晶导微电子,二极管 / 肖特基二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:金属硅结,多数载流子传导。适用于无线电、电视等的检测或开关PTVS6V5S1UR-MS
MSKSEMI(美森科)
PTVS6V5S1UR-MS,MSKSEMI(美森科),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOD-123W封装,询盘确认库存,此款单向TVS管,采用 SOD-123W封装,它具备高脉冲功率:最高达400W,这是在 8/20μs 波形下的能量吸收能力,被广泛应用于保护CAN总线、LIN总线、USB 接口和其他汽车电子系统免受 ESMM1Z62W
晶导微电子
MM1Z62W,晶导微电子,二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功耗:最大500mW。 宽齐纳反向电压范围:2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%MM1Z75W
晶导微电子
MM1Z75W,晶导微电子,二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功耗:最大500mW。 宽齐纳反向电压范围:2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%MM1Z12BW
晶导微电子
MM1Z12BW,晶导微电子,二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功率耗散:最大500mW。 齐纳反向电压范围宽:2.0V至75V。 小型塑料封装,适合表面贴装设计。 公差约为±2%PTVS12VS1UR-MS
MSKSEMI(美森科)
PTVS12VS1UR-MS,MSKSEMI(美森科),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOD-123W封装,询盘确认库存,此款单向TVS管,采用 SOD-123W封装,它具备高脉冲功率:最高达400W,这是在 8/20μs 波形下的能量吸收能力,被广泛应用于保护CAN总线、LIN总线、USB 接口和其他汽车电子系统免受 ESBZT52C51W
晶导微电子
BZT52C51W,晶导微电子,二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功率耗散:最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装BZT52C9V1W
晶导微电子
BZT52C9V1W,晶导微电子,二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功率耗散:最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装MM1Z39W
晶导微电子
MM1Z39W,晶导微电子,二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功耗:最大500mW。 宽齐纳反向电压范围:2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%MM1Z51W
晶导微电子
MM1Z51W,晶导微电子,二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功耗:最大500mW。 宽齐纳反向电压范围:2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%PTVS17VS1UR,115
Nexperia(安世)
PTVS17VS1UR,115,Nexperia(安世),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOD-123W封装,询盘确认库存,采用SOD123W小型扁平引脚薄型表面贴装器件(SMD)塑料封装的400 W单向瞬态电压抑制器(TVS),专为瞬态过电压保护而设计。PMEG10020AELR-QX
Nexperia(安世)
PMEG10020AELR-QX,Nexperia(安世),二极管 / 肖特基二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,平面肖特基势垒整流器,带有用于应力保护的集成保护环,采用SOD123W小型扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装。MM1Z13W
晶导微电子
MM1Z13W,晶导微电子,二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功耗:最大500mW。 宽齐纳反向电压范围:2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%MM1Z43W
晶导微电子
MM1Z43W,晶导微电子,二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功耗:最大500mW。 宽齐纳反向电压范围:2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%MM1Z47BW
晶导微电子
MM1Z47BW,晶导微电子,二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功率耗散:最大500mW。 齐纳反向电压范围宽:2.0V至75V。 小型塑料封装,适合表面贴装设计。 公差约为±2%BZT52C7V5W
晶导微电子
BZT52C7V5W,晶导微电子,二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功率耗散:最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装MM1Z24BW
晶导微电子
MM1Z24BW,晶导微电子,二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功率耗散:最大500mW。 齐纳反向电压范围宽:2.0V至75V。 小型塑料封装,适合表面贴装设计。 公差约为±2%MM1Z47W
晶导微电子
MM1Z47W,晶导微电子,二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功耗:最大500mW。 宽齐纳反向电压范围:2.0V至75V。 适合表面贴装设计的小型塑料封装。 公差约为±5%PMEG2010ER,115
Nexperia(安世)
PMEG2010ER,115,Nexperia(安世),二极管 / 肖特基二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,平面肖特基势垒整流器,集成保护环以提供应力保护,采用SOD123W小型扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装。BZT52C2V4W
晶导微电子
BZT52C2V4W,晶导微电子,二极管 / 稳压二极管,SOD-123W封装,询盘确认库存,特性:总功率耗散:最大500mW。 宽齐纳反向电压范围2.0V至75V。 适用于表面贴装设计的小型塑料封装封装选购
SOD-123W 封装选购常见问题
SOD-123W 封装在华芯购有多少可查询型号?
当前 SOD-123W 封装页收录 517 个公开可查询型号,本页优先展示 4 个现货样本。
筛选 SOD-123W 封装型号时还要核对什么?
除封装外,还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。
SOD-123W 封装找不到完全一致型号怎么办?
可以从 Nexperia(安世)、FUXINSEMI(富芯森美)、Taiwan Semiconductor(台湾半导体)、Agertech(艾吉芯)、晶导微电子 或 二极管 > 肖特基二极管、三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)、TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)、二极管 > 通用二极管 继续筛选,也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围,由业务按同封装和关键参数协助确认。

