先用原型号和候选型号做一对一比对,避免只拿封装名替代完整型号。
封装现货
DFN-1006-2 封装现货型号与清单询价
围绕 DFN-1006-2 封装聚合公开现货和可询型号,方便采购人员按封装快速确认品牌、类目、库存、资料和替代方向。当前匹配 643 个公开可查询型号。
同封装核对
DFN-1006-2 同封装兼容说明
同封装只代表初筛入口,不代表引脚兼容、参数等效或可直接替代。采购前把原型号、候选型号、官方资料链接和不可放宽条件放到同一张备注清单里。
核对 pinout、引脚数、外形尺寸、焊盘建议和散热条件。
电压、电流、频率、精度、温度等级、认证和寿命状态要逐项确认。
以官方 PDF 和修订版本为准,页面资料只作为采购初筛入口。
同封装候选要同步写明数量、包装批号、交期和可接受品牌范围。
把不能替代的参数写入清单备注,减少业务和工程反复确认。
购物路径
DFN-1006-2 封装购物路径
把专题页里的公开型号继续整理成可执行采购动作,适合从搜索引擎或 AI 搜索进入后的采购员快速接上流程。
进入实时筛选
按品牌、封装、库存和参数把公开型号缩小到可核价范围。
保留候选型号
把优先样本带入对比或清单,避免从搜索入口反复重新查找。
统一核价
业务人员继续确认批号、包装、交期、报价和可替代范围。
资料复核
采购前核对制造商 PDF、封装图、参数和最终应用场景。
PESD5V0S1UL,315
Nexperia(安世)
PESD5V0S1UL,315,Nexperia(安世),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,379,219件现货,VBR=6.4V(Min),Ipp=15APESD18VF1BLYL
Nexperia(安世)
PESD18VF1BLYL,Nexperia(安世),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),SOD-882封装,260,000件现货,采用DFN1006 2(SOD882)无引脚超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装的超低电容双向静电放电(ESD)保护二极管,旨在保护一条信号线免受ESD及其他瞬态现象造成的损坏。PESD30VF1BLYL
Nexperia(安世)
PESD30VF1BLYL,Nexperia(安世),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,186,333件现货,采用DFN1006 - 2 (SOD882)无引脚超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装的超低电容双向静电放电(ESD)保护二极管,旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。BAS16L,315
Nexperia(安世)
BAS16L,315,Nexperia(安世),二极管 / 开关二极管,DFN-1006-2封装,100,000件现货,高速开关二极管,采用无铅超小型SOD882表面贴装器件(SMD)塑料封装。PTVS4V5D1BLYL
Nexperia(安世)
PTVS4V5D1BLYL,Nexperia(安世),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,69,352件现货,采用DFN1006-2 (SOD882)超小型无引脚表面贴装器件(SMD)封装的瞬态电压抑制器,旨在保护单条线路免受高浪涌电流和其他瞬态影响。PESD24VF1BLYL
Nexperia(安世)
PESD24VF1BLYL,Nexperia(安世),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,50,000件现货,采用DFN1006-2(SOD882)超小型无引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装的超低电容双向静电放电(ESD)保护二极管,旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。PESD3V3X1BCSFYL
Nexperia(安世)
PESD3V3X1BCSFYL,Nexperia(安世),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,30,000件现货,PESD3V3X1BCSFYLPESD24VF1BL
Nexperia(安世)
PESD24VF1BL,Nexperia(安世),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,18,000件现货,采用DFN1006-2(SOD882)超小型无引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装的超低电容双向静电放电(ESD)保护二极管,旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。PESD5V0S1UL-QYL
Nexperia(安世)
PESD5V0S1UL-QYL,Nexperia(安世),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,10,000件现货,单向静电放电(ESD)保护二极管,采用SOD882无铅超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装,旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态损害。PESD24VS1UL
Nexperia(安世)
PESD24VS1UL,Nexperia(安世),现货库存,DFN-1006-2封装,7,477件现货BAT54L,315
Nexperia(安世)
BAT54L,315,Nexperia(安世),二极管 / 肖特基二极管,DFN-1006-2封装,7,000件现货,采用SOD882无引脚超小型塑料封装的平面肖特基势垒二极管。PESD5V0V1BL,315
Nexperia(安世)
PESD5V0V1BL,315,Nexperia(安世),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,4,700件现货,VBR=7.8V 双向 Cd=13pF (8kV接触 15kV空袭放电)ESD5451N-MS
MSKSEMI(美森科)
ESD5451N-MS,MSKSEMI(美森科),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,峰值脉冲功率(tp=8/20s)(PPP):80W 钳位电压(VC): 10V 工作电压(VRWM):5V 反向峰值脉冲电流(IPP):8A 最小击穿电压VBR):5.6V-8.4V 结电容(CJ):15PRCLAMP0521P-N
BORN(伯恩半导体)
RCLAMP0521P-N,BORN(伯恩半导体),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,静电TVS RF信号ESD9L5.0ST5G-N
BORN(伯恩半导体)
ESD9L5.0ST5G-N,BORN(伯恩半导体),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,静电TVSKPESD0402V05U
KUU
KPESD0402V05U,KUU,三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,KPE SD0402V05U是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS),旨在为数据、控制或电源线提供静电放电(ESD)保护。KPE SD0402V05U的典型电容仅为8pF,旨在保护对寄生敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件的PESD3V3X1BL,315
Nexperia(安世)
PESD3V3X1BL,315,Nexperia(安世),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,采用无引脚超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装的超低电容双向静电放电(ESD)保护二极管,旨在保护单条信号线免受ESD及其他瞬态现象造成的损坏。PESD5V0U1BL,315
Nexperia(安世)
PESD5V0U1BL,315,Nexperia(安世),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,采用SOD882无引脚超小型塑料封装的低电容双向静电放电(ESD)保护二极管,旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。PESD5V0S1BLN
BORN(伯恩半导体)
PESD5V0S1BLN,BORN(伯恩半导体),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,静电TVS 普通信号PESD5V0X1BCL,315
Nexperia(安世)
PESD5V0X1BCL,315,Nexperia(安世),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,采用无引脚超小型SOD882(DFN1006 - 2)表面贴装器件(SMD)塑料封装的极低电容双向静电放电(ESD)保护二极管,旨在保护一条信号线免受ESD和其他瞬态现象造成的损坏。极低的电容、高KESD0801PB
KUU
KESD0801PB,KUU,TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,K E S D 08 0 1 P B是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS),专为数据、控制或电源线提供静电放电(ESD)保护而设计。K E S D 08 0 1 P B典型电容仅为8pF,旨在保护对寄生敏感的系统免受过压和过流瞬ESD9B3.3ST5G-N
BORN(伯恩半导体)
ESD9B3.3ST5G-N,BORN(伯恩半导体),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,静电TVSPESD5V5C1BL-QYL
Nexperia(安世)
PESD5V5C1BL-QYL,Nexperia(安世),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,超低电容双向静电放电(ESD)保护二极管,属于TrEOS保护系列产品。该器件采用小型无引脚DFN1006 - 2(SOD882 - 2)表面贴装器件(SMD)塑料封装。超低电容、高ESD最大额定值和ESD5341N
KUU
ESD5341N,KUU,TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,特性:超低电容:0.05pF(典型值)。 低泄漏电流(<10nA)。 快速响应时间(<1ns)。 双向单线路保护。 IEC 61000-4-2(ESD 空气放电):15kV。 IEC 61000-4-2(ESD 接触放电):8kVPESDNC2FD5VB
UMW(友台半导体)
PESDNC2FD5VB,UMW(友台半导体),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,保护敏感半导体组件免受静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件的损坏或干扰。具有大横截面积结,可传导高瞬态电流,提供理想的板级保护电气特性,如快速响应时间、低工作电压。使设计人员能够在不适合使用阵列的应KESD9B5VL
KUU
KESD9B5VL,KUU,TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,K E S D 9 B 5 V L是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS),旨在为数据、控制或电源线提供静电放电(ESD)保护。K E S D 9 B 5 V L的典型电容仅为8pF,用于保护对寄生效应敏感的系统免受过压和过流瞬态事ESD9B5.0ST5G-N
BORN(伯恩半导体)
ESD9B5.0ST5G-N,BORN(伯恩半导体),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,静电TVSESD9B5VL
YONGYUTAI(永裕泰)
ESD9B5VL,YONGYUTAI(永裕泰),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,ESD9B5VL是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS),旨在为数据、控制或电源线提供静电放电(ESD)保护。ESD9B5VL的典型电容仅为8pF,旨在保护对寄生效应敏感的系统,使其免受过电压和过电流瞬态事件的影KPESD5V0L1BL
KUU
KPESD5V0L1BL,KUU,TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,KPESD5V0L1BL聚合物静电放电(ESD)抑制器可保护敏感电子设备免受静电放电影响,且不会扭曲数据信号。这种保护得益于其超低电容,仅0.05 pF(I/O到地),可帮助设备通过IEC61000 - 4 - 2 4级测ESD54151N-2/TR
WILLSEMI(韦尔)
ESD54151N-2/TR,WILLSEMI(韦尔),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,ESD54151N是一款双向TVS(瞬态电压抑制器)。它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计,可防止这些元件受到ESD(静电放电)、EFT(电快速瞬变)和雷击造成的过应力影响。ESD5BDFN2C241V35
BORN(伯恩半导体)
BDFN2C241V35,BORN(伯恩半导体),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,0402 24V Ipp=5A 双向BNESD5451N
BORN(伯恩半导体)
BNESD5451N,BORN(伯恩半导体),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,BNESD5451N 是一款双向配置的固态硅雪崩技术器件,具有72瓦峰值脉冲功率(tp=8/20μs)。该器件具有低箝位电压和低漏电流,适用于数据/电源线的保护。它符合IEC 61000-4-2 ±25kV接触BDFN2A301V35
BORN(伯恩半导体)
BDFN2A301V35,BORN(伯恩半导体),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,TVS二极管(ESD) 0402封装 单向 30V ESD静电保护管BNSPHV36-C
BORN(伯恩半导体)
BNSPHV36-C,BORN(伯恩半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,TVS二极管(ESD) 0402封装 36V双向静电保护管WSB5539N-2
TECH PUBLIC(台舟)
WSB5539N-2,TECH PUBLIC(台舟),二极管 / 肖特基二极管,DFN-1006-2封装,询盘确认库存,这款肖特基二极管,正向导通电压VF低,确保在大电流、低压差应用中实现卓越的能效与快速响应。适用于电源转换器、高频开关电路以及需要高性能整流功能的紧凑型设计中。SLESDTU5V0A1
Slkor(萨科微)
SLESDTU5V0A1,Slkor(萨科微),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,SLESDTU5V0 A1是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS),旨在为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。SLESDTU5V0 A1的典型电容为0.25pF,旨在保护对寄生效应敏感的系统免受过压和过流瞬态H5VU10B
R+O(宏嘉诚)
H5VU10B,R+O(宏嘉诚),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,特性:低泄漏电流。 低钳位电压。 IEC 61000-4-2 (ESD Air): ±30 kV。 IEC 61000-4-2 (ESD Contact): ±25 kV。 IEC 61000-4-5 (LightningESD05V88D
KUU
ESD05V88D,KUU,TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,特性:超低电容:0.30pF(典型值)。 反向工作电压:5V。 IEC 61000-4-2(ESD 空气放电):±20kV。 IEC 61000-4-2(ESD 接触放电):±20kV。 IEC 61000-4-5(雷电 8/2BNESD9L3.3ST5G
BORN(伯恩半导体)
BNESD9L3.3ST5G,BORN(伯恩半导体),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,DFN1006 3.3V 低电容BDFN2C151V35
BORN(伯恩半导体)
BDFN2C151V35,BORN(伯恩半导体),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,特性:230瓦峰值脉冲功率(tp = 8/20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2:空气放电±30kV,接触放电±30kV。应用:基于微处理器的设备SEU0501P1
Slkor(萨科微)
SEU0501P1,Slkor(萨科微),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,特性:超低电容:0.35pF(典型值)。 反向工作电压:5V。 IEC 61000-4-2(ESD 空气):±20kV。 IEC 61000-4-2(ESD 接触):±20kV。 IEC 61000-4-5(雷电1N4148WL2
YANGJIE(扬杰)
1N4148WL2,YANGJIE(扬杰),二极管 / 开关二极管,DFN-1006-2封装,询盘确认库存,1N4148WL2PESD5V0V1BL-N
BORN(伯恩半导体)
PESD5V0V1BL-N,BORN(伯恩半导体),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,特性:65W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±25kV 接触,±25kV 空气。应用:基于微处理器的设备BESD0402G05V
BORN(伯恩半导体)
BESD0402G05V,BORN(伯恩半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,特性:高速、低电压应用的最佳ESD保护。 RoHS合规且无卤。 超低电容,0.05 pF(典型值)。 低泄漏电流(<10nA)。 快速响应时间(<1ns)。 双向单线路保护。应用:智能手机/移动互联网设备。L-RCLAMP0521P
PIELENST(派量)
L-RCLAMP0521P,PIELENST(派量),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,这款静电放电(ESD)抑制器有助于保护敏感电子设备免受静电放电影响。它们可增强集成电路的片上保护功能,非常适合对低电容要求较高的低压、高速信号线应用。可用于USB 2.0、IEEE1394、HDMI和GBNCS0801S
BORN(伯恩半导体)
BNCS0801S,BORN(伯恩半导体),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,特性:80 瓦峰值脉冲功率(tp = 8 / 20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容(Cj = 0.2pF 典型值,IO 到 IO)。应用:手机及配件。 基于微处理器的设备TT0521NBX
晶扬电子
TT0521NBX,晶扬电子,三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,TT0521NBX是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS),旨在为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。TT0521NBX典型电容仅为12 pF,旨在保护对寄生敏感的系统免受过压和过流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000-4JEN1006-5V-ULC
JDTfuse(集电通)
JEN1006-5V-ULC,JDTfuse(集电通),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,品质稳定,性价比高JEN1006-5V
JDTfuse(集电通)
JEN1006-5V,JDTfuse(集电通),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,品质稳定,性价比高FS05LBDF
FUXINSEMI(富芯森美)
FS05LBDF,FUXINSEMI(富芯森美),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,极性:双向 反向截止电压(Vrwm):5V 击穿电压(最小值):5.6V 峰值脉冲电流(Ipp):4A@8/20us 最大钳位电压:22V ,CJ:0.35pFSLPESD0402M24
Slkor(萨科微)
SLPESD0402M24,Slkor(萨科微),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,PESD旨在保护一条双向数据线免受ESD损坏。RLSD92Q121VM
RUILON(瑞隆源)
RLSD92Q121VM,RUILON(瑞隆源),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,ESD,静电防护,电压钳位,应用在信号口ESD5311N
UMW(友台半导体)
ESD5311N,UMW(友台半导体),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,是一款超低电容TVS(瞬态电压抑制器),旨在保护高速数据接口。它专门设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件,免受ESD(静电放电)引起的过应力影响。WE05DF-BS
Slkor(萨科微)
WE05DF-BS,Slkor(萨科微),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,PPP(W) 60 VRWM(V) 5 VBR(V) 8.4 VC(V) 12 IPP(A) 5 IR(uA) 0.1 CJ(pF) 18PTVS3V3D1BALYL-N
BORN(伯恩半导体)
PTVS3V3D1BALYL-N,BORN(伯恩半导体),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,特性:500瓦峰值脉冲功率(tp = 8/20μs)。 微型DFN1006封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用:手机及配件。 基于微处理器的设备ESD05V88D-MS
MSKSEMI(美森科)
ESD05V88D-MS,MSKSEMI(美森科),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,工作电压(VRWM):5V 击穿电压VBR):6.3VBESD3301P
BORN(伯恩半导体)
BESD3301P,BORN(伯恩半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,特性:60 瓦峰值脉冲功率(tp = 8/20μs)。 微型 DFN1006 封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。应用:手机及配件。 基于微处理器的设备PESD5V0S1BLN-MS
MSKSEMI(美森科)
PESD5V0S1BLN-MS,MSKSEMI(美森科),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,反向峰值脉冲电流(IPP):8A 最小击穿电压VBR):5.6V-8.4V 结电容(CJ):15PF-18PF 此款ESD管被广泛应用于消费类电子产品、 HDMI 接口、USB 接插口、平板电脑、笔BTRD04A035
Slkor(萨科微)
BTRD04A035,Slkor(萨科微),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,特性:电容:15pF(典型值)。 反向工作电压:5V。 IEC 61000-4-2(ESD 空气放电):±25kV。 IEC 61000-4-2(ESD 接触放电):±25kV。 IEC 61000-4-5(雷电BTRD04A15
Slkor(萨科微)
BTRD04A15,Slkor(萨科微),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,BTRD04A15是一款15V双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用先进的单片硅技术,响应时间快,静电放电(ESD)钳位电压低,是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。BTRD04A15符合IEC 61000-4CPDQC3V3C-HF
Leiditech(雷卯电子)
CPDQC3V3C-HF,Leiditech(雷卯电子),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,特性:保护一条数据线。 超低泄漏:nA级别。 工作电压:3.3V。 超低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2 (ESD)抗扰度测试:空气放电 ±30kV,接触放电 ±30kV。PTN102L6M5B6
prosemi(普罗森美)
PTN102L6M5B6,prosemi(普罗森美),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,特性:65瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±25kV接触,±25kV空气。应用:基于微处理器的设备。AZ5525-01F
Leiditech(雷卯电子)
AZ5525-01F,Leiditech(雷卯电子),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,特性:超小封装:1.0×0.6×0.5mm。超低电容:典型值15pF。超低泄漏:nA级别。低工作电压:5V。低钳位电压。2引脚无铅封装。应用:手机及配件。个人数字助理AZ9565-01F
Leiditech(雷卯电子)
AZ9565-01F,Leiditech(雷卯电子),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,特性:超低泄漏:nA级别。工作电压:5V。低钳位电压。符合以下标准:IEC 61000-4-2 (ESD) 抗扰度测试: -空气放电:±30kV。接触放电:±30kV。IEC61000-4-4 (EFTAZ9585-01F
Leiditech(雷卯电子)
AZ9585-01F,Leiditech(雷卯电子),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,特性:超小封装:1.0×0.6×0.5mm。 保护一条数据线或电源线。 超低泄漏:nA级别。 低工作电压:5V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。应用:电源管理。 工业应用AZ9812-01F
Leiditech(雷卯电子)
AZ9812-01F,Leiditech(雷卯电子),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,ESD二极管 ESD二极管BCSPHV24
BORN(伯恩半导体)
BCSPHV24,BORN(伯恩半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,双向ESD 24V截止 峰值浪涌电流:5A@8/20usBNPESD3V3X1BL
BORN(伯恩半导体)
BNPESD3V3X1BL,BORN(伯恩半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,BNPESD3V3X1BLBNPESD5V0V1BLD
BORN(伯恩半导体)
BNPESD5V0V1BLD,BORN(伯恩半导体),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,BNPESD5V0V1BLDCESD882NC5VB
Leiditech(雷卯电子)
CESD882NC5VB,Leiditech(雷卯电子),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,特性:超小封装:1.0×0.6×0.5 mm。 超低电容:典型值15pF。 超低泄漏:nA级别。 低工作电压:5V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。应用:手机及配件。 个人数字助理CPDQC3V3A-HF
Leiditech(雷卯电子)
CPDQC3V3A-HF,Leiditech(雷卯电子),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,ESD二极管 ESD二极管DESD5V0S1BL-7B
Leiditech(雷卯电子)
DESD5V0S1BL-7B,Leiditech(雷卯电子),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,特性:超小封装:1.0×0.6×0.5mm。 超低电容:典型值15pF。 超低泄漏:纳安级别。 低工作电压:5V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。应用:手机及配件。 个人数字助理DESD5V0U1BL-7B
Leiditech(雷卯电子)
DESD5V0U1BL-7B,Leiditech(雷卯电子),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,特性:超低泄漏:nA级。 工作电压:5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试 。 -空气放电:±30kV 。 -接触放电:±30kV 。应用:智能手DF2B6.8M1ACT
Leiditech(雷卯电子)
DF2B6.8M1ACT,Leiditech(雷卯电子),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,特性:超低泄漏:nA级别。 工作电压:5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试 空气放电:±30kV 接触放电:±30kV。 -IEC61000-4-4DTESDBLC5V0LED02
Leiditech(雷卯电子)
DTESDBLC5V0LED02,Leiditech(雷卯电子),TVS/保险丝/板级保护 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,特性:超小封装:1.0×0.6×0.5 mm。 超低电容:典型值15 pF。 超低泄漏:nA级别。 低工作电压:5 V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。应用:手机及配件。 个人数字助理ESD0P2RF-02LRH-TP
Leiditech(雷卯电子)
ESD0P2RF-02LRH-TP,Leiditech(雷卯电子),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,特性:超低泄漏:nA级别。 工作电压:5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试 空气放电:±30kV 接触放电:±30kV。 -IEC 610ESD5311N-2
Leiditech(雷卯电子)
ESD5311N-2,Leiditech(雷卯电子),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,特性:超低泄漏:nA级别。 工作电压:5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试:空气放电 ±30kV,接触放电 ±30kV。 -IEC 61000-4-4(ESD5411N-SW
Semiwell(矽门微)
ESD5411N-SW,Semiwell(矽门微),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,静电和浪涌保护(TVS/ESD)ESD5V0B03-1006
Leiditech(雷卯电子)
ESD5V0B03-1006,Leiditech(雷卯电子),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,特性:超低泄漏:nA级别。 工作电压:5V。 低钳位电压。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试:空气放电 ±30kV,接触放电 ±30kV。 -IEC 61000-ESDALC6V1-1BM2
Leiditech(雷卯电子)
ESDALC6V1-1BM2,Leiditech(雷卯电子),三极管/MOS管/晶体管 / 静电和浪涌保护(TVS/ESD),DFN-1006-2封装,询盘确认库存,特性:超小封装:1.0×0.6×0.5 mm。 超低电容:典型值15 pF。 超低泄漏:nA级别。 低工作电压:5 V。 低钳位电压。 2引脚无铅封装。应用:手机及配件。 个人数字助理封装选购
DFN-1006-2 封装选购常见问题
DFN-1006-2 封装在华芯购有多少可查询型号?
当前 DFN-1006-2 封装页收录 643 个公开可查询型号,本页优先展示 12 个现货样本。
筛选 DFN-1006-2 封装型号时还要核对什么?
除封装外,还要核对完整型号、品牌、引脚数、温度等级、包装方式、批号、交期和制造商数据手册。
DFN-1006-2 封装找不到完全一致型号怎么办?
可以从 Nexperia(安世)、MSKSEMI(美森科)、BORN(伯恩半导体)、KUU、UMW(友台半导体) 或 TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)、三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)、二极管 > 开关二极管、现货库存 继续筛选,也可以提交 BOM 并写明可接受替代范围,由业务按同封装和关键参数协助确认。
