封装现货

SC-59 封装现货型号与清单询价

围绕 SC-59 封装聚合公开现货和可询型号，方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 239 个公开可查询型号。

进入实时筛选候选转清单对比前 5 个查看现货
239匹配型号 6常见品牌 8相关分类
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onsemi(安森美)38DIODES(美台)20TOSHIBA(东芝)12SHIKUES(时科)6ROHM(罗姆)3Infineon(英飞凌)1
按分类继续
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管37传感器 > 霍尔开关17二极管 > 开关二极管6三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)5三极管/MOS管/晶体管 > 结型场效应管(JFET)4二极管 > 肖特基二极管3传感器 > 线性霍尔传感器2三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)2
常用动作
批量转清单实时筛选候选对比
封装核对SC-59 只代表封装识别入口，正式采购前仍需确认完整 MPN、引脚数、温度等级、包装、批号和制造商资料。

同封装核对

SC-59 同封装兼容说明

同封装只代表初筛入口，不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、官方资料链接和不可放宽条件放到同一张备注清单里。

同封装对比 候选转清单 查看现货
完整MPN

先用原型号和候选型号做一对一比对，避免只拿封装名替代完整型号。

引脚/尺寸

核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。

关键参数

电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。

制造商PDF

以官方 PDF 和修订版本为准，页面资料只作为采购初筛入口。

数量交期

同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。

不可放宽

把不能替代的参数写入清单备注，减少业务和工程反复确认。

样本候选
AH1911-W-7DIODES(美台) · SC-59转清单AH1913-W-7DIODES(美台) · SC-59转清单M1MA152WKT1Gonsemi(安森美) · SC-59转清单

购物路径

SC-59 封装购物路径

把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作，适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。

品牌onsemi(安森美) / DIODES(美台) / TOSHIBA(东芝) / SHIKUES(时科) 封装SC-59
01

进入实时筛选

按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。

02

保留候选型号

把优先样本带入对比或清单，避免从搜索入口反复重新查找。

03

统一核价

业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。

04

资料复核

采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。

进入实时筛选 对比前 4 个 候选转清单 提交SC-59 封装需求
型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价

AH1911-W-7

DIODES(美台)

AH1911-W-7，DIODES(美台)，传感器 / 霍尔开关，SC-59封装，90,000件现货，AH1911/AH1921是一款超低功耗数字全极霍尔效应开关IC。得益于休眠时钟系统，在3V电压下，其平均供电电流仅为1.6μA，这使得AH1911/AH1921非常适合用于电池供电的消费产品、燃气表或水表、烟雾探测器以及物联网设备。更宽的供电电压范围（1.
传感器 > 霍尔开关
SC-59
90,000
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AH1913-W-7

DIODES(美台)

AH1913-W-7，DIODES(美台)，传感器 / 霍尔开关，SC-59封装，45,000件现货，霍尔效应开关
传感器 > 霍尔开关
SC-59
45,000
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M1MA152WKT1G

onsemi(安森美)

M1MA152WKT1G，onsemi(安森美)，二极管 / 开关二极管，SC-59封装，询盘确认库存，此共阳极开关二极管适用于超高速开关应用。此器件采用 SC-59 封装，适合低功率表面贴装应用。
二极管 > 开关二极管
SC-59
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SMUN2111T1G

onsemi(安森美)

SMUN2111T1G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
SC-59
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SMUN2211T1G

onsemi(安森美)

SMUN2211T1G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，SMUN2211T1G
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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SMUN2213T1G

onsemi(安森美)

SMUN2213T1G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，SMUN2213T1G
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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M1MA151WAT1G

onsemi(安森美)

M1MA151WAT1G，onsemi(安森美)，二极管 / 开关二极管，SC-59封装，询盘确认库存，此共阳极开关二极管适用于超高速开关应用。此器件采用 SC-59 封装，适合低功率表面贴装应用。
二极管 > 开关二极管
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M1MA151WKT1G

onsemi(安森美)

M1MA151WKT1G，onsemi(安森美)，二极管 / 开关二极管，SC-59封装，询盘确认库存，M1MA151WKT1G
二极管 > 开关二极管
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MUN2114T1G

onsemi(安森美)

MUN2114T1G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络：一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中，因此不再需要这些单独组件。
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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MUN2212T1G

onsemi(安森美)

MUN2212T1G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个单晶体管及两个电阻组成的单片偏置网络。串行基极电阻和基极-发射极电阻。该 BRT 无需这些独立组件，它们已集成到单个器件中。采用 BRT 既可以降低系统
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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MUN2233T1G

onsemi(安森美)

MUN2233T1G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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MUN2235T1G

onsemi(安森美)

MUN2235T1G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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SMUN2211T3G

onsemi(安森美)

SMUN2211T3G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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NSVMUN2112T1G

onsemi(安森美)

NSVMUN2112T1G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，NSVMUN2112T1G
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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SMUN2212T1G

onsemi(安森美)

SMUN2212T1G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，SMUN2212T1G
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MUN2214T3G

onsemi(安森美)

MUN2214T3G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，MUN2214T3G
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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SMUN2111T3G

onsemi(安森美)

SMUN2111T3G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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SMUN2214T3G

onsemi(安森美)

SMUN2214T3G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，SMUN2214T3G
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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MUN2115T1G

onsemi(安森美)

MUN2115T1G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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MUN2116T1G

onsemi(安森美)

MUN2116T1G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，此系列数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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MUN2130T1G

onsemi(安森美)

MUN2130T1G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，此系列数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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MUN2131T1G

onsemi(安森美)

MUN2131T1G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，MUN2131T1G
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MUN2132T1G

onsemi(安森美)

MUN2132T1G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络：一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中，因此不再需要这些单独组件。
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MUN2133T1G

onsemi(安森美)

MUN2133T1G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。
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MUN2134T1G

onsemi(安森美)

MUN2134T1G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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MUN2136T1G

onsemi(安森美)

MUN2136T1G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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MUN2137T1G

onsemi(安森美)

MUN2137T1G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，MUN2137T1G
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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MUN2140T1G

onsemi(安森美)

MUN2140T1G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，MUN2140T1G
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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MUN2213T1G

onsemi(安森美)

MUN2213T1G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中，消除了这些单独的组件。
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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MUN2231T1G

onsemi(安森美)

MUN2231T1G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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MUN2240T1G

onsemi(安森美)

MUN2240T1G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，MUN2240T1G
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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MUN2241T1G

onsemi(安森美)

MUN2241T1G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，MUN2241T1G
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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M1MA151KT1G

onsemi(安森美)

M1MA151KT1G，onsemi(安森美)，二极管 / 开关二极管，SC-59封装，询盘确认库存，M1MA151KT1G
二极管 > 开关二极管
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NSVMUN2212T1G

onsemi(安森美)

NSVMUN2212T1G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中，消除了这些组件。使
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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NSVMUN2233T1G

onsemi(安森美)

NSVMUN2233T1G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，NSVMUN2233T1G
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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SMUN2216T1G

onsemi(安森美)

SMUN2216T1G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，SMUN2216T1G
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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SMUN2240T1G

onsemi(安森美)

SMUN2240T1G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，SMUN2240T1G
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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SMUN2114T1G

onsemi(安森美)

SMUN2114T1G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管；一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中来消除它们。使用BRT可以
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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APX803L20-29W-7

DIODES(美台)

APX803L20-29W-7，DIODES(美台)，电源与功率 / 监控和复位芯片，SC-59封装，询盘确认库存，APX803L20-29W-7
电源管理 > 监控和复位芯片
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AH1921-W-7

DIODES(美台)

AH1921-W-7，DIODES(美台)，传感器 / 霍尔开关，SC-59封装，询盘确认库存，AH1911/AH1921是一款超低功耗数字全极霍尔效应开关IC。得益于休眠时钟系统，在3V电压下，其平均供电电流仅为1.6μA，这使得AH1911/AH1921非常适合用于电池供电的消费产品、燃气表或水表、烟雾探测器以及物联网设备。更宽的供电电压范围（1.6V至
传感器 > 霍尔开关
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AH3372-W-7

DIODES(美台)

AH3372-W-7，DIODES(美台)，传感器 / 霍尔开关，SC-59封装，询盘确认库存，AH3372-W-7
传感器 > 霍尔开关
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AH3373-W-7

DIODES(美台)

AH3373-W-7，DIODES(美台)，传感器 / 霍尔开关，SC-59封装，询盘确认库存，AH3373-W-7
传感器 > 霍尔开关
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AH3376-W-7

DIODES(美台)

AH3376-W-7，DIODES(美台)，传感器 / 霍尔开关，SC-59封装，询盘确认库存，AH3376-W-7
传感器 > 霍尔开关
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AH3377-W-7

DIODES(美台)

AH3377-W-7，DIODES(美台)，传感器 / 霍尔开关，SC-59封装，询盘确认库存，AH3377是一款高压、高灵敏度霍尔效应单极开关IC，专为工业和消费类家用电器及个人护理应用中的接近、位置和液位感应而设计。为满足各种严苛应用的需求，该设计经过优化，可在3.0V至28V的电源电压范围内工作。AH3377采用斩波稳定架构和内部带隙稳压器，为内部电路
传感器 > 霍尔开关
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AH3382-W-7

DIODES(美台)

AH3382-W-7，DIODES(美台)，传感器 / 霍尔开关，SC-59封装，询盘确认库存，AH3382-W-7
传感器 > 霍尔开关
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AH9251-W-7

DIODES(美台)

AH9251-W-7，DIODES(美台)，传感器 / 霍尔开关，SC-59封装，询盘确认库存，霍尔效应开关
传感器 > 霍尔开关
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1SS351-TB-E

onsemi(安森美)

1SS351-TB-E，onsemi(安森美)，射频芯片/天线 / 射频开关，SC-59封装，询盘确认库存，1SS351 是一款肖特基势垒二极管，5V，30mA，0.69pF，双 CP，用于 UHF 检测器、混频器应用。
射频芯片/天线 > 射频开关
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AH3270Q-W-7

DIODES(美台)

AH3270Q-W-7，DIODES(美台)，传感器 / 霍尔开关，SC-59封装，询盘确认库存，AH3270Q-W-7
传感器 > 霍尔开关
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AH3367Q-W-7

DIODES(美台)

AH3367Q-W-7，DIODES(美台)，传感器 / 霍尔开关，SC-59封装，询盘确认库存，AH3367Q-W-7
传感器 > 霍尔开关
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AH372-W-7

DIODES(美台)

AH372-W-7，DIODES(美台)，传感器 / 霍尔开关，SC-59封装，询盘确认库存，AH372-W-7
传感器 > 霍尔开关
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AH374-W-7

DIODES(美台)

AH374-W-7，DIODES(美台)，传感器 / 霍尔开关，SC-59封装，询盘确认库存，磁性传感器
传感器 > 霍尔开关
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AH3762Q-W-7

DIODES(美台)

AH3762Q-W-7，DIODES(美台)，传感器 / 线性霍尔传感器，SC-59封装，询盘确认库存，AH3762Q-W-7
传感器 > 线性霍尔传感器
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AH3764Q-W-7

DIODES(美台)

AH3764Q-W-7，DIODES(美台)，传感器 / 线性霍尔传感器，SC-59封装，询盘确认库存，霍尔效应锁存
传感器 > 线性霍尔传感器
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DTA123JKAT146

ROHM(罗姆)

DTA123JKAT146，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，DTA123JKAT146
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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RN1426(TE85L,F)

TOSHIBA(东芝)

RN1426(TE85L,F)，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，适用于开关、逆变器电路、接口电路和驱动电路应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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MUN2211T3G

onsemi(安森美)

MUN2211T3G，onsemi(安森美)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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DTC143TKAT146

ROHM(罗姆)

DTC143TKAT146，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，特性：内置偏置电阻。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，且能完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件，使电路设计变得简单。 互补PNP类型。 符合无铅/RoHS标准
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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DTC144TKAT146

ROHM(罗姆)

DTC144TKAT146，ROHM(罗姆)，三极管/MOS管/晶体管 / 数字晶体管，SC-59封装，询盘确认库存，特性：内置偏置电阻。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成，允许输入负偏置，还能完全消除寄生效应。 仅需设置开/关条件即可操作，使电路设计变得容易。 无铅/符合RoHS标准。应用：开关电
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
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SK3401

SHIKUES(时科)

SK3401，SHIKUES(时科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，SC-59封装，询盘确认库存，原厂变更型号，性能完全一致。对应老型号为：AO3401
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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1SS396(TE85L,F)

TOSHIBA(东芝)

1SS396(TE85L,F)，TOSHIBA(东芝)，二极管 / 肖特基二极管，SC-59封装，询盘确认库存，特性：小封装：SC-59。 低正向电压：VF(3) = 0.54V（典型值）。 低反向电流：IF = 5μA（最大值）
二极管 > 肖特基二极管
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1SS181,LF

TOSHIBA(东芝)

1SS181,LF，TOSHIBA(东芝)，二极管 / 开关二极管，SC-59封装，询盘确认库存，特性：AEC-Q101合格。 小封装：SC-59。 低正向电压：VF(3) = 0.92V（典型值）。 快速反向恢复时间：trr = 1.6ns（典型值）。 小总电容：CT = 2.2pF（典型值）
二极管 > 开关二极管
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AH1803-WG-7

DIODES(美台)

AH1803-WG-7，DIODES(美台)，传感器 / 霍尔开关，SC-59封装，询盘确认库存，AH1803包含两个霍尔效应板和一个CMOS输出驱动器。该器件主要为电池供电的手持设备（如手机、无绳电话、个人数字助理）而设计。在3V电源供电时，总工作功耗低至24pW
传感器 > 霍尔开关
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AH3782-W-7

DIODES(美台)

AH3782-W-7，DIODES(美台)，传感器 / 霍尔开关，SC-59封装，询盘确认库存，板机接口霍耳效应
传感器 > 霍尔开关
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1SS193(TE85L,F)

TOSHIBA(东芝)

1SS193(TE85L,F)，TOSHIBA(东芝)，二极管 / 开关二极管，SC-59封装，询盘确认库存，特性：AEC-Q101合格。 小封装：SC-59。 低正向电压VF(3) = 0.9V（典型值）。 快速反向恢复时间：trF = 1.6ns（典型值）。 小总电容Cr = 0.9pF（典型值）
二极管 > 开关二极管
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AP2331W-7

DIODES(美台)

AP2331W-7，DIODES(美台)，电源与功率 / 功率电子开关，SC-59封装，询盘确认库存，AP2331是一款单通道限流集成高端功率开关，专为热插拔应用而优化。该器件具有快速的短路响应时间，可提高整个系统的稳健性，并为承受重容性负载和可能发生短路的应用提供全面的保护解决方案。它具备反向电流阻断、过流、过温和短路保护功能，以及可控的上升时间和欠压锁定
电源管理 > 功率电子开关
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2SK209-BL(TE85L,F)

TOSHIBA(东芝)

2SK209-BL(TE85L,F)，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 结型场效应管(JFET)，SC-59封装，询盘确认库存，特性：高正向传输导纳：|Yfs| = 15 mS（典型值），VDS = 10 V，VGS = 0。 高击穿电压：VGD_S =-30 V。 低噪声：NF = 1.0 dB（典型值），VDS = 10 V，ID =
三极管/MOS管/晶体管 > 结型场效应管(JFET)
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SK3424

SHIKUES(时科)

SK3424，SHIKUES(时科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，SC-59封装，询盘确认库存，原厂变更型号，性能完全一致。对应老型号为：AO3424
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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2SK209-GR(TE85L,F)

TOSHIBA(东芝)

2SK209-GR(TE85L,F)，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 结型场效应管(JFET)，SC-59封装，询盘确认库存，N沟道,10V,0.014A,150mW
三极管/MOS管/晶体管 > 结型场效应管(JFET)
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2SK208-Y(TE85L,F)

TOSHIBA(东芝)

2SK208-Y(TE85L,F)，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 结型场效应管(JFET)，SC-59封装，询盘确认库存，通用、阻抗转换器和电容式麦克风应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 结型场效应管(JFET)
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SK302P

SHIKUES(时科)

SK302P，SHIKUES(时科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，SC-59封装，询盘确认库存，原厂变更型号，性能完全一致。对应老型号为：FDN302P
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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2SA1163-BL,LF

TOSHIBA(东芝)

2SA1163-BL,LF，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，SC-59封装，询盘确认库存，特性：AEC-Q101合格。高电压：VCEO = -120V。出色的hFE线性度：hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95（典型值）。高hFE：200至700。低噪声：NF = 1dB（
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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AH1912-W-7

DIODES(美台)

AH1912-W-7，DIODES(美台)，传感器 / 霍尔开关，SC-59封装，询盘确认库存，AH1912是一款超低功耗数字全极霍尔效应开关IC。得益于休眠时钟系统，在3V电压下，其平均供电电流仅为1.6μA，这使得AH1912非常适合用于电池供电的消费产品、燃气或水表、烟雾探测器和物联网设备。更宽的供电电压范围（1.6V至5.5V）可延长电池工作时间，并
传感器 > 霍尔开关
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SK6206P332MR

SHIKUES(时科)

SK6206P332MR，SHIKUES(时科)，电源与功率 / 线性稳压器(LDO)，SC-59封装，询盘确认库存，SK6206系列是采用CMOS和激光微调技术制造的精密、低功耗、高电压正电压稳压器。该系列能在极低的压降电压下提供大电流。SK6206由限流电路、驱动晶体管、精密参考电压源和误差校正电路组成
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
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TLE49063KHTSA1

Infineon(英飞凌)

TLE49063KHTSA1，Infineon(英飞凌)，传感器 / 霍尔开关，SC-59封装，询盘确认库存，霍尔效应开关
传感器 > 霍尔开关
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1SS321,LF

TOSHIBA(东芝)

1SS321,LF，TOSHIBA(东芝)，二极管 / 肖特基二极管，SC-59封装，询盘确认库存，特性：AEC-Q101认证。 低正向电压：VF(2) = 0.42V（典型值）。 低反向电流：IR = 500nA（最大值）。 小封装：SC-59
二极管 > 肖特基二极管
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1SS396,LF

TOSHIBA(东芝)

1SS396,LF，TOSHIBA(东芝)，二极管 / 肖特基二极管，SC-59封装，询盘确认库存，1SS396型硅外延肖特基势垒二极管，低压高速开关。
二极管 > 肖特基二极管
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SK2301A

SHIKUES(时科)

SK2301A，SHIKUES(时科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，SC-59封装，询盘确认库存，P沟道 -16V -3A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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SK2302A

SHIKUES(时科)

SK2302A，SHIKUES(时科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，SC-59封装，询盘确认库存，N沟道 20V 3.6A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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2SK208-GR(TE85L,F)

TOSHIBA(东芝)

2SK208-GR(TE85L,F)，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 结型场效应管(JFET)，SC-59封装，询盘确认库存，适用于通用和阻抗转换器以及电容式麦克风应用。
三极管/MOS管/晶体管 > 结型场效应管(JFET)
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2SA1312-BL(TE85L,F

TOSHIBA(东芝)

2SA1312-BL(TE85L,F，TOSHIBA(东芝)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，SC-59封装，询盘确认库存，PNP 电流:100mA 电压:120V 停产
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
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封装选购

SC-59 封装选购常见问题

SC-59 封装在华芯购有多少可查询型号？

当前 SC-59 封装页收录 239 个公开可查询型号，本页优先展示 2 个现货样本。

筛选 SC-59 封装型号时还要核对什么？

除封装外，还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。

SC-59 封装找不到完全一致型号怎么办？

可以从 DIODES(美台)、onsemi(安森美)、ROHM(罗姆)、TOSHIBA(东芝)、SHIKUES(时科) 或 传感器 > 霍尔开关、二极管 > 开关二极管、三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管、电源管理 > 监控和复位芯片 继续筛选，也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围，由业务按同封装和关键参数协助确认。