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待核型芯片图集
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待核型芯片图集(137 张)

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待核型芯片实拍图(OCR 线索:LPB | ITEM: | OPT: | MSL 2 /260C/1 YEAR ) 待核型 · 第 da3fddd9OCR 线索:LPB | ITEM: | OPT: | MSL 2 /260C/1 YEAR | 2DC:2325 | MADE IN: Philippines | INSTRUMENTS | TEXAS | (L)TO:GB | 2Q: | 07/17/23 | SEAL DT | 36,3 待核型芯片实拍图(OCR 线索:NUTDK | TEXAS | (1P) TMS320LF2403APAGA |) 待核型 · 第 c7287a20OCR 线索:NUTDK | TEXAS | (1P) TMS320LF2403APAGA | INSTRUMENTS | G4 | (Q) 640 | (D) 2245 | MADE IN: Philippines | 2DC: | 2Q: | (31T)L0T | MSL 3 /260C/ 待核型芯片实拍图(OCR 线索:NXP SEMICONDUCTORS | ET540 | OXN) | SEAL) 待核型 · 第 41a2d01bOCR 线索:NXP SEMICONDUCTORS | ET540 | OXN) | SEALED DAT | (33T) PUID: | (32T) ORIG | (31T) | (31P) | (1T) LOT | MSLUL | (9D) DATE | 22 | (Q) QTY | 30 待核型芯片实拍图(OCR 线索:DEVICE | (foHS)) 待核型 · 第 53ffb015OCR 线索:DEVICE | (foHS) 待核型芯片实拍图(OCR 线索:(S)SERI | ASSY LOC: | SEAL | MS LEVEL | ) 待核型 · 第 55fa7650OCR 线索:(S)SERI | ASSY LOC: | SEAL | MS LEVEL | ON | MM 待核型芯片实拍图(OCR 线索:ANALOG | DEVICES) 待核型 · 第 ee275fdeOCR 线索:ANALOG | DEVICES 待核型芯片实拍图(OCR 线索:A | O | STMicroelectronics | SBS | TTO |) 待核型 · 第 a4d11e9aOCR 线索:A | O | STMicroelectronics | SBS | TTO | I | IG | EE | EES 待核型芯片实拍图(OCR 线索:(P)TYPE | (1T)LOT | (Z)SPECIAL | (Q)QTY ) 待核型 · 第 4d3d7744OCR 线索:(P)TYPE | (1T)LOT | (Z)SPECIAL | (Q)QTY | ASSEMBLY: PHILIPPINES | NSS40301MDR2G | DA96471Y06 | 2,500 | *Z92321029844* | (DIFFUSION: MALAYSIA 待核型芯片实拍图(OCR 线索:MYS 99 309 | 99LMX 93 X | STM32F103VCT |) 待核型 · 第 be114bbaOCR 线索:MYS 99 309 | 99LMX 93 X | STM32F103VCT | 7 | 国 | RG | STM32F103VCT | 公 | 99LMX 93 X | MYS 99 309 | RG | 7 | STMEDFDV | XE6XW766 | 60E 66 SAW 待核型芯片实拍图(OCR 线索:STC | 12C5608AD | P32 | 351-LQFP32 | 429) 待核型 · 第 cdd4f23bOCR 线索:STC | 12C5608AD | P32 | 351-LQFP32 | 429HAXV94QD | STC | SEBEESE | 2C8AD | 5-P32 | 29H940D | STC 待核型芯片实拍图(OCR 线索:TOSHIBA | Microwave Semiconductor | ATTE) 待核型 · 第 31345992OCR 线索:TOSHIBA | Microwave Semiconductor | ATTENTION | OBSERVE PRECAUTIONS | FOR HANDLING | ELECTROSTATIC | SENSITIVE | DEVICES | TOSHIBA CORPORATI 待核型芯片实拍图(OCR 线索:L8542 | 533K | JARG | 1L8542K | O9DVDD |) 待核型 · 第 cc188962OCR 线索:L8542 | 533K | JARG | 1L8542K | O9DVDD | JARG | TL8542 | JARG | 1 待核型芯片实拍图(OCR 线索:ANALO | DEVICE | 1 | 图 | mio) 待核型 · 第 2b03d0d4OCR 线索:ANALO | DEVICE | 1 | 图 | mio 待核型芯片实拍图(OCR 线索:Explanation for marking | TO-220FM) 待核型 · 第 b22aaddaOCR 线索:Explanation for marking | TO-220FM 待核型芯片实拍图(OCR 线索:21.357 | 5 | C | N FP #V2 | R8C'Lx Seric) 待核型 · 第 dc526b6bOCR 线索:21.357 | 5 | C | N FP #V2 | R8C'Lx Serics 待核型芯片实拍图(OCR 线索:PowerPAK* SO-8L (HVM) | cado | 7N60E | B) 待核型 · 第 04d42422OCR 线索:PowerPAK* SO-8L (HVM) | cado | 7N60E | BLLA | .TYWF 待核型芯片实拍图(OCR 线索:3N | (1P  NO: | RoHS | UL | 00) : 2500 |) 待核型 · 第 7a7e738cOCR 线索:3N | (1P NO: | RoHS | UL | 00) : 2500 | (1T) LOT NO): | 24013098-11 | Littelfuse | DATE CODE: 2401 | COUNTRY OF ORIGIN CHINA | YYWW | RLBV 待核型芯片实拍图(OCR 线索:LE | OQIN | ROEN | BSNS | TIO | 3. After) 待核型 · 第 ef2464b3OCR 线索:LE | OQIN | ROEN | BSNS | TIO | 3. After bag is opened, devices that will be subjected to reflow | 2. Peak package body temperature: | Bag S 待核型芯片实拍图(OCR 线索:Legacy Read ROM | In addition to comma |) 待核型 · 第 6bf4a7a6OCR 线索:Legacy Read ROM | In addition to comma | of 0Fh in order to ens | with its 64-bit ROM 待核型芯片实拍图(OCR 线索:annic | 3 | 1472100E) 待核型 · 第 e6a3f8a7OCR 线索:annic | 3 | 1472100E 待核型芯片实拍图(OCR 线索:LBL: 10A (L)TO:GB | ITEM: | OPT: | MSL 2) 待核型 · 第 35be0a0cOCR 线索:LBL: 10A (L)TO:GB | ITEM: | OPT: | MSL 2 /260C/1 YEAR | INSTRUMENTS | TEXAS | 2 | 07/17/23 | SEAL DT | 36,36 | (22L) | (20L) CS0: DM5 | (2P) 待核型芯片实拍图(OCR 线索:LBL: 5A (L)T0:1518 | ITEM | MSL 3 /2600 ) 待核型 · 第 e1140012OCR 线索:LBL: 5A (L)T0:1518 | ITEM | MSL 3 /2600 | DS90UB954TRGZ*Q1 | FPD-Link解串器 | 3.3.1.0.00133 | 07/29/22 | SEAL DT | (2P) REV: B | (4W) TKY(1T) 2 待核型芯片实拍图(OCR 线索:茂建電子股份有限公司 | Device Number | :APL524DGB-) 待核型 · 第 52c0913bOCR 线索:茂建電子股份有限公司 | Device Number | :APL524DGB-TRC | Caurtiny | DOCEEA | UA | nN | LOT | INn | :VY254 | Ca14 | :2222 | RoHS | ULAI 待核型芯片实拍图(OCR 线索:1.3 Ordering Information | • Flash memor) 待核型 · 第 c89db899OCR 线索:1.3 Ordering Information | • Flash memory version | Part Number | Package | μPD78F0544GC(T)-UBT-A | 80-pin plastic LQFP (14 × 14) | μPD78F05 待核型芯片实拍图(OCR 线索:ORIGINAL | VERPACKY | PACKING) 待核型 · 第 53ba04d3OCR 线索:ORIGINAL | VERPACKY | PACKING 待核型芯片实拍图(OCR 线索:SEIKO | 2052+) 待核型 · 第 85266861OCR 线索:SEIKO | 2052+ 待核型芯片实拍图(OCR 线索:ZnD20241 | CS00001D | TJA1043 | NXP) 待核型 · 第 1773739eOCR 线索:ZnD20241 | CS00001D | TJA1043 | NXP 待核型芯片实拍图(OCR 线索:标记信息 | XXXXX=日期代码、跟踪代码和供应商代码。 | 供应商代码 | ) 待核型 · 第 6f81aef6OCR 线索:标记信息 | XXXXX=日期代码、跟踪代码和供应商代码。 | 供应商代码 | 追踪代码 | 供应商代码 | 日期代码-年份 | 绿色(RoHS和HSF):SG Micro Corp将“绿色 | ,请直接联系您的SGMICRO代表。 待核型芯片实拍图(OCR 线索:HU:1067290040 | DN:80677 | (Q) Quantity:) 待核型 · 第 c4bfd43fOCR 线索:HU:1067290040 | DN:80677 | (Q) Quantity: 2500 | (10D) Date Code: 2116 | (V) Supplier: | Sales Order/ Line | Origin: PH | 17136980 | maxim | 待核型芯片实拍图(OCR 线索:09081100121124417025 | Panasonic | 16SVP) 待核型 · 第 d3b792d9OCR 线索:09081100121124417025 | Panasonic | 16SVPC100M | (3N)116SVPC100M | PASS | (3N)2 U43242C30DC0 108010 | MAR.24.2024 | 238 PCS | 16SVPC100M | 10 待核型芯片实拍图(OCR 线索:NO.CLEAN | alpha | ALPHA Telecore Plus |) 待核型 · 第 b1ecd60eOCR 线索:NO.CLEAN | alpha | ALPHA Telecore Plus | Lot# | 207150632572 | P/N:172274 | 63Sn/37Pb | Made in China | 1.02mm | 2.0% | Net:1.0kg | Mfg:07/2 待核型芯片实拍图(OCR 线索:S82003098 | 45IC9P9) 待核型 · 第 51616060OCR 线索:S82003098 | 45IC9P9 待核型芯片实拍图(OCR 线索:Qs | XxxxxX | Device Type | Package | XX) 待核型 · 第 e884cdb2OCR 线索:Qs | XxxxxX | Device Type | Package | XX | Blank | Tube or Tray | S1G | PAG | QG | 3VH257 | High Bandwidth But | 2.5V /3.3V Quad 2 待核型芯片实拍图(OCR 线索:perature defined by IPC/JEDEC J-STD-020 ) 待核型 · 第 7a8b36cfOCR 线索:perature defined by IPC/JEDEC J-STD-020 | efer to IPC/JEDEC J-STD-033 for | 2 | r level 2 devices when read at 23 ± 5°C | Card reads >10% fo 待核型芯片实拍图(OCR 线索:TI 4AAGPDK | AM26LV32EI) 待核型 · 第 b305df52OCR 线索:TI 4AAGPDK | AM26LV32EI 待核型芯片实拍图(OCR 线索:TLP28 | 26-00 | OTR | 259P28 | 29928) 待核型 · 第 04fc0f6bOCR 线索:TLP28 | 26-00 | OTR | 259P28 | 29928 待核型芯片实拍图(OCR 线索:10:54 | 二 | 92 | NotLivel and body tempe) 待核型 · 第 81320c0aOCR 线索:10:54 | 二 | 92 | NotLivel and body temperature defined by IPC/JEDEC J-STD-020 | Bag Seal Date: | temperature or shorter bake-times are desir 待核型芯片实拍图(OCR 线索:BSC007N04LS6SC | infineon | MOSFET | Opr) 待核型 · 第 c49d3939OCR 线索:BSC007N04LS6SC | infineon | MOSFET | OprMOS | RoHS 待核型芯片实拍图(OCR 线索:LBL: 2A (L)TO:1808 | ITEM: | OPT: | MSL ) 待核型 · 第 7aa3ea74OCR 线索:LBL: 2A (L)TO:1808 | ITEM: | OPT: | MSL 1/260C/UNLIM | 2DC: | MADE IN: China | INSTRUMENTS | TEXAS | 2Q | 2787 | HFME QA | 10/26/21 | SEAL D 待核型芯片实拍图(OCR 线索:(P) CUST PROD: | (1B) BOX:H | INTEL | (V) 待核型 · 第 b09d0fc2OCR 线索:(P) CUST PROD: | (1B) BOX:H | INTEL | (V)SUPPLIER: | MAXREFLOW | 260 | RC:BB | TEMP | HOURS 168 | LEVEL 3 | 5M570ZT144C5N | (1P)OPN: | 16AUG 待核型芯片实拍图(OCR 线索:QTY:2500 | {s} | INTERNAL USE ONLY | (1P) 待核型 · 第 f6249e4cOCR 线索:QTY:2500 | {s} | INTERNAL USE ONLY | (1P)DAC128S085CIMTX/NOPB | TEXAS | INSTRUMENTS | G3 | (a) 2500 | (D) 2141+5 | MADE IN:Malaysia | 2DC:21 待核型芯片实拍图(OCR 线索:onsemi | Themlator - N-Ghennel | PDH337M) 待核型 · 第 361639b6OCR 线索:onsemi | Themlator - N-Ghennel | PDH337M | 0 待核型芯片实拍图(OCR 线索:SPANSION | 60 5   | CUSTOMER : ARROW ELE) 待核型 · 第 e42509fbOCR 线索:SPANSION | 60 5 | CUSTOMER : ARROW ELECTRONICS INC | (1P) MFR P/N: S29AL008D70TFI020 | 4360PW3176310 | (K) TRANS ID: | S29AL008D70TFI020 | 待核型芯片实拍图(OCR 线索:ANALOC | DEVICES | ee | p) 待核型 · 第 dbe33e92OCR 线索:ANALOC | DEVICES | ee | p 待核型芯片实拍图(OCR 线索:(1P) | (Q) | DT | 311 | (4W) | 23/24 | () 待核型 · 第 6c39999bOCR 线索:(1P) | (Q) | DT | 311 | (4W) | 23/24 | (2P) | 20 | (22L) | (20L) 待核型芯片实拍图(OCR 线索:Silicon Laboratories Inc. | CN | )SUPPLI) 待核型 · 第 d46574aeOCR 线索:Silicon Laboratories Inc. | CN | )SUPPLIER PROD ID:BGM13P22F512GA-V2 | (D)DATECODE1:2234B021WI | (Q)QTY1:100 | MSL P. 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