先用原型号和候选型号做一对一比对，避免只拿封装名替代完整型号。
封装现货
DFN-5x6-8L 封装现货型号与清单询价
围绕 DFN-5x6-8L 封装聚合公开现货和可询型号，方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 75 个公开可查询型号。
75匹配型号
8常见品牌
1相关分类
常用动作
封装核对DFN-5x6-8L 只代表封装识别入口，正式采购前仍需确认完整 MPN、引脚数、温度等级、包装、批号和制造商资料。
同封装核对
DFN-5x6-8L 同封装兼容说明
同封装只代表初筛入口，不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、官方资料链接和不可放宽条件放到同一张备注清单里。
核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。
电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。
以官方 PDF 和修订版本为准，页面资料只作为采购初筛入口。
同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。
把不能替代的参数写入清单备注，减少业务和工程反复确认。
购物路径
DFN-5x6-8L 封装购物路径
把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作，适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。
进入实时筛选
按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。
保留候选型号
把优先样本带入对比或清单，避免从搜索入口反复重新查找。
统一核价
业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。
资料复核
采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。
型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
AON6512
AOS
AON6512，AOS，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，163,268件现货，N沟道,30V,150A,1.7mΩ@10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
163,268
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查看详情 >AON6354
AOS
AON6354，AOS，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，150,812件现货，沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。高电流能力。符合RoHS和无卤标准三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
150,812
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查看详情 >AON6403
AOS
AON6403，AOS，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，66,000件现货，1个P沟道 耐压:30V 电流:85A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
66,000
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查看详情 >TM80N06NF
TMC(台懋)
TM80N06NF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，N沟道,60V,80A,5.2mΩ@10v三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >NCE3095G
NCE(无锡新洁能)
NCE3095G，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，使用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。可用于多种应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >TM80P04NF
TMC(台懋)
TM80P04NF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，P沟道,-40V,-80A,4.3mΩ@-10v三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >TMN30150NF
TMC(台懋)
TMN30150NF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，N沟道,30V,150A,1.8mΩ@10v三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >AON6407-MS
MSKSEMI(美森科)
AON6407-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，AON6407-MS采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >TM150N03NF
TMC(台懋)
TM150N03NF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，N沟道,30V,150A,1.8mΩ@10v三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >NCE20P70G
NCE(无锡新洁能)
NCE20P70G，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，NCE20P70G采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)，适用于多种应用场景。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >FDMC86160
Leiditech(雷卯电子)
FDMC86160，Leiditech(雷卯电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，FDMC86160采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >G65P06D5
GOFORD(谷峰)
G65P06D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于各种应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AON6236-MS
MSKSEMI(美森科)
AON6236-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，AON6236-MS采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >SI7850DP(XBLW)
XBLW(芯伯乐)
SI7850DP(XBLW)，XBLW(芯伯乐)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，类型: N沟道 漏源电压(Vdss): 60V 连续漏极电流(Id): 30A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >NCEP4090GU
NCE(无锡新洁能)
NCEP4090GU，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，NCEP4090GU采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的Rds(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >BSC093N04LSG-MS
MSKSEMI(美森科)
BSC093N04LSG-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，BSC093N04LSG-MS采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >SI7850DP-MS
MSKSEMI(美森科)
SI7850DP-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，Si7850DP-MS采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AON6312-MS
MSKSEMI(美森科)
AON6312-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，AON6312-MS采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >WSD4076DN56
WINSOK(微硕)
WSD4076DN56，WINSOK(微硕)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，WSD4076DN56是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD4076DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >AONR21321-MS
MSKSEMI(美森科)
AONR21321-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，AONR21321-MS采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >G16N03A
GOFORD(谷峰)
G16N03A，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，G16N03A采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AONS32304
MSKSEMI(美森科)
AONS32304，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，AONS32304采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AON6362-MS
MSKSEMI(美森科)
AON6362-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，AON6362-MS采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >G20N06D52
GOFORD(谷峰)
G20N06D52，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，G20N06D52采用先进的沟槽技术和设计，在实现低栅极电荷的同时，提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >TM70N04NF
TMC(台懋)
TM70N04NF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，低导通电阻（RDS(ON)）。 符合RoHS和无卤要求三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >NCEP40ND80G
NCE(无锡新洁能)
NCEP40ND80G，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >GT095N10D5
GOFORD(谷峰)
GT095N10D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。可用于多种应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >TMN40100NF
TMC(台懋)
TMN40100NF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，N沟道,40V,100A,4.2mΩ@10v三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >GT55N06D5-B
GOFORD(谷峰)
GT55N06D5-B，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，使用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >G700P06D5
GOFORD(谷峰)
G700P06D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >GT55N06D5
GOFORD(谷峰)
GT55N06D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，使用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，可用于各种应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >TM3007NF
TMC(台懋)
TM3007NF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，N沟道,30V,50A,7mΩ@10v,P沟道,-30V,-50A,10mΩ@-10v三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >GT011N03D5E
GOFORD(谷峰)
GT011N03D5E，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。可用于多种应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >TMN3070NF
TMC(台懋)
TMN3070NF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，低导通电阻。符合RoHS和无卤标准三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >WSD4062DN56
WINSOK(微硕)
WSD4062DN56，WINSOK(微硕)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，WSD4062DN56是一款具备极高单元密度的高性能沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD4062DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过了三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >GT019N04D5
GOFORD(谷峰)
GT019N04D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，使用先进的沟槽技术，提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷。可用于各种应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >TM50G03NF
TMC(台懋)
TM50G03NF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，N沟道,30V,50A,7mΩ@10v,P沟道,-30V,-45A,10mΩ@-10v三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >NVMFD5853NLT1G-MS
MSKSEMI(美森科)
NVMFD5853NLT1G-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，NVMFD5853NLT1G-MS采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >NTTFS015N04C-MS
MSKSEMI(美森科)
NTTFS015N04C-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，NTTFS015N04C - MS采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >GT110N06D5
GOFORD(谷峰)
GT110N06D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，使用先进的沟槽技术，提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷，可用于各种应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >WSD60P06DN56
WINSOK(微硕)
WSD60P06DN56，WINSOK(微硕)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，WSD60P06DN56是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷。WSD60P06DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >GT095N04D5
GOFORD(谷峰)
GT095N04D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可用于各种应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >NTMFS4C03NT1G-MS
MSKSEMI(美森科)
NTMFS4C03NT1G-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，NTMFS4C03NT1G - MS采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并且可在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >GT065P06D5
GOFORD(谷峰)
GT065P06D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，使用先进沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >AON6360-MS
MSKSEMI(美森科)
AON6360-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，AON6360-MS采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能够在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >G300P06D5
GOFORD(谷峰)
G300P06D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，使用先进的沟槽技术，以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。可用于各种应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >GT060N04D52
GOFORD(谷峰)
GT060N04D52，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷，适用于各种应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >TMP3055NF
TMC(台懋)
TMP3055NF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，P沟道,-30V,-55A,8.3mΩ@-10v三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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查看详情 >GT013N04D5H
GOFORD(谷峰)
GT013N04D5H，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：40V@@连续漏极电流(Id)：260A@@阈值电压(Vgs(th))：3.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：1.3mΩ@10V @@封装：DFN-8L(5x6)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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TMC(台懋)
TM0072P03NF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，特性：低RDS(ON)。 RoHS和无卤合规三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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GOFORD(谷峰)
GC11N65D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，特性：针对高速平滑开关进行优化。 增强体二极管 dv/dt 能力。 增强雪崩耐用性。 100% UIS 测试。 100% Rg 测试。 符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 转换。 硬开关和高速电路三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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GOFORD(谷峰)
GT009N04D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷。 可用于各种应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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Leiditech(雷卯电子)
STL12P6F6，Leiditech(雷卯电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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GOFORD(谷峰)
G450N10D52，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，2个N沟道 耐压:100V 电流:35A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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GOFORD(谷峰)
G900P15D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，使用先进沟槽技术，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，可用于各种应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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TMC(台懋)
TM4017NF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，N沟道,40V,20A,17mΩ@10v,P沟道,-40V,-20A,33mΩ@-10v三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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GOFORD(谷峰)
GT025N06AD5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于各种应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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Leiditech(雷卯电子)
STL45N10F7AG，Leiditech(雷卯电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，STL45N10F7AG采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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GOFORD(谷峰)
G100C04D52，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。可用于各种应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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GOFORD(谷峰)
G100N03D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于多种应用中。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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G33N03D52，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于多种应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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GOFORD(谷峰)
G050P03D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。可用于各种应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >TM0052N03NF
TMC(台懋)
TM0052N03NF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，低导通电阻RDS(ON)。符合RoHS和无卤标准三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >G75P04D5
GOFORD(谷峰)
G75P04D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，1个P沟道 耐压:40V 电流:70A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >GT013N04D5C
GOFORD(谷峰)
GT013N04D5C，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：40V@@连续漏极电流(Id)：270A@@阈值电压(Vgs(th))：2.4V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：0.73mΩ@10V 1mΩ@4.5V @@封装：DFN-8L三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >WSD4021DN56
WINSOK(微硕)
WSD4021DN56，WINSOK(微硕)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，N+P沟道 40V/-40V 18A/-16A，应用于电子烟、无线充、电机、无人机、医疗、车充、控制器、数码产品、小家电、消费类电子上三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >HYG023N03LR1C2
HUAYI(华羿微)
HYG023N03LR1C2，HUAYI(华羿微)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，30V/125A。在VGS = 10V时，RDS(ON) = 1.5mΩ（典型值）。在VGS = 4.5V时，RDS(ON) = 2.1mΩ（典型值）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >TM0052N06NF
TMC(台懋)
TM0052N06NF，TMC(台懋)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，低RDS(ON)。RoHS和无卤合规三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >AON6566-MS
MSKSEMI(美森科)
AON6566-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，AON6566-MS采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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APM(永源微电子)
AP85N03NF，APM(永源微电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，负载开关 AP85N03NF 采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻 RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至 4.5V 的栅极电压下工作。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >FDMC4435BZ-MS
MSKSEMI(美森科)
FDMC4435BZ-MS，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，FDMC4435BZ-MS采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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GOFORD(谷峰)
G230P06D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，使用先进沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，可用于多种应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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GOFORD(谷峰)
GT013N04D5CH，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：40V@@连续漏极电流(Id)：270A@@阈值电压(Vgs(th))：3.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：0.82mΩ@10V @@封装：DFN-8L(5x6)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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GOFORD(谷峰)
GT080N08D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于多种应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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GOFORD(谷峰)
GT180P08D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5x6-8L封装，询盘确认库存，GT180P08D5采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >封装选购
DFN-5x6-8L 封装选购常见问题
DFN-5x6-8L 封装在华芯购有多少可查询型号？
当前 DFN-5x6-8L 封装页收录 75 个公开可查询型号，本页优先展示 3 个现货样本。
筛选 DFN-5x6-8L 封装型号时还要核对什么？
除封装外，还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。
DFN-5x6-8L 封装找不到完全一致型号怎么办？
可以从 AOS、TMC(台懋)、NCE(无锡新洁能)、MSKSEMI(美森科)、Leiditech(雷卯电子) 或 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) 继续筛选，也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围，由业务按同封装和关键参数协助确认。