先用原型号和候选型号做一对一比对,避免只拿封装名替代完整型号。
封装现货
SC-88 封装现货型号与清单询价
围绕 SC-88 封装聚合公开现货和可询型号,方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 131 个公开可查询型号。
同封装核对
SC-88 同封装兼容说明
同封装只代表初筛入口,不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、官方资料链接和不可放宽条件放到同一张备注清单里。
核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。
电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。
以官方 PDF 和修订版本为准,页面资料只作为采购初筛入口。
同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。
把不能替代的参数写入清单备注,减少业务和工程反复确认。
购物路径
SC-88 封装购物路径
把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作,适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。
进入实时筛选
按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。
保留候选型号
把优先样本带入对比或清单,避免从搜索入口反复重新查找。
统一核价
业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。
资料复核
采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。
LMBT5401DW1T1G
LRC(乐山无线电)
LMBT5401DW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SC-88封装,266,400件现货,特性:产品材料符合RoHS要求。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力LMBT5541DW1T1G
LRC(乐山无线电)
LMBT5541DW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SC-88封装,235,224件现货,特性:产品材料符合ROHS标准且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;通过了AEC-Q101认证且具备PPAP能力。NTJD4001NT1G
onsemi(安森美)
NTJD4001NT1G,onsemi(安森美),现货库存,SOT-363封装,216,000件现货LMUN5114DW1T1G
LRC(乐山无线电)
LMUN5114DW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-88封装,194,400件现货,BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中,消除了这些组LMBT5551DW1T1G
LRC(乐山无线电)
LMBT5551DW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SC-88封装,146,400件现货,特性:产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力NLASB3157DFT2G
onsemi(安森美)
NLASB3157DFT2G,onsemi(安森美),通信接口芯片 / 模拟开关/多路复用器,SOT-363封装,99,898件现货,NLASB3157 是一种先进的 CMOS 模拟开关,采用硅栅 CMOS 技术制造。它实现了非常低的传播延迟和导通电阻,同时保持了 CMOS 的低功耗特性。该设备是 NC7SB3157 的替代品。NL17SZS11DFT2G-Q
onsemi(安森美)
NL17SZS11DFT2G-Q,onsemi(安森美),逻辑器件 / 逻辑门,SC-88封装,询盘确认库存,是一款采用小尺寸封装的单三输入与门,带有施密特触发器输入。NL27WZ06DFT2G
onsemi(安森美)
NL27WZ06DFT2G,onsemi(安森美),逻辑器件 / 反相器,SC-88封装,询盘确认库存,NL27WZ06 是高性能双逆变器,其开漏输出采用 1.65 V 到 5.5 V 电源供电。该内部电路由多级组成,包括一个开漏输出,可提供设置输出开关电平的功能。 这就使 NL27WZ06 能够用于通过外部电阻和电源将 1.65 至 5.5 V的电路联接至NLV28WZU04DFT2G
onsemi(安森美)
NLV28WZU04DFT2G,onsemi(安森美),逻辑器件 / 反相器,SC-88封装,询盘确认库存,单路施密特触发反相器NSVMUN5316DW1T1G
onsemi(安森美)
NSVMUN5316DW1T1G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-88封装,询盘确认库存,NSVMUN5316DW1T1GSMUN5237DW1T1G
onsemi(安森美)
SMUN5237DW1T1G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-88封装,询盘确认库存,SMUN5237DW1T1GSMUN5315DW1T1G
onsemi(安森美)
SMUN5315DW1T1G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-88封装,询盘确认库存,SMUN5315DW1T1GNLHV4157NDFT2G
onsemi(安森美)
NLHV4157NDFT2G,onsemi(安森美),通信接口芯片 / 模拟开关/多路复用器,SC-88封装,询盘确认库存,NLHV4157N 是一款先进的 CMOS 模拟开关,采用硅门极 CMOS 工艺制造。此器件传递可能会在整个电源范围(从 VEE 到 GND)范围内变化的模拟和数字负电压。SMF05CT2G
onsemi(安森美)
SMF05CT2G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SC-88封装,询盘确认库存,SMF05CT2GL2N7002DW1T1G
LRC(乐山无线电)
L2N7002DW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SC-88封装,询盘确认库存,N沟道,60V,115mALMBT3904DW1T1G
LRC(乐山无线电)
LMBT3904DW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SC-88封装,询盘确认库存,特性:产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且可提供生产件批准程序文件。 低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)) ≤ 0.4V。 简化电路设计。 减LMUN5111DW1T1G
LRC(乐山无线电)
LMUN5111DW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-88封装,询盘确认库存,LMUN5111DW1T1GS-LMUN5335DW1T1G
LRC(乐山无线电)
S-LMUN5335DW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-88封装,询盘确认库存,S-LMUN5335DW1T1GLMBT3946DW1T1G
LRC(乐山无线电)
LMBT3946DW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SC-88封装,询盘确认库存,特性:产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用;通过AEC-Q101认证并具备PPAP能力。 低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)) ≤ 0.4V。 简化电路设计。 减少电路LESDA6V1W6T1G
LRC(乐山无线电)
LESDA6V1W6T1G,LRC(乐山无线电),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SC-88封装,询盘确认库存,LESDA6V1W6T1G 是一款单片式抑制器,旨在保护连接到数据和传输线路的组件免受静电放电(ESD)影响。对于正瞬变,该器件将电压钳位在逻辑电平电源略上方;对于负瞬变,将电压钳位至低于地电位一个二极管压降的位置。LBSS138DW1T1G
LRC(乐山无线电)
LBSS138DW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SC-88封装,询盘确认库存,特性:产品材料符合 RoHS 要求且无卤。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 通过 AEC-Q101 认证且具备 PPAP 能力。 低阈值电压(VGS(th):0.5V...1.5V),适用于低电压LBC847BDW1T1G
LRC(乐山无线电)
LBC847BDW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SC-88封装,询盘确认库存,特性:产品材料符合RoHS标准且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 通过AEC-Q101认证并具备PPAP能力LBSS8402DW1T1G
LRC(乐山无线电)
LBSS8402DW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SC-88封装,询盘确认库存,特性:产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序(PPAP)能力74LVC1T45GW,125
Nexperia(安世)
74LVC1T45GW,125,Nexperia(安世),逻辑器件 / 转换器/电平移位器,SC-88封装,询盘确认库存,74LVC1T45、74LVCH1T45 是单比特、双电源收发器,具有三态输出,可实现双向电平转换。它们有两个 1 比特输入输出端口(A 和 B)、一个方向控制输入(DIR)和双电源引脚(VCC(A) 和 VCC(B))。VCC(A) 和LBSS139DW1T1G
LRC(乐山无线电)
LBSS139DW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SC-88封装,询盘确认库存,特性:产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用。 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件。 低阈值电压(VGS(th):0.5V...1.5V),适用于L2N7002KDW1T1G
LRC(乐山无线电)
L2N7002KDW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SC-88封装,询盘确认库存,特性:产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用;通过AEC-Q101认证并具备PPAP能力。 具备ESD保护UMD5NTR
ROHM(罗姆)
UMD5NTR,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-88封装,询盘确认库存,NPN + PNP复合数字晶体管L2N7002SDW1T1G
LRC(乐山无线电)
L2N7002SDW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SC-88封装,询盘确认库存,特性:产品材料符合RoHS要求且无卤。S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。ESD保护。低导通电阻(RDS(on))。应用:低端负载开关。电平NC7SP58P6X
onsemi(安森美)
NC7SP58P6X,onsemi(安森美),逻辑器件 / 逻辑门,SC-88封装,询盘确认库存,NC7SP58P6XLMBT2907ADW1T1G
LRC(乐山无线电)
LMBT2907ADW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SC-88封装,询盘确认库存,特性:产品材料符合RoHS要求。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;AFC-0101合格且具备PRAP能力LMUN5216DW1T1G
LRC(乐山无线电)
LMUN5216DW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-88封装,询盘确认库存,BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了这些组件。两个LMUN5331DW1T1G
LRC(乐山无线电)
LMUN5331DW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-88封装,询盘确认库存,LMUN5331DW1T1GLSI1012DW1T1G
LRC(乐山无线电)
LSI1012DW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SC-88封装,询盘确认库存,1个N沟道 耐压:20V 电流:900mANLAS4157DFT2G
onsemi(安森美)
NLAS4157DFT2G,onsemi(安森美),通信接口芯片 / 模拟开关/多路复用器,SC-88封装,询盘确认库存,低导通电阻单刀双掷模拟开关,适用于手机应用中的扬声器输出切换。SMF15CT1G
onsemi(安森美)
SMF15CT1G,onsemi(安森美),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SC-88封装,询盘确认库存,这款 5 线路浪涌保护阵列专为需要瞬态电压保护功能的应用而设计。适用于过瞬态电压和静电放电(ESD)敏感设备,如计算机、打印机、汽车电子、网络通信等应用场景。该器件采用单片共阳极设计,可在单个 SC - 88 封装中保护五LMUN5232DW1T1G
LRC(乐山无线电)
LMUN5232DW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-88封装,询盘确认库存,BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了这些组件。两个RB531XNTR
ROHM(罗姆)
RB531XNTR,ROHM(罗姆),二极管 / 肖特基二极管,SC-88封装,询盘确认库存,特性:高可靠性。 小型封装。 极低正向压降(VF)。应用:小电流整流74LVCH1T45GW,125
Nexperia(安世)
74LVCH1T45GW,125,Nexperia(安世),逻辑器件 / 转换器/电平移位器,SC-88封装,询盘确认库存,74LVC1T45、74LVCH1T45 是单比特、双电源收发器,具有三态输出,可实现双向电平转换。它们有两个 1 比特输入输出端口(A 和 B)、一个方向控制输入(DIR)和双电源引脚(VCC(A) 和 VCC(B))。VCC(A)NL7SZ58DFT2G
onsemi(安森美)
NL7SZ58DFT2G,onsemi(安森美),逻辑器件 / 逻辑门,SC-88封装,询盘确认库存,NL7SZ58是一款先进的高速CMOS多功能门电路。该器件允许用户选择与、或、与非、或非、异或、反相和缓冲等逻辑功能。LBAT54TW1T1G
LRC(乐山无线电)
LBAT54TW1T1G,LRC(乐山无线电),二极管 / 肖特基二极管,SC-88封装,询盘确认库存,特性:极快的开关速度。 低正向电压:0.35V(典型值),I/O = 10mA。 产品材料符合 RoHS 要求且无卤。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 通过 AEC-Q101 认证并具备 PPAP 能力LBSS260DW1T1G
LRC(乐山无线电)
LBSS260DW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SC-88封装,询盘确认库存,特性:高速开关。 ESD保护。 产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 通过AEC-Q101认证并具备PPAP能力。应用:便携式电器。 负载开关电器MBD770DWT1G
onsemi(安森美)
MBD770DWT1G,onsemi(安森美),二极管 / 肖特基二极管,SC-88封装,询盘确认库存,这些肖特基势垒二极管专为高速开关应用、电路保护和电压钳位而设计。极低的正向电压可降低传导损耗。微型表面贴装封装非常适合空间有限的手持和便携式应用。74LVC1T45GW,125-JSM
JSMSEMI(杰盛微)
74LVC1T45GW,125-JSM,JSMSEMI(杰盛微),逻辑器件 / 转换器/电平移位器,SC-88封装,询盘确认库存,数据速率:420Mbps 工作电压(VCCA):1.2V~5.5V 工作电压(VCCB):1.2V~5.5V 元件数:1 每个电路通道数:174LVC1G19GW,125
Nexperia(安世)
74LVC1G19GW,125,Nexperia(安世),逻辑器件 / 信号开关/编解码器/多路复用器,SC-88封装,询盘确认库存,74LVC1G19是一款带公共输出使能的2选1译码器/多路分配器。当使能(E)输入信号为低电平时,该器件对输入A的数据进行缓冲,并将其传输至输出1Y(原码)和2Y(反码)。当E为高电平时,两个输出均呈高电平状态LMUN5235DW1T1G
LRC(乐山无线电)
LMUN5235DW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-88封装,询盘确认库存,BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了这些组件。两个LBSS84DW1T1G
LRC(乐山无线电)
LBSS84DW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SC-88封装,询盘确认库存,P沟道 -50V -130mALMUN5113DW1T1G
LRC(乐山无线电)
LMUN5113DW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-88封装,询盘确认库存,特性:简化电路设计。减少电路板空间。减少元件数量。提供8mm、7英寸/3000单位卷带包装。产品材料符合RoHS要求且无卤素。S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力NUP4202W1T2G
onsemi(安森美)
NUP4202W1T2G,onsemi(安森美),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SC-88封装,询盘确认库存,NUP4202W1浪涌保护器件旨在保护高速数据线免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷击的影响。全新的NUP4202W1是一款低电容浪涌保护二极管阵列,用于保护通信系统、计算机及计算机外设等敏感电子设备,LBAV70DW1T1G
LRC(乐山无线电)
LBAV70DW1T1G,LRC(乐山无线电),二极管 / 开关二极管,SC-88封装,询盘确认库存,特性:产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 通过AEC-Q101认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力LMUN5233DW1T1G
LRC(乐山无线电)
LMUN5233DW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-88封装,询盘确认库存,BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了这些组件。两个NLV27WZ04DFT2G
onsemi(安森美)
NLV27WZ04DFT2G,onsemi(安森美),逻辑器件 / 反相器,SC-88封装,询盘确认库存,NL27WZ04是一款高性能双反相器,工作电源电压范围为1.65至5.5 V。LRC099-04BT1G
LRC(乐山无线电)
LRC099-04BT1G,LRC(乐山无线电),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SC-88封装,询盘确认库存,LRC099-04BT1G是一款四通道超低电容轨钳位ESD保护二极管阵列。每个通道由一对ESD二极管组成,可将正或负ESD电流导向正或负轨。在正负电源轨之间的阵列中集成了一个齐纳二极管。在典型应用中,负轨引脚(指定为FDG6324L
onsemi(安森美)
FDG6324L,onsemi(安森美),电源与功率 / 功率电子开关,SC-88封装,询盘确认库存,FDG6324LLBC846BDW1T1G
LRC(乐山无线电)
LBC846BDW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SC-88封装,询盘确认库存,特性:产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力S-LMUN5211DW1T1G
LRC(乐山无线电)
S-LMUN5211DW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-88封装,询盘确认库存,BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了这些组件。LMUN5213DW1T1G
LRC(乐山无线电)
LMUN5213DW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-88封装,询盘确认库存,特性:简化电路设计。 减少电路板空间。 减少元件数量。 产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力S-LBC846BDW1T1G
LRC(乐山无线电)
S-LBC846BDW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SC-88封装,询盘确认库存,特性:产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;通过AEC-Q101认证并具备生产件批准程序(PPAP)能力UMX5NTR
ROHM(罗姆)
UMX5NTR,ROHM(罗姆),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SC-88封装,询盘确认库存,特性:两个2SC3838K芯片封装在EMT、UMT或SMT中。 高过渡频率:fr = 3.2 GHz。 低输出电容:Cob = 0.9 pFSMUN5335DW1T1G
onsemi(安森美)
SMUN5335DW1T1G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-88封装,询盘确认库存,这一系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管;一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中,消除了这些NUP2202W1T2G
onsemi(安森美)
NUP2202W1T2G,onsemi(安森美),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SC-88封装,询盘确认库存,VBR=6V,Vc=20V,Ipp=28ANLV27WZ07DFT2G
onsemi(安森美)
NLV27WZ07DFT2G,onsemi(安森美),逻辑器件 / 缓冲器/驱动器/收发器,SC-88封装,询盘确认库存,NL27WZ07是一款高性能双缓冲器,具有漏极开路输出,工作电源电压范围为1.65至5.5 V。S-LMBT5551DW1T1G
LRC(乐山无线电)
S-LMBT5551DW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SC-88封装,询盘确认库存,特性:产品材料符合RoHS要求。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力LMUN5215DW1T1G
LRC(乐山无线电)
LMUN5215DW1T1G,LRC(乐山无线电),三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管,SC-88封装,询盘确认库存,BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了这些组件。两个NUF2221W1T2G
onsemi(安森美)
NUF2221W1T2G,onsemi(安森美),磁珠/滤波器/EMI优化 / EMI滤波器(RC,LC网络),SC-88封装,询盘确认库存,该器件专为需要线路端接、电磁干扰(EMI)滤波和静电放电(ESD)保护的应用而设计。它适用于上行USB端口、手机、无线设备和计算机应用NL27WZ16DFT2G-Q
onsemi(安森美)
NL27WZ16DFT2G-Q,onsemi(安森美),逻辑器件 / 缓冲器/驱动器/收发器,SC-88封装,询盘确认库存,NL27WZ16DFT2G-QNCS2561SQT1G
onsemi(安森美)
NCS2561SQT1G,onsemi(安森美),运算放大器/比较器 / 视频放大器,SC-88封装,询盘确认库存,是一款单通道高速视频驱动器,包括一个2极重建滤波器和SAG校正功能。采用节省空间的SC-88封装,针对低电压、便携式应用进行了优化。设计用于与大多数视频处理器中嵌入的数模转换器(DAC)兼容。内部集成了一个8 MHz的2极视频DAC重建滤波器,NLV27WZ17DFT2G
onsemi(安森美)
NLV27WZ17DFT2G,onsemi(安森美),逻辑器件 / 缓冲器/驱动器/收发器,SC-88封装,询盘确认库存,NL27WZ17是一款高性能双缓冲器,带有施密特触发器输入,工作电源电压范围为1.65至5.5 V。BC846SZ
Nexperia(安世)
BC846SZ,Nexperia(安世),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SC-88封装,询盘确认库存,采用超小型SOT363(SC - 88)塑料六引脚封装的NPN双晶体管。NL27WZ14DFT2G-Q
onsemi(安森美)
NL27WZ14DFT2G-Q,onsemi(安森美),逻辑器件 / 反相器,SC-88封装,询盘确认库存,NL27WZ14DFT2G-QSSM6N15AFU,LF
TOSHIBA(东芝)
SSM6N15AFU,LF,TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SC-88封装,询盘确认库存,特性:2.5V驱动。 N沟道2合1。 低导通电阻:RDS(ON) = 3.6Ω(最大值)(@VGS = 4.0V);RDS(ON) = 6.0Ω(最大值)(@VGS = 2.5V)。应用:负载开关应用SZESD1L001W1T2G
onsemi(安森美)
SZESD1L001W1T2G,onsemi(安森美),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SC-88封装,询盘确认库存,ESD1L001浪涌保护器旨在保护四条高速数据线免受静电放电(ESD)影响。超低电容和低ESD钳位电压使该器件成为保护电压敏感型高速数据线的理想解决方案。小尺寸、直插式封装便于进行PCB布局,并能实现匹配的走线SZSMF12CT1G
onsemi(安森美)
SZSMF12CT1G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SC-88封装,询盘确认库存,这款五线浪涌保护阵列专为需要瞬态电压保护功能的应用而设计。适用于过瞬态电压和静电放电(ESD)敏感设备,如计算机、打印机、汽车电子、网络通信及其他应用。该器件采用单片共阳极设计,可在单个SC - 88封装中保护五条独立BC846SF
Nexperia(安世)
BC846SF,Nexperia(安世),三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT),SC-88封装,询盘确认库存,采用超小型SOT363(SC - 88)塑料六引脚封装的NPN双晶体管。NUP2301MW6T1G
onsemi(安森美)
NUP2301MW6T1G,onsemi(安森美),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SC-88封装,询盘确认库存,NUP2301MW6T1G是一款微型集成器件,旨在保护敏感元件免受可能有害的电瞬变影响,例如静电放电(ESD)。NLV27WZ14DFT2G
onsemi(安森美)
NLV27WZ14DFT2G,onsemi(安森美),逻辑器件 / 反相器,SC-88封装,询盘确认库存,是一款高性能双反相器,具有施密特触发输入,工作电源电压范围为 1.65 至 5.5V。SZNUP2301MW6T1G
onsemi(安森美)
SZNUP2301MW6T1G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SC-88封装,询盘确认库存,NUP2301MW6 是一种微集成器件,设计用于为敏感部件提供保护,使其免受 ESD 等可能的有害电瞬变的影响。74AVCH1T45GW,125
Nexperia(安世)
74AVCH1T45GW,125,Nexperia(安世),逻辑器件 / 转换器/电平移位器,SC-88封装,询盘确认库存,74AVCH1T45 是一款单比特双电源收发器,可实现双向电平转换。74AVCH1T45 具备有源总线保持电路,用于将未使用或浮空的数据输入保持在有效的逻辑电平。这一特性无需使用外部上拉或下拉电阻NC7WZU04AP6X
onsemi(安森美)
NC7WZU04AP6X,onsemi(安森美),逻辑器件 / 反相器,SC-88封装,询盘确认库存,是一款双无缓冲反相器,采用节省空间的SC-88 6引脚封装。特殊用途的无缓冲电路设计,适用于晶体振荡器或模拟应用。内部电路仅由一级输出组成,允许该器件用于这些振荡器或模拟应用。采用先进的CMOS技术制造,可实现超高速和高输出驱动能力,同时在非常宽的VCC工作NLAS4599DFT2G
onsemi(安森美)
NLAS4599DFT2G,onsemi(安森美),通信接口芯片 / 模拟开关/多路复用器,SC-88封装,询盘确认库存,该芯片是一种先进的高速CMOS单极双掷模拟开关,具有高传输速度和低导通电阻。适用于模拟和数字电压控制。SMF12CT1G
onsemi(安森美)
SMF12CT1G,onsemi(安森美),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SC-88封装,询盘确认库存,这款五线浪涌保护阵列专为需要瞬态电压保护功能的应用而设计。它适用于过瞬态电压和静电放电敏感设备,如计算机、打印机、汽车电子、网络通信及其他应用。该器件采用单片共阳极设计,能在单个SC - 88封装中保护五条独立线路。封装选购
SC-88 封装选购常见问题
SC-88 封装在华芯购有多少可查询型号?
当前 SC-88 封装页收录 131 个公开可查询型号,本页优先展示 6 个现货样本。
筛选 SC-88 封装型号时还要核对什么?
除封装外,还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。
SC-88 封装找不到完全一致型号怎么办?
可以从 LRC(乐山无线电)、onsemi(安森美)、Nexperia(安世)、ROHM(罗姆)、JSMSEMI(杰盛微) 或 三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)、现货库存、三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管、通信接口芯片 > 模拟开关/多路复用器 继续筛选,也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围,由业务按同封装和关键参数协助确认。


