先用原型号和候选型号做一对一比对,避免只拿封装名替代完整型号。
封装现货
DO-41 封装现货型号与清单询价
围绕 DO-41 封装聚合公开现货和可询型号,方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 1,274 个公开可查询型号。
同封装核对
DO-41 同封装兼容说明
同封装只代表初筛入口,不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、官方资料链接和不可放宽条件放到同一张备注清单里。
核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。
电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。
以官方 PDF 和修订版本为准,页面资料只作为采购初筛入口。
同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。
把不能替代的参数写入清单备注,减少业务和工程反复确认。
购物路径
DO-41 封装购物路径
把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作,适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。
进入实时筛选
按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。
保留候选型号
把优先样本带入对比或清单,避免从搜索入口反复重新查找。
统一核价
业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。
资料复核
采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。
MUR260RLG
onsemi(安森美)
MUR260RLG,onsemi(安森美),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,30,000件现货,此超快整流器适用于开关电源、逆变器和用作续流二极管。1N4744A
On-semi/安森美
1N4744A,On-semi/安森美,二极管 / 稳压二极管,DO-41封装,21,774件现货,塑封,稳压值精度5%,低漏电流,适用于稳压和过压监测电路。MUR160RLG
onsemi(安森美)
MUR160RLG,onsemi(安森美),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,20,500件现货,超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。MBR1100RLG
onsemi(安森美)
MBR1100RLG,onsemi(安森美),二极管 / 肖特基二极管,DO-41封装,10,000件现货,这些整流器在大面积的金属 - 硅功率二极管中采用了肖特基势垒原理。先进的几何结构采用了具有氧化物钝化和金属重叠接触的外延结构。非常适合用作低压、高频逆变器中的整流器、续流二极管和极性保护二极管MUR120RLG
onsemi(安森美)
MUR120RLG,onsemi(安森美),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,10,000件现货,超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。1N4004-T
DIODES(美台)
1N4004-T,DIODES(美台),二极管 / 通用二极管,DO-41封装,询盘确认库存,特性:扩散结大电流能力。 低正向压降。 浪涌过载额定值达30A峰值。 低反向漏电流。 无铅涂层,符合RoHS标准1N4003G-T
DIODES(美台)
1N4003G-T,DIODES(美台),二极管 / 通用二极管,DO-41封装,询盘确认库存,特性:玻璃钝化芯片结构。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达30A峰值。 无铅表面处理,符合RoHS标准1N4006G-T
DIODES(美台)
1N4006G-T,DIODES(美台),二极管 / 通用二极管,DO-41封装,询盘确认库存,1N4006G-TSB160-T
DIODES(美台)
SB160-T,DIODES(美台),二极管 / 肖特基二极管,DO-41封装,询盘确认库存,特性:肖特基势垒芯片。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 低功耗、高效率。 高浪涌能力。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达40A峰值。 无铅涂层;符合RoHS标准SF10DG_HF
DIODES(美台)
SF10DG_HF,DIODES(美台),二极管 / 开关二极管,DO-41封装,询盘确认库存,SF10DG_HF1N4007FFG
onsemi(安森美)
1N4007FFG,onsemi(安森美),二极管 / 通用二极管,DO-41封装,询盘确认库存,该款标准整流器适合通用及低功率应用。SB150-T
DIODES(美台)
SB150-T,DIODES(美台),二极管 / 肖特基二极管,DO-41封装,询盘确认库存,电压:50V 电流:1A1N4005RLG
onsemi(安森美)
1N4005RLG,onsemi(安森美),二极管 / 通用二极管,DO-41封装,询盘确认库存,此标准整流器适用于通用低功率应用。1N4005G
onsemi(安森美)
1N4005G,onsemi(安森美),二极管 / 通用二极管,DO-41封装,询盘确认库存,标准整流器,600 V,1.0 A,适用于通用低功率应用。1N4006RLG
onsemi(安森美)
1N4006RLG,onsemi(安森美),二极管 / 通用二极管,DO-41封装,询盘确认库存,这是一款适用于通用低功率应用的超小型轴向引线安装整流器。1N4934G
onsemi(安森美)
1N4934G,onsemi(安森美),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,询盘确认库存,1N4934G1N4006G
onsemi(安森美)
1N4006G,onsemi(安森美),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,询盘确认库存,该产品是用于通用低功率应用的超小型轴向引线安装整流器。1N4935RLG
onsemi(安森美)
1N4935RLG,onsemi(安森美),二极管 / 通用二极管,DO-41封装,询盘确认库存,轴心线快速恢复整流器适用于直流电源、逆变器、转换器、超声系统、斩波器、低射频干扰和续流二极管等特殊应用。全系列快速恢复整流器的典型恢复时间为 150 纳秒,在高达 250 kHz 的频率下可提供高能效。1N4934RLG
onsemi(安森美)
1N4934RLG,onsemi(安森美),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,询盘确认库存,轴向引线快速恢复整流器专为特殊应用而设计,如直流电源、逆变器、转换器、超声系统、斩波器、低射频干扰和续流二极管。完整系列的快速恢复整流器典型恢复时间为150纳秒,在高达250kHz的频率下提供高效率。1N4933RLG
onsemi(安森美)
1N4933RLG,onsemi(安森美),二极管 / 通用二极管,DO-41封装,询盘确认库存,轴心线快速恢复整流器适用于直流电源、逆变器、转换器、超声系统、斩波器、低射频干扰和续流二极管等特殊应用。全系列快速恢复整流器的典型恢复时间为 150 纳秒,在高达 250 kHz 的频率下可提供高能效。1N4933G
onsemi(安森美)
1N4933G,onsemi(安森美),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,询盘确认库存,轴心线快速恢复整流器适用于直流电源、逆变器、转换器、超声系统、斩波器、低射频干扰和续流二极管等特殊应用。全系列快速恢复整流器的典型恢复时间为 150 纳秒,在高达 250 kHz 的频率下可提供高能效。RGP10A
onsemi(安森美)
RGP10A,onsemi(安森美),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,询盘确认库存,RGP10ARGP10B
onsemi(安森美)
RGP10B,onsemi(安森美),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,询盘确认库存,RGP10BRGP10J
onsemi(安森美)
RGP10J,onsemi(安森美),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,询盘确认库存,RGP10JRGP10K
onsemi(安森美)
RGP10K,onsemi(安森美),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,询盘确认库存,RGP10KUF4001
onsemi(安森美)
UF4001,onsemi(安森美),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,询盘确认库存,UF40011N5818G
onsemi(安森美)
1N5818G,onsemi(安森美),二极管 / 肖特基二极管,DO-41封装,询盘确认库存,该肖特基整流器运用肖特基势垒原理,采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构具有铬势垒金属,采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频逆变器、续流二极管和极性保护二极管。1N5817RLG
onsemi(安森美)
1N5817RLG,onsemi(安森美),二极管 / 肖特基二极管,DO-41封装,询盘确认库存,该肖特基整流器运用肖特基势垒原理,采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用铬势垒金属、氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频逆变器、续流二极管和极性保护二极管。1N5818RLG
onsemi(安森美)
1N5818RLG,onsemi(安森美),二极管 / 肖特基二极管,DO-41封装,询盘确认库存,该肖特基整流器运用肖特基势垒原理,采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构具有铬势垒金属,采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频逆变器、续流二极管和极性保护二极管。EGP10B
onsemi(安森美)
EGP10B,onsemi(安森美),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,询盘确认库存,EGP10BEGP10F
onsemi(安森美)
EGP10F,onsemi(安森美),二极管 / 通用二极管,DO-41封装,询盘确认库存,1.0A快速恢复整流器EGP10K
onsemi(安森美)
EGP10K,onsemi(安森美),二极管 / 通用二极管,DO-41封装,询盘确认库存,1.0A快速恢复整流器MBR160RLG
onsemi(安森美)
MBR160RLG,onsemi(安森美),二极管 / 肖特基二极管,DO-41封装,询盘确认库存,该肖特基整流器运用肖特基势垒原理,采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频逆变器、续流二极管和极性保护二极管。MUR110RLG
onsemi(安森美)
MUR110RLG,onsemi(安森美),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,询盘确认库存,超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。MUR140RLG
onsemi(安森美)
MUR140RLG,onsemi(安森美),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,询盘确认库存,此超快整流器适用于开关电源、逆变器和用作续流二极管。MUR220G
onsemi(安森美)
MUR220G,onsemi(安森美),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,询盘确认库存,该 Ultrafast 整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。RGP10M
onsemi(安森美)
RGP10M,onsemi(安森美),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,询盘确认库存,耐压:1kV 电流:1A 反向恢复时间:500ns1N4007A
LRC(乐山无线电)
1N4007A,LRC(乐山无线电),二极管 / 通用二极管,DO-41封装,询盘确认库存,特性:塑料封装具有UL可燃性等级94V-0。 采用无空隙模塑塑料工艺。 低反向泄漏。 高正向浪涌能力。 玻璃钝化芯片。 保证高温焊接:260°C/10秒。 引脚长度0.375\1N5817G
onsemi(安森美)
1N5817G,onsemi(安森美),二极管 / 肖特基二极管,DO-41封装,询盘确认库存,该肖特基整流器运用肖特基势垒原理,采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构采用铬势垒金属、氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频逆变器、续流二极管和极性保护二极管。MUR120G
onsemi(安森美)
MUR120G,onsemi(安森美),二极管 / 通用二极管,DO-41封装,询盘确认库存,超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。MBR1100G
onsemi(安森美)
MBR1100G,onsemi(安森美),二极管 / 肖特基二极管,DO-41封装,询盘确认库存,这些整流器在大面积的金属 - 硅功率二极管中采用了肖特基势垒原理。先进的几何结构采用了具有氧化物钝化和金属重叠接触的外延结构。非常适合用作低压、高频逆变器中的整流器、续流二极管和极性保护二极管STTH1R06
ST(意法半导体)
STTH1R06,ST(意法半导体),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,询盘确认库存,600 V、1 A Turbo 2超高速二极管MUR160G
onsemi(安森美)
MUR160G,onsemi(安森美),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,询盘确认库存,超快整流器适用于开关电源、逆变器和续流二极管。MUR2100EG
onsemi(安森美)
MUR2100EG,onsemi(安森美),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,询盘确认库存,超快 E 系列,具有高逆向能量功能,此类先进器件适用于开关电源、逆变器或用作续流二极管UF108G_AY_100A2
PANJIT(强茂)
UF108G_AY_100A2,PANJIT(强茂),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,询盘确认库存,极快恢复二极管ER102_AY_100A1
PANJIT(强茂)
ER102_AY_100A1,PANJIT(强茂),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,询盘确认库存,超快恢复二极管UF108G_AX_100A1
PANJIT(强茂)
UF108G_AX_100A1,PANJIT(强茂),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,询盘确认库存,UF108G_AX_100A11N4007RLG
onsemi(安森美)
1N4007RLG,onsemi(安森美),二极管 / 通用二极管,DO-41封装,询盘确认库存,该款标准整流器适合通用及低功率应用。1N4749
LGE(鲁光)
1N4749,LGE(鲁光),二极管 / 稳压二极管,DO-41封装,询盘确认库存,特性:硅平面功率齐纳二极管。用于具有高功率额定值的稳压和限幅电路。标准齐纳电压公差为 ±10%,添加后缀 “A” 可实现 ±5% 公差,其他齐纳电压和公差可按需提供STTH2L06
ST(意法半导体)
STTH2L06,ST(意法半导体),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,询盘确认库存,600 V、2 A低压降超高速二极管UF104_AY_10001
PANJIT(强茂)
UF104_AY_10001,PANJIT(强茂),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,询盘确认库存,特性:塑料封装采用阻燃环氧模塑料,具有UL 94V-0可燃性等级。 超过MIL-S-19500/228的环境标准。 超快速开关,效率高。 有符合RoHS环境物质指令要求的含99%以上锡的无铅产品1N4007
星海
1N4007,星海,二极管 / 通用二极管,DO-41封装,询盘确认库存,通用硅整流器,反向电压为50至1000伏,正向电流为1.0安培。SF15
NH(纽航)
SF15,NH(纽航),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,询盘确认库存,特性:低泄漏电流。 超快反向恢复时间。 高正向浪涌能力。 低功耗,高效率。 保证高温焊接:260℃/10秒(端子处)。应用:用于消费、计算机和电信领域的开关模式转换器和逆变器中的高频整流和续流应用2EZ12D5
SUNMATE(森美特)
2EZ12D5,SUNMATE(森美特),二极管 / 稳压二极管,DO-41封装,询盘确认库存,12V 2WHVR116
EIC
HVR116,EIC,二极管 / 通用二极管,DO-41封装,询盘确认库存,特性:高电流能力。 高浪涌电流能力。 高可靠性。 低反向电流。 低正向压降。 无铅/符合RoHS标准1N4732
LGE(鲁光)
1N4732,LGE(鲁光),二极管 / 稳压二极管,DO-41封装,询盘确认库存,特性:硅平面功率齐纳二极管。用于高功率额定值的稳压和限幅电路。标准齐纳电压公差为 ±10%,添加后缀“A”可实现 ±5% 的公差,其他齐纳电压和公差可按需提供UF1007-T
DIODES(美台)
UF1007-T,DIODES(美台),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,询盘确认库存,特性:扩散结。 超快速开关,实现高效率。 高电流能力和低正向压降。 低反向漏电流。 浪涌过载额定值达30A峰值。 塑料材料:UL阻燃等级94V-01N4935G-T
DIODES(美台)
1N4935G-T,DIODES(美台),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,询盘确认库存,特性:玻璃钝化芯片结构。 扩散结。 快速开关,高效能。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达30A峰值。 无铅表面处理,符合RoHS标准STTH1R06RL
ST(意法半导体)
STTH1R06RL,ST(意法半导体),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,询盘确认库存,600 V、1 A Turbo 2超高速二极管1N4002G-T
DIODES(美台)
1N4002G-T,DIODES(美台),二极管 / 通用二极管,DO-41封装,询盘确认库存,特性:玻璃钝化芯片结构。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达30A峰值。 无铅表面处理,符合RoHS标准BZX85B100
EIC
BZX85B100,EIC,二极管 / 稳压二极管,DO-41封装,询盘确认库存,特性:完整的电压范围:2.4至220V。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低泄漏电流。 无铅/符合RoHS标准P4KE39CA
ZHIDE(志得)
P4KE39CA,ZHIDE(志得),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DO-41封装,询盘确认库存,双向TVS 33.8V截止 峰值脉冲电流:7.6A1N4934-T
DIODES(美台)
1N4934-T,DIODES(美台),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,询盘确认库存,特性:扩散结。 用于高效的快速开关。 高电流能力和低正向压降。 浪涌过载额定值达30A峰值。 低反向泄漏电流。 无铅表面处理,符合RoHS标准1N4743A
LGE(鲁光)
1N4743A,LGE(鲁光),二极管 / 稳压二极管,DO-41封装,询盘确认库存,特性:功率耗散:1.0W。 标称齐纳电压:3.0V-100V。 标准齐纳电压容差:5%P4KE10CA
DOWO(东沃)
P4KE10CA,DOWO(东沃),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DO-41封装,询盘确认库存,双向TVS 8.6V截止 峰值浪涌电流:14.5A@10/1000us1N4742
LGE(鲁光)
1N4742,LGE(鲁光),二极管 / 稳压二极管,DO-41封装,询盘确认库存,特性:硅平面功率齐纳二极管。 用于高功率额定值的稳压和限幅电路。 标准齐纳电压公差为 ±10%,添加后缀 “A” 可实现 ±5% 公差,其他齐纳电压和公差可按需提供1N5819-B
GOODWORK(固得沃克)
1N5819-B,GOODWORK(固得沃克),二极管 / 肖特基二极管,DO-41封装,询盘确认库存,肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。UF4007-B
GOODWORK(固得沃克)
UF4007-B,GOODWORK(固得沃克),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,询盘确认库存,电压:1kV 电流:1A 适用于电源整流、电压调节以及保护电路BZX85C8V2
EIC
BZX85C8V2,EIC,二极管 / 稳压二极管,DO-41封装,询盘确认库存,特性:完整的电压范围:2.4至200V。 高反向峰值功率耗散。 高可靠性。 低泄漏电流。 无铅/符合RoHS标准1N4741
LGE(鲁光)
1N4741,LGE(鲁光),二极管 / 稳压二极管,DO-41封装,询盘确认库存,特性:硅平面功率齐纳二极管。用于高功率额定值的稳压和限幅电路。标准齐纳电压公差为 ±10%,添加后缀 “A” 可实现 ±5% 的公差,其他齐纳电压和公差可按需提供1N4007G_AY_00001
PANJIT(强茂)
1N4007G_AY_00001,PANJIT(强茂),二极管 / 通用二极管,DO-41封装,询盘确认库存,特性:玻璃钝化芯片结。 低正向压降。 低漏电流。 塑料封装,符合UL 94V-0阻燃等级。 无铅,符合欧盟RoHS 2.0标准。 采用符合IEC 61249标准的绿色模塑料1N4742APF
ST(意法半导体)
1N4742APF,ST(意法半导体),二极管 / 稳压二极管,DO-41封装,询盘确认库存,1W稳压二极管 耐压:12V 电流:5uA@9.1V1N5397
NH(纽航)
1N5397,NH(纽航),二极管 / 通用二极管,DO-41封装,询盘确认库存,轴式引线封装使散热好,GPP芯片工艺使高温漏电小,可靠性高。应用:AC-DC变换高压整流或者吸收电路。1N4001G-T
DIODES(美台)
1N4001G-T,DIODES(美台),二极管 / 通用二极管,DO-41封装,询盘确认库存,-1N4004RLG
onsemi(安森美)
1N4004RLG,onsemi(安森美),二极管 / 通用二极管,DO-41封装,询盘确认库存,此标准整流器适用于通用低功率应用。1N5819RL
ST(意法半导体)
1N5819RL,ST(意法半导体),二极管 / 肖特基二极管,DO-41封装,询盘确认库存,40 V、1 A轴向功率肖特基整流器 40 V、1 A轴向功率肖特基整流器1N5819-T
DIODES(美台)
1N5819-T,DIODES(美台),二极管 / 肖特基二极管,DO-41封装,询盘确认库存,特性:保护环芯片结构,用于瞬态保护。 低功耗、高效率。 高浪涌能力。 高电流能力和低正向压降。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 无铅涂层,符合 RoHS 标准UF4006GP-TP
MCC(美微科)
UF4006GP-TP,MCC(美微科),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,询盘确认库存,特性:超快速开关速度,实现高效率。低泄漏。环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级。湿度敏感度等级 1。无铅涂层/符合 RoHS 标准UF4004
XCH(旭昌辉)
UF4004,XCH(旭昌辉),二极管 / 快恢复/高效率二极管,DO-41封装,询盘确认库存,芯片采用台面结构,具有较好的开关特性,适用于各类续流电路。1N4746
LGE(鲁光)
1N4746,LGE(鲁光),二极管 / 稳压二极管,DO-41封装,询盘确认库存,特性:硅平面功率齐纳二极管。 用于具有高功率额定值的稳压和限幅电路。 标准齐纳电压公差为 ±10%,添加后缀 “A” 可实现 ±5% 公差,其他齐纳电压和公差可按需提供封装选购
DO-41 封装选购常见问题
DO-41 封装在华芯购有多少可查询型号?
当前 DO-41 封装页收录 1,274 个公开可查询型号,本页优先展示 5 个现货样本。
筛选 DO-41 封装型号时还要核对什么?
除封装外,还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。
DO-41 封装找不到完全一致型号怎么办?
可以从 onsemi(安森美)、On-semi/安森美、DIODES(美台)、LRC(乐山无线电)、ST(意法半导体) 或 二极管 > 快恢复/高效率二极管、二极管 > 稳压二极管、二极管 > 肖特基二极管、二极管 > 通用二极管 继续筛选,也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围,由业务按同封装和关键参数协助确认。
