制造商现货
pSemi(游隼半导体) 制造商型号现货与清单询价
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167匹配型号
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8常见封装
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
PE42421SCAA-Z
pSemi(游隼半导体)
PE42421UltraCMOSRF开关设计用于覆盖从10MHz到3000MHz的广泛应用 · 该反射式开关射频芯片/天线 > 射频开关
SOT-23-6
27,202
询盘报价
PE42641MLBD-Z
pSemi(游隼半导体)
100MHz至3.0GHz的高性能SP4T射频开关 · 采用UltraCMOs工艺技术射频芯片/天线 > 射频开关
QFN-16
13,400
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PE4314B-Z
pSemi(游隼半导体)
PE4314是一款基于HaRPTM技术的6位射频数字步进衰减器 · 支持1 MHz至2.5 GHz的频率范围射频芯片/天线 > RF衰减器
QFN
6,000
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PE43711B-Z
pSemi(游隼半导体)
PE43711是一款超CMOS RF数字步进衰减器 · 具有0.25dB、0.5dB和1dB的灵活衰减步进射频芯片/天线 > RF衰减器
QFN-24
5,285
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PE42359SCAA-Z
pSemi(游隼半导体)
PE42359UltraCMOS射频开关设计用于10MHz至3GHz的广泛应用 · 该反射式开关集成了板载C射频芯片/天线 > 射频开关
SC70-6
4,325
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PE42540G-Z
pSemi(游隼半导体)
PE42540是一款基于UltraCMOS技术的增强型吸收式SP4T射频开关 · 支持测试设备和ATE市场的射频芯片/天线 > 射频开关
QFN
3,720
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PE42522B-X
pSemi(游隼半导体)
PE42522是一款增强型HaRPTM技术吸收式SPDT射频开关 · 支持广泛的频率性能射频芯片/天线 > 射频开关
QFN-16
1,000
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PE43712B-Z
pSemi(游隼半导体)
PE43712是一款50Ω、HaRPTM技术增强的7位RF数字步进衰减器（DSA） · 支持1.8V控制电压射频芯片/天线 > RF衰减器
QFN-16
1,000
询盘报价
PE42850B-X
pSemi(游隼半导体)
PE42850是基于HaRPTM技术增强的SP5T高功率射频开关 · 支持高达1GHz的无线应用射频芯片/天线 > 射频开关
QFN-32
200
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PE4259-63
pSemi(游隼半导体)
PE4259UltraCMOSRF开关设计用于覆盖从10MHz到3000MHz的广泛应用 · 这款反射式开关射频芯片/天线 > 射频开关
SC-70-6
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PE42822A-Z
pSemi(游隼半导体)
PE42822是一款采用HaRPTM技术增强的吸收型50ΩSPDT射频保护开关 · 设计用于支持高达3.8G射频芯片/天线 > 射频开关
QFN-16-EP
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PE613050A-Z
pSemi(游隼半导体)
PE613050是一款基于UltraCMOS技术的单刀四掷（SP4T）调谐控制开关 · 这款高度通用的开关支射频芯片/天线 > 射频开关
QFN-12-EP
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PE42721MLBA-Z
pSemi(游隼半导体)
PE42721是基于HaRPTM技术增强的UltraCMOs工艺开发的高度线性SPDT射频开关 · 它具有高射频芯片/天线 > 射频开关
QFN-12-EP
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PE42020A-X
pSemi(游隼半导体)
PE42020是一款采用HaRPTM技术增强的SPDT真直流射频开关 · 工作频率从零赫兹到8GHz射频芯片/天线 > 射频开关
QFN-20-EP
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PE42441E-Z
pSemi(游隼半导体)
PE42441是一款基于HaRPTM技术增强的吸收型SP4T射频开关 · 适用于多种市场射频芯片/天线 > 射频开关
LGA-32
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PE42423B-Z
pSemi(游隼半导体)
PE42423是一款采用HaRP技术增强的50ΩSPDT射频开关 · 支持802.11a射频芯片/天线 > 射频开关
TQFN-16-EP
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PE4251MLI-Z
pSemi(游隼半导体)
10-4000MHz吸收型单刀双掷射频开关 · 适用于通用切换应用和移动基础设施射频芯片/天线 > 射频开关
MSOP-8-EP
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PE423422A-Z
pSemi(游隼半导体)
PE423422是一款基于HaRPTM技术增强的反射式SPDT射频开关 · 支持100-6000MHz的频率射频芯片/天线 > 射频开关
QFN-12-EP
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PE42482A-X
pSemi(游隼半导体)
是一款采用HaRP™技术增强的吸收式单刀八掷（SP8T）射频开关 · 支持10 MHz至8 GHz的频率范围射频芯片/天线 > 射频开关
QFN-24
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PE42820B-X
pSemi(游隼半导体)
PE42820是一款采用HaRPTM技术增强的高功率反射式SPDT射频开关 · 适用于移动无线电、继电器替代射频芯片/天线 > 射频开关
QFN-32-EP
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PE42462A-X
pSemi(游隼半导体)
是一款采用HaRP™技术增强的吸收式SP6T RF开关 · 支持10 MHz至8 GHz的频率范围射频芯片/天线 > 射频开关
QFN-24
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PE42424A-Z
pSemi(游隼半导体)
PE42424是一款采用HaRPTM技术增强的反射式50ΩSPDT射频开关 · 适用于高功率和高性能WLAN射频芯片/天线 > 射频开关
DFN-6-EP
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PE43205B-Z
pSemi(游隼半导体)
PE43205 是一款50Ω、高可靠性的2位射频数字步进衰减器(DSA) · 设计用于3G射频芯片/天线 > RF衰减器
QFN-12-EP
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PE45361A-X
pSemi(游隼半导体)
PE45361是一款增强型HaRPTM技术的功率限制器 · 适用于高性能功率应用射频芯片/天线 > 射频卡芯片
QFN-12-EP
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PE42582A-X
pSemi(游隼半导体)
PE42582是一款增强型吸收式SP8T射频开关 · 支持从9kHz到8GHz的频率范围射频芯片/天线 > 射频开关
QFN-24-EP
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PE42540F-Z
pSemi(游隼半导体)
PE42540是一种采用HaRP技术增强的SP4T射频开关 · 支持测试设备和ATE市场的需求射频芯片/天线 > 射频开关
LGA-32
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PE42020A
pSemi(游隼半导体)
PE42020是一款采用HaRPTM技术增强的SPDT真直流射频开关 · 工作频率从零赫兹到8GHz射频芯片/天线 > 射频开关
QFN-20-EP
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PE42553B-Z
pSemi(游隼半导体)
PE42553是一款增强型吸收式SPDT射频开关 · 支持广泛的频率范围和其他高性能无线应用射频芯片/天线 > 射频开关
QFN-16-EP
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PE42412A-X
pSemi(游隼半导体)
是一种采用HaRP技术增强的吸收式SP12T RF开关 · 支持10 MHz至8 GHz的频率范围射频芯片/天线 > 射频开关
QFN-32
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PE42359SCAA
pSemi(游隼半导体)
该射频开关设计用于覆盖从 10 MHz 到 3 GHz 的广泛应用范围 · 这款反射式开关将板载 CMOS通信接口芯片 > 模拟开关/多路复用器
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