先用原型号和候选型号做一对一比对，避免只拿封装名替代完整型号。
封装现货
DFN-5X6-8L 封装现货型号与清单询价
围绕 DFN-5X6-8L 封装聚合公开现货和可询型号，方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 61 个公开可查询型号。
61匹配型号
7常见品牌
2相关分类
常用动作
封装核对DFN-5X6-8L 只代表封装识别入口，正式采购前仍需确认完整 MPN、引脚数、温度等级、包装、批号和制造商资料。
同封装核对
DFN-5X6-8L 同封装兼容说明
同封装只代表初筛入口，不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、官方资料链接和不可放宽条件放到同一张备注清单里。
核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。
电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。
以官方 PDF 和修订版本为准，页面资料只作为采购初筛入口。
同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。
把不能替代的参数写入清单备注，减少业务和工程反复确认。
购物路径
DFN-5X6-8L 封装购物路径
把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作，适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。
进入实时筛选
按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。
保留候选型号
把优先样本带入对比或清单，避免从搜索入口反复重新查找。
统一核价
业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。
资料复核
采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。
型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
AON6512
AOS
AON6512，AOS，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，163,268件现货，N沟道,30V,150A,1.7mΩ@10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
163,268
询盘报价
查看详情 >AON6354
AOS
AON6354，AOS，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，150,812件现货，沟槽功率MOSFET技术。低导通电阻RDS(ON)。低栅极电荷。高电流能力。符合RoHS和无卤标准三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
150,812
询盘报价
查看详情 >AON6403
AOS
AON6403，AOS，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，66,000件现货，1个P沟道 耐压:30V 电流:85A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
66,000
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查看详情 >NCEP40T11G
NCE(无锡新洁能)
NCEP40T11G，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，50,000件现货，N沟道,40V,110A,2.4mΩ@10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
50,000
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查看详情 >HYG040N04LS1C2
HUAYI/华羿
HYG040N04LS1C2，HUAYI/华羿，现货库存，DFN-5X6-8L封装，5,000件现货现货库存
DFN-5X6-8L
5,000
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查看详情 >NCEP40T13GU
NCE(无锡新洁能)
NCEP40T13GU，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，5,000件现货，N沟道,40V,130A,2.3mΩ@10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
5,000
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查看详情 >NCEP6090AGU
NCE(无锡新洁能)
NCEP6090AGU，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，采用超级沟槽技术，经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。适用于高频开关和同步整流。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
询盘确认
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查看详情 >NCEP4045GU
NCE(无锡新洁能)
NCEP4045GU，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，NCEP4045GU采用了超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻Rds(on)和栅极电荷Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >NCEP6080AG
NCE(无锡新洁能)
NCEP6080AG，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，N沟道,60V,80A,4mΩ@10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >WSD40P10DN56
WINSOK(微硕)
WSD40P10DN56，WINSOK(微硕)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，WSD40P10DN56是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD40P10DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >NCEP40T15GU
NCE(无锡新洁能)
NCEP40T15GU，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，NCEP40T15GU采用了超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >NCEP0140AG
NCE(无锡新洁能)
NCEP0140AG，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，NCEP0140AG采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >SE30150G
SINO-IC(光宇睿芯)
SE30150G，SINO-IC(光宇睿芯)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，SE30150G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >NCE6045G
NCE(无锡新洁能)
NCE6045G，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，NCE6045G采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >WSD86P10DN56
WINSOK(微硕)
WSD86P10DN56，WINSOK(微硕)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，WSD86P10DN56是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD86P10DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >NCEP30T17GU
NCE(无锡新洁能)
NCEP30T17GU，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，N沟道 耐压:30V 电流:170A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >MS30N06NF
MSKSEMI(美森科)
MS30N06NF，MSKSEMI(美森科)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，此款N沟道场效应晶体管采用紧凑的DFN5X6，具备漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：30A，RDS:10V@10A=24MR,广泛应用于电池管理、负载开关、电机控制、LED驱动、便携式设备、嵌入式系统三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >NCEP1545G
NCE(无锡新洁能)
NCEP1545G，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，采用超级沟槽技术，经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）组合，导通和开关功率损耗均降至最低。适用于高频开关和同步整流。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >NCE30H10G
NCE(无锡新洁能)
NCE30H10G，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，可用于各种应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >NCEP035N60AG
NCE(无锡新洁能)
NCEP035N60AG，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，使用超级沟槽 II 技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻 RDS(ON) 和栅极电荷 QG 的组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件适用于高频开关和同步整流。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >NCEP025N60G
NCE(无锡新洁能)
NCEP025N60G，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，使用超级沟槽 II 技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的 RDS(ON) 和 Qg 组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >NCEP095N10AG
NCE(无锡新洁能)
NCEP095N10AG，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，该系列器件采用了超级沟槽 II 技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻 RDS(on) 和栅极电荷 Qg 组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >NCEP035N85GU
NCE(无锡新洁能)
NCEP035N85GU，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，使用超级沟槽 II 技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的 RDS(ON) 和 QG 组合，导通和开关功率损耗均降至最低。适用于高频开关和同步整流。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >NCEP40T15AGU
NCE(无锡新洁能)
NCEP40T15AGU，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，使用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合，传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >NCEP0160AG
NCE(无锡新洁能)
NCEP0160AG，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，使用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合，传导和开关功率损耗均降至最低。适用于高频开关和同步整流。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >NCEP30T15GU
NCE(无锡新洁能)
NCEP30T15GU，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >NCE60ND18G
NCE(无锡新洁能)
NCE60ND18G，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，NCE60ND18G采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >NCEP01ND35AG
NCE(无锡新洁能)
NCEP01ND35AG，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，NCEP01ND35AG采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >NCE6045XG
NCE(无锡新洁能)
NCE6045XG，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，NCE6045XG采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 $\\mathsf{R_{DS(ON)}}$。它可用于多种应用场景。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >NCEP3045GU
NCE(无锡新洁能)
NCEP3045GU，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，NCEP3045GU采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >WSD40190DN56G
WINSOK(微硕)
WSD40190DN56G，WINSOK(微硕)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，WSD40190DN56G采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >WSD4090DN56
WINSOK(微硕)
WSD4090DN56，WINSOK(微硕)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，N沟道 40V 90A 4mΩ DFN5X6-8L，可应用于电子烟、无线充、无人机、医疗、车充、控制器、数码产品、小家电、消费类电子三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >GT750P10D5
GOFORD(谷峰)
GT750P10D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于多种应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >GT100P06D5
GOFORD(谷峰)
GT100P06D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-60V@@连续漏极电流(Id)：-60A@@阈值电压(Vgs(th))：-2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：7.5mΩ@10V 10mΩ@4.5V @@封装：DFN-8三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >G040P02D5
GOFORD(谷峰)
G040P02D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-20V 连续漏极电流(Id)：-90A 阈值电压(Vgs(th))：-1.0V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：3.5mΩ@4.5V 4.4mΩ@2.5V 封装：DFN5X6-8L三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >G60N04D5
GOFORD(谷峰)
G60N04D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：40V@@连续漏极电流(Id)：60A@@阈值电压(Vgs(th))：2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：6.3mΩ@10V 8.4mΩ@4.5V @@封装：DFN-8L(5x三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >GT100N12D5M
GOFORD(谷峰)
GT100N12D5M，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：120V@@连续漏极电流(Id)：70A@@阈值电压(Vgs(th))：2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：7mΩ@10V 8mΩ@4.5V @@封装：DFN-8L(5x三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >GT880P15D5B
GOFORD(谷峰)
GT880P15D5B，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-150V@@连续漏极电流(Id)：-26A@@阈值电压(Vgs(th))：-3V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：95mΩ@10V 110mΩ@4.5V @@封装：DFN-8三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >G100P04D5
GOFORD(谷峰)
G100P04D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-40V@@连续漏极电流(Id)：-55A@@阈值电压(Vgs(th))：-2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：8.8mΩ@10V 13mΩ@4.5V @@封装：DFN-8L三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >GT880P15D5
GOFORD(谷峰)
GT880P15D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-150V@@连续漏极电流(Id)：-30A@@阈值电压(Vgs(th))：-3V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：82mΩ@10V 94mΩ@4.5V @@封装：DFN-8L(三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >GT007N04D5
GOFORD(谷峰)
GT007N04D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，SGT工艺 MOS管三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >GT030N08D5
GOFORD(谷峰)
GT030N08D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：80V@@连续漏极电流(Id)：155A@@阈值电压(Vgs(th))：3V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：2.4mΩ@10V 2.9mΩ@4.5V @@封装：DFN-8L(5三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >GT025N06D5
GOFORD(谷峰)
GT025N06D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。可用于多种应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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查看详情 >GT055N06D5
GOFORD(谷峰)
GT055N06D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：60V@@连续漏极电流(Id)：90A@@阈值电压(Vgs(th))：2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：3.8mΩ@10V 5.5mΩ@4.5V @@封装：DFN-8L(三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5X6-8L
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WINSOK(微硕)
WSD100N15DN56G，WINSOK(微硕)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，WSD100N15DN56G是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD100N15DN56符合RoHS标准和绿色产品要求三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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WINSOK(微硕)
WSD3039DN56，WINSOK(微硕)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，N+P沟道 30V/-30V 20A/-16A，可应用于马达电机、汽车电子、小家电三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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GOFORD(谷峰)
GT2K0P20D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-200V@@连续漏极电流(Id)：-19A@@阈值电压(Vgs(th))：-3V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：172mΩ@10V 186mΩ@4.5V @@封装：DFN-8三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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GOFORD(谷峰)
G020N03D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于各种应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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GOFORD(谷峰)
GT1K2P15D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-150V 连续漏极电流(Id)：-27A 阈值电压(Vgs(th))：-3.0V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：91mΩ@10V 96mΩ@4.5V 封装：DFN-8L(5x6)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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WINSOK(微硕)
WSD50P10ADN56，WINSOK(微硕)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -100 VGS(V) 20 ID(A)Max. -40 VGS(th)(v) - RDS(ON)(m?)@4.244V - Qg(nC)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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GOFORD(谷峰)
GT100N12D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于多种应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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NCE(无锡新洁能)
NCEP30T12G，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，N沟道，30V，120A，1.95mΩ三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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WINSOK(微硕)
WSD45P04DN56，WINSOK(微硕)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，WSD45P04DN56是一款具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD45P04DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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NCE(无锡新洁能)
NCEP6060GU，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，使用超级沟槽技术，经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg组合，使传导和开关功率损耗降至最低，适用于高频开关和同步整流。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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GOFORD(谷峰)
G075P02D5，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，1个P沟道 耐压:20V 电流:45A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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NCE(无锡新洁能)
NCE30P30G，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，NCE30P30G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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NCE(无锡新洁能)
NCEP020N30GU，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，采用超级沟槽 II 技术，经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻 RDS(ON) 和栅极电荷 Qg 组合，导通和开关功率损耗均降至最低。适用于高频开关和同步整流。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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NCE(无锡新洁能)
NCEP40P80G，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，屏蔽栅沟槽型功率MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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NCEP40T14G，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，使用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG的组合，导通和开关功率损耗均降至最低。适用于高频开关和同步整流。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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NCE(无锡新洁能)
NCEP60T15G，NCE(无锡新洁能)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，使用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg的组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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WSD220N06DN56，WINSOK(微硕)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，DFN-5X6-8L封装，询盘确认库存，N沟道 60V 220A，可应用于医疗电源、PD、无人机、电子烟、大家电、电动工具三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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查看详情 >封装选购
DFN-5X6-8L 封装选购常见问题
DFN-5X6-8L 封装在华芯购有多少可查询型号？
当前 DFN-5X6-8L 封装页收录 61 个公开可查询型号，本页优先展示 6 个现货样本。
筛选 DFN-5X6-8L 封装型号时还要核对什么？
除封装外，还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。
DFN-5X6-8L 封装找不到完全一致型号怎么办？
可以从 AOS、NCE(无锡新洁能)、HUAYI/华羿、WINSOK(微硕)、SINO-IC(光宇睿芯) 或 三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)、现货库存 继续筛选，也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围，由业务按同封装和关键参数协助确认。