PACKAGE STOCK

PicoStar-3 封装现货型号与BOM询价

围绕 PicoStar-3 封装聚合公开现货和可询型号,方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 34 个公开可查询型号。

34匹配型号 1常见品牌 1相关分类
按品牌继续
TI(德州仪器)34
按分类继续
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)34
采购提示
封装核对PicoStar-3 只代表封装识别入口,正式采购前仍需确认完整 MPN、引脚数、温度等级、包装、批号和制造商资料。

PACKAGE COMPATIBILITY

PicoStar-3 同封装兼容核对台

同封装只代表初筛入口,不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、PDF 证据和不可放宽条件放到同一张核对表里。

完整MPN

先用原型号和候选型号做一对一比对,避免只拿封装名替代完整型号。

引脚/尺寸

核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。

关键参数

电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。

制造商PDF

以官方 PDF 和修订版本为准,页面资料只作为采购初筛入口。

数量交期

同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。

不可放宽

把不能替代的参数写入 BOM 备注,减少业务和工程反复确认。

PACKAGE DECISION

PicoStar-3 封装核对指南

把封装页从“型号列表”变成采购员可执行的筛选台:先统一封装写法,再按品牌、类目、库存和资料把候选缩小到可核价范围。

0 现货样本 / 34 个可查询型号
可合并检索写法
PICOSTAR-3PICOSTAR3
01

先识别封装写法

PicoStar-3 可能会和 PICOSTAR3 同时出现在资料或BOM里,先统一封装关键词再筛型号。

02

再核对品牌与类目

当前样本覆盖 TI(德州仪器),常见分类包括 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),避免只按封装忽略应用参数。

03

保留可替代候选

同封装型号可先暂存或对比,提交 BOM 时写明可接受品牌、参数范围和交期要求。

04

下单前复查资料

封装页是入口,最终仍需核对制造商 PDF、引脚数、尺寸图、批号、包装和检测资料。

RFQ HANDOFF

PicoStar-3 封装采购备注模板

把入口页里的候选型号、品牌封装、不可放宽参数和交付要求整理成可提交备注,方便业务继续确认库存、替代边界和报价。

带备注提交 BOM
采购入口:PicoStar-3 封装
候选型号:CSD13380F3 / CSD17382F4 / CSD23280F3 / CSD13383F4T / CSD17381F4T / CSD23381F4T
品牌/制造商范围:TI(德州仪器)
分类范围:三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
封装线索:PicoStar-3
需求数量:请按型号填写目标数量、阶梯数量或年用量
不可放宽参数:完整MPN、品牌/制造商、封装、引脚、电压、电流、温度等级、认证、替代边界
可接受替代范围:请填写可接受品牌、同封装候选、国产替代或指定不可替代
交付要求:批号、包装、交期、检测资料、含税报价、付款和交付条件
公开库存和价格仅用于采购初筛,最终以业务人员确认报价为准

SOURCING PATH

PicoStar-3 封装采购路径

把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作,适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。

品牌TI(德州仪器) 封装PicoStar-3
01

进入实时筛选

按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。

02

保留候选型号

把优先样本带入对比或 BOM,避免从搜索入口反复重新查找。

03

统一核价

业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。

04

资料复核

采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。

型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价

CSD13380F3

TI(德州仪器)

CSD13380F3,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD13380F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PicoStar-3
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CSD17382F4

TI(德州仪器)

CSD17382F4,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD17382F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、67mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PicoStar-3
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CSD23280F3

TI(德州仪器)

CSD23280F3,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD23280F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、116mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD13383F4T

TI(德州仪器)

CSD13383F4T,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD13383F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、44mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD17381F4T

TI(德州仪器)

CSD17381F4T,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD17381F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、117mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD23381F4T

TI(德州仪器)

CSD23381F4T,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD23381F4 采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、175mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD23382F4T

TI(德州仪器)

CSD23382F4T,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD23382F4 采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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TI(德州仪器)

CSD25480F3T,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD25480F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、159mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD25485F5T

TI(德州仪器)

CSD25485F5T,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD25485F5 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、42mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD17484F4

TI(德州仪器)

CSD17484F4,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD17484F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、128mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD17381F4

TI(德州仪器)

CSD17381F4,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD17381F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、117mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD13381F4T

TI(德州仪器)

CSD13381F4T,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD13381F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、180mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD25480F3

TI(德州仪器)

CSD25480F3,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD25480F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、159mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD13385F5

TI(德州仪器)

CSD13385F5,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD13385F5 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD23381F4

TI(德州仪器)

CSD23381F4,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD23381F4 采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、175mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PicoStar-3
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CSD17382F4T

TI(德州仪器)

CSD17382F4T,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD17382F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、67mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD25483F4

TI(德州仪器)

CSD25483F4,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD25483F4 采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、245mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD25485F5

TI(德州仪器)

CSD25485F5,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD25485F5 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、42mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD23382F4

TI(德州仪器)

CSD23382F4,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD23382F4 采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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CSD13380F3T

TI(德州仪器)

CSD13380F3T,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD13380F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PicoStar-3
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CSD17585F5

TI(德州仪器)

CSD17585F5,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD17585F5 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PicoStar-3
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CSD25481F4T

TI(德州仪器)

CSD25481F4T,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD25481F4 采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、105mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PicoStar-3
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CSD23280F3T

TI(德州仪器)

CSD23280F3T,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD23280F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、116mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PicoStar-3
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CSD23285F5

TI(德州仪器)

CSD23285F5,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD23285F5 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、35mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PicoStar-3
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CSD25484F4T

TI(德州仪器)

CSD25484F4T,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD25484F4 采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、109mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PicoStar-3
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CSD17483F4T

TI(德州仪器)

CSD17483F4T,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD17483F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、260mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PicoStar-3
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CSD15380F3T

TI(德州仪器)

CSD15380F3T,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD15380F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、1460mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PicoStar-3
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CSD17483F4

TI(德州仪器)

CSD17483F4,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD17483F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、260mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PicoStar-3
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CSD18541F5

TI(德州仪器)

CSD18541F5,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD18541F5 采用 1.5mm x 0.8mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、65mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PicoStar-3
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CSD23285F5T

TI(德州仪器)

CSD23285F5T,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD23285F5 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、35mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PicoStar-3
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CSD13385F5T

TI(德州仪器)

CSD13385F5T,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD13385F5 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PicoStar-3
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CSD17484F4T

TI(德州仪器)

CSD17484F4T,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD17484F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、128mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PicoStar-3
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CSD17585F5T

TI(德州仪器)

CSD17585F5T,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD17585F5 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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CSD25483F4T

TI(德州仪器)

CSD25483F4T,TI(德州仪器),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PicoStar-3封装,询盘确认库存,CSD25483F4 采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、245mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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PACKAGE FAQ

PicoStar-3 封装采购常见问题

PicoStar-3 封装在华芯购有多少可查询型号?

当前 PicoStar-3 封装页收录 34 个公开可查询型号,本页优先展示 近期可询样本。

筛选 PicoStar-3 封装型号时还要核对什么?

除封装外,还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。

PicoStar-3 封装找不到完全一致型号怎么办?

可以从 TI(德州仪器) 或 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 继续筛选,也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围,由业务按同封装和关键参数协助确认。