先用原型号和候选型号做一对一比对,避免只拿封装名替代完整型号。
PACKAGE STOCK
PDFN5X6-8L 封装现货型号与BOM询价
围绕 PDFN5X6-8L 封装聚合公开现货和可询型号,方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 43 个公开可查询型号。
PACKAGE COMPATIBILITY
PDFN5X6-8L 同封装兼容核对台
同封装只代表初筛入口,不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、PDF 证据和不可放宽条件放到同一张核对表里。
核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。
电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。
以官方 PDF 和修订版本为准,页面资料只作为采购初筛入口。
同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。
把不能替代的参数写入 BOM 备注,减少业务和工程反复确认。
PACKAGE DECISION
PDFN5X6-8L 封装核对指南
把封装页从“型号列表”变成采购员可执行的筛选台:先统一封装写法,再按品牌、类目、库存和资料把候选缩小到可核价范围。
先识别封装写法
PDFN5X6-8L 可能会和 PDFN5X68L 同时出现在资料或BOM里,先统一封装关键词再筛型号。
再核对品牌与类目
当前样本覆盖 MOT(仁懋)、Siliup(矽普)、ALLPOWER(铨力)、鑫飞宏,常见分类包括 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),避免只按封装忽略应用参数。
保留可替代候选
同封装型号可先暂存或对比,提交 BOM 时写明可接受品牌、参数范围和交期要求。
下单前复查资料
封装页是入口,最终仍需核对制造商 PDF、引脚数、尺寸图、批号、包装和检测资料。
采购入口:PDFN5X6-8L 封装 候选型号:AP3908GD / FH3080G / SP4011CNK / FH1904G / MOT6142G / PTN3080 品牌/制造商范围:MOT(仁懋) / Siliup(矽普) / ALLPOWER(铨力) / 鑫飞宏 / JJW(捷捷微) 分类范围:三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 封装线索:PDFN5X6-8L 需求数量:请按型号填写目标数量、阶梯数量或年用量 不可放宽参数:完整MPN、品牌/制造商、封装、引脚、电压、电流、温度等级、认证、替代边界 可接受替代范围:请填写可接受品牌、同封装候选、国产替代或指定不可替代 交付要求:批号、包装、交期、检测资料、含税报价、付款和交付条件 公开库存和价格仅用于采购初筛,最终以业务人员确认报价为准
SOURCING PATH
PDFN5X6-8L 封装采购路径
把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作,适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。
进入实时筛选
按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。
保留候选型号
把优先样本带入对比或 BOM,避免从搜索入口反复重新查找。
统一核价
业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。
资料复核
采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。
AP3908GD
ALLPOWER(铨力)
AP3908GD,ALLPOWER(铨力),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,特性:N沟道:VDD = 30V,ID = 36A,当VGS = 10V时,RDS(ON) < 13mΩ;当VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 19mΩ。 P沟道:VDD = -30V,ID = -25A,当VGFH3080G
鑫飞宏
FH3080G,鑫飞宏,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,1个N沟道 耐压:30V 电流:75ASP4011CNK
Siliup(矽普)
SP4011CNK,Siliup(矽普),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,N+P MOSFET产品,耐压:40V,电流:N 50A/P -27A, Rdson:N 10mR/P 15mRFH1904G
鑫飞宏
FH1904G,鑫飞宏,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,Type/N,VDS\n(MIN)V/40,ID\n25℃(A)/90,Vgs (±V)/20,ESD\nDiode//,4.5V(Typ)/3.4,2.5V(Typ)//MOT6142G
MOT(仁懋)
MOT6142G,MOT(仁懋),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,特性:先进沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 获得无铅产品认证。应用:PWM应用。 负载开关PTN3080
HT(金誉)
PTN3080,HT(金誉),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,特性:改进的dv/dt能力,高耐用性。 最高结温范围:150℃。应用:高端负载开关。 电池开关MOT3145G
MOT(仁懋)
MOT3145G,MOT(仁懋),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,特性:较低的RDS(ON)以最小化传导损耗。 可靠且耐用。 符合ROHS标准且无卤素。 经过100% UIS和Rg测试。应用:便携式设备和电池供电系统。 笔记本电脑的电源管理SP80N09GNK
Siliup(矽普)
SP80N09GNK,Siliup(矽普),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,中压SGT MOSFET产品,N沟道,耐压:80V,电流:60A,Rdson:8.5mRPGN04N060
HT(金誉)
PGN04N060,HT(金誉),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,特性:超低栅极电荷,降低驱动要求。 100%雪崩测试。应用:电池管理系统。 电机驱动器TPM0730N5X
晶扬电子
TPM0730N5X,晶扬电子,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,MOS管/PC/一体机@@P沟道增强型功率MOSFETSP80N09GHNK
Siliup(矽普)
SP80N09GHNK,Siliup(矽普),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,中压SGT MOSFET产品,N沟道,耐压:80V,电流:60A,Rdson:9mRMOT4160G
MOT(仁懋)
MOT4160G,MOT(仁懋),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,特性:高密度单元设计,实现超低导通电阻。 雪崩电压和电流特性完全表征。 稳定性和均匀性好,具有高抗雪崩能力。 出色的封装,利于散热。 采用特殊工艺技术,具备高静电放电能力。应用:负载开关。 硬开关和高频电路SP40N06GNK
Siliup(矽普)
SP40N06GNK,Siliup(矽普),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,低压SGT MOSFET产品,N沟道,耐压:40V,电流:40A,Rdson:6mRSDM51AG04KV
SINEDEVICE(宇宏微)
SDM51AG04KV,SINEDEVICE(宇宏微),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,特性:低导通电阻(RDS(ON))。 低栅极电荷。 高电流能力。 绿色产品(符合RoHS标准),无铅。 100%进行UIS测试,100%进行Rg测试。 通过AEC-Q101认证AP4910GD
ALLPOWER(铨力)
AP4910GD,ALLPOWER(铨力),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,特性:N-Channel VDD = 40V, ID = 30A, RDS ON < 16mΩ @VGS = 10V TYP 14m, RDS ON < 25mΩ @VGS = 4.5V TYP 20m。 P-ChannJMTG030P02A
JJW(捷捷微)
JMTG030P02A,JJW(捷捷微),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,特性:20V,-85A。RDS(ON) < 2.7mΩ @ VGS = -4.5V。RDS(ON) < 3.8mΩ @ VGS = -2.5V。RDS(ON) < 5.7mΩ @ VGS = -1.8V。先进的沟槽技术。提MOT1514G
MOT(仁懋)
MOT1514G,MOT(仁懋),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,特性:超低导通电阻。 低栅极电荷。 无铅引脚电镀。应用:计算机电源管理。 负载开关、快速/无线充电AP30H80G
ALLPOWER(铨力)
AP30H80G,ALLPOWER(铨力),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,特性:30V,70A。 RDS(ON) < 6mΩ @VGS = 10V。 RDS(ON) < 12mΩ @VGS = 4.5V。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用:PWM应用WNM4014-8/TR
WILLSEMI(韦尔)
WNM4014-8/TR,WILLSEMI(韦尔),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,WNM4014是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、功率开关和充电电路AP90P03G
ALLPOWER(铨力)
AP90P03G,ALLPOWER(铨力),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,特性:-30V, -90A。 RDS(ON) < 7.5mΩ @VGS = -10V。 RDS(ON) < 12mΩ @VGS = -4.5V。 先进的沟槽技术。 获得无铅产品认证。 低栅极电荷。应用:PWM应用。 负载SP40N01ABGNP
Siliup(矽普)
SP40N01ABGNP,Siliup(矽普),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,大电流SGT MOSFET产品,N沟道,耐压:40V,电流:200A,Rdson:0.8mRMOT1793G
MOT(仁懋)
MOT1793G,MOT(仁懋),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,特性:极低导通电阻RDS(on)。 无铅引脚镀层。应用:DC/DC转换器JMTG3002B
JJW(捷捷微)
JMTG3002B,JJW(捷捷微),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,N沟道 耐压:30V 电流:120AMOT3712G
MOT(仁懋)
MOT3712G,MOT(仁懋),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,特性:高功率和电流处理能力。 获得无铅产品认证。 表面贴装封装。应用:PWM应用。 负载开关MOT2176G
MOT(仁懋)
MOT2176G,MOT(仁懋),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,特性:低导通电阻(RDS(ON)),以最小化传导损耗。 可靠耐用。 符合ROHS标准且无卤。 100%进行UIS和Rg测试。应用:便携式设备和电池供电系统。 笔记本电脑的电源管理SP40N08GDNK
Siliup(矽普)
SP40N08GDNK,Siliup(矽普),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,中低压SGT MOSFET产品,两个N沟道,耐压:40V,电流:45A,Rdson:8mRSP30N01GNP
Siliup(矽普)
SP30N01GNP,Siliup(矽普),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,大电流SGT MOSFET产品,N沟道,耐压:30V,电流:200A,Rdson:1mRMOT6514G
MOT(仁懋)
MOT6514G,MOT(仁懋),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,耐压:60V 电流:50ASP4024CNK
Siliup(矽普)
SP4024CNK,Siliup(矽普),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,N+P MOSFET产品,耐压:40V,电流:N 23A/P -12A, Rdson:N 19mR/P 40mRMOT4710G
MOT(仁懋)
MOT4710G,MOT(仁懋),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,特性:高密度单元设计,实现超低导通电阻。 完全表征雪崩电压和电流。 具有高单脉冲雪崩能量,稳定性和均匀性良好。 出色的封装,利于散热。应用:电源开关。 大电流应用中的负载开关MOT1592G
MOT(仁懋)
MOT1592G,MOT(仁懋),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,特性:极低导通电阻RDS(on)。 高EAS下具有良好的稳定性和均匀性。 无铅引脚电镀。应用:DC/DC转换器。 适用于高频开关和同步整流SP40N01ABGHNP
Siliup(矽普)
SP40N01ABGHNP,Siliup(矽普),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,大电流SGT MOSFET产品,N沟道,耐压:40V,电流:200A,Rdson:0.88mRMOT6129G
MOT(仁懋)
MOT6129G,MOT(仁懋),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,特性:先进的沟槽技术。 出色的导通电阻和低栅极电荷。 无铅产品。应用:PWM应用。 负载开关MOT1148G
MOT(仁懋)
MOT1148G,MOT(仁懋),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,特性:低电容。 低栅极电荷。 快速开关能力。 规定雪崩能量。应用:开关应用MOT6515G
MOT(仁懋)
MOT6515G,MOT(仁懋),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,特性:较低的RDS(ON),以减少传导损耗。 可靠耐用。 符合ROHS标准且无卤。 经过100% UIS和Rg测试。应用:便携式设备和电池供电系统。 笔记本电脑的电源管理SP6036CNK
Siliup(矽普)
SP6036CNK,Siliup(矽普),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,N+P MOSFET产品,耐压:60V,电流:N 18A/P -13A, Rdson:N 30mR/P 55mRMOT3180G
MOT(仁懋)
MOT3180G,MOT(仁懋),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,特性:极低导通电阻RDS(on)。 高EAS下具有良好的稳定性和均匀性。 无铅镀铅。应用:DC/DC转换器。 适用于高频开关和同步整流FH3090G
鑫飞宏
FH3090G,鑫飞宏,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,1个N沟道 耐压:30V 电流:85AJMTG040N03A
JJW(捷捷微)
JMTG040N03A,JJW(捷捷微),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,1个N沟道 耐压:30V 电流:80AMOT3136G
MOT(仁懋)
MOT3136G,MOT(仁懋),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,特性:高密度单元设计,实现超低导通电阻。 出色的封装,利于散热。应用:电源开关应用。 硬开关和高频电路MOT3150G
MOT(仁懋)
MOT3150G,MOT(仁懋),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,特性:优秀的导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷。 获得无铅产品认证。应用:DC/DC转换器,适用于高频开关和同步整流MOT3710G
MOT(仁懋)
MOT3710G,MOT(仁懋),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,特性:高功率和电流处理能力。 获得无铅产品认证。 表面贴装封装。应用:电源管理。 负载开关MOT6929G
MOT(仁懋)
MOT6929G,MOT(仁懋),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),PDFN5X6-8L封装,询盘确认库存,特性:低RDS(ON)。 低栅极电荷。 无铅引脚电镀。应用:电动工具中的电机驱动。 电动汽车机器人PACKAGE FAQ
PDFN5X6-8L 封装采购常见问题
PDFN5X6-8L 封装在华芯购有多少可查询型号?
当前 PDFN5X6-8L 封装页收录 43 个公开可查询型号,本页优先展示 近期可询样本。
筛选 PDFN5X6-8L 封装型号时还要核对什么?
除封装外,还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。
PDFN5X6-8L 封装找不到完全一致型号怎么办?
可以从 ALLPOWER(铨力)、鑫飞宏、Siliup(矽普)、MOT(仁懋)、HT(金誉) 或 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 继续筛选,也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围,由业务按同封装和关键参数协助确认。
