制造商现货
holychip(芯圣电子) 制造商型号现货与清单询价
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HC89S003AF4U7M
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HC89S003AF4U7 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机 · 内部有HC89F7531B-SOP20-T-M
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HC89F7531B是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机 · 内部有32K BytHC89F3531B-SSOP24-T-M
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HC89F3531B是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机 · 内部有32K BytHC89F7521B-SOP16-T-M
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HC89F7521B是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机 · 内部有32K BytHC89F7541B-SOP28-T-M
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HC89F7541B是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机 · 内部有32K BytHC18M003-SOP20-T
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HC18M30xD是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机 · 内部有4K*16 biHC89F302C-SOP24-T
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HC89F30xC是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机 · 内部有16K ByteHC18M302D-SOP20-T
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HC18M30xD是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机 · 内部有4K*16 biHC18M003-TSSOP20-T
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HC18M30xD是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机 · 内部有4K*16 biHC89F3531-SOP24-T-M
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HC89F3541 · 3531HC16P122B1-SOP16-T
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HC16P122A1 · B1是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机HC89F3531B-TSSOP20-T-M
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HC89F3531B是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机 · 内部有32K BytHC89S105AS8T7CM
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HC89S105A 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机 · 内部最多 64KHC18P133L-SSOP24-T
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HC18P13xL是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机 · 内部有 4K×16HC16P122A1-SOP8-T
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HC16P122A1 · B1是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机HC89F3531B-SOP20-T-M
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HC89F3531B是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机 · 内部有32K BytHC89F3541-SOP28-T-M
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HC89F3541 · 3531HC18M002-SOP16-T
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HC18M30xD是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机 · 内部有4K*16 biHC18M301D-SOP16-T
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HC18M30xD是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机 · 内部有4K*16 biHC89F3421B-SOP16-T-M
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HC89F3421B是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机 · 内部有32K BytHC18M121B1-SOP14-T
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HC18M121B1是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机 · 内部有2K×14HC89F302C-SOP20-T
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HC89F30xC是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机 · 内部有16K ByteHC89F3541B-LQFP32-Y-M
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HC89F3541B是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机 · 内部有32K BytHC18P018A0-SOP8-T
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HC18P018A0是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机 · 内置大功率1AHC18M121B1-S16B-T
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HC18M121B1是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机 · 内部有2K×14HC89F3541B-SSOP28-T-M
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HC89F3541B是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机 · 内部有32K BytHC18M303D-SOP28-T
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HC18M30xD是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机 · 内部有4K*16 biHC18M121B1-SOP8-T
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HC18M121B1是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机 · 内部有2K×14HC89F0411A-SOP8-T-M
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HC89F0411A是一颗采用高频低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位单片机 · 内部有12KBytesHC89S703
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HC89S703 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机 · 内部有 16K BHC89F303C-SOP28-T
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HC89F30xC 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位触摸单片机 · 内部有 16HC89S003AF4P7M
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HC18P018A0是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机 · 内置大功率1AHC89F0541-LQFP32-Y-M
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HC89F0541 · 0531 是采用高速低功耗CMOS 工艺设计开发的增强型8 位单片机SQ2711L-SOP14-T
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SQ2711L系列是采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机 · 内部有1K×16位一次HC18P233L-SSOP24-T
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HC18P23xL是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机 · 内部有8K×16位SQ2711L-SOP16-T
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SQ2711L系列是采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机 · 内部有1K×16位一次HC89S105S8T6CNMC
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HC89S105S8T6是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位单片机 · 内部有64KByteHC89F0322-SOP16-T-M
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HC89F0332 · 0322是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8 位单片机HC18P235L-LQFP48-Y
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HC18P23xL是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机 · 内部有8K×16位HC89S105AK8T7CM
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HC89S105A 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机 · 内部最多64KHC89F301C-SOP16-T
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HC89F30xC是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机 · 内部有16K ByteHC89F0431A-TSS020-T-M
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HC89F0431A是一颗采用高频低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位单片机 · 内部有16KBytesHC89F0312-SOP8-T-M
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HC89F0332 · 0322HC88T3661-LQFP44-Y-M
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HC88T36x1是一颗高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机 · 内部有64K FLASH程HC89F0421A-SOP16-T-M
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HC89F0421A是一颗采用高频低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位单片机 · 内部有16KBytesHC89F3531-SOP20-T-M
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HC89F3541 · 3531HC89F0541-QFN32-Y-M
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HC89F0541是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位单片机 · 内部有32KBytes FHC88T3681-LQFP64-Y-M
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HC88T36x1是一颗高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机 · 内部有64K FLASH程SQ2711L-SOP8-T
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SQ2711L系列是采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机 · 内部有1K×16位一次HC89F0332-TSS020-T-M
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HC89F0332 · 0322是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8 位单片机HC89F0531-SSOP24-T-M
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HC89F0541 · 0531 是采用高速低功耗CMOS 工艺设计开发的增强型8 位单片机HC88T3671-LQFP48-Y-M
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HC88T36x1是一颗高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机 · 内部有64K FLASH程HC89F3531B-SOP24-T-M
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HC89F3531B是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机 · 内部有32K BytHC16P122B1-SOP14-T
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HC16P122A1 · B1是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机HC18P132L-SOP16-T
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HC18P13xL是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机 · 内部有 4K×16HC89S103K6T6CPM
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HC89S103K6T6是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位单片机 · 内部有32KByteHC89F0431A-SOP20-T-M
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HC89F0431A是一颗采用高频低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位单片机 · 内部有16KBytesHC18M301D-SOP8-T
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HC18M30xD是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机 · 内部有4K*16 biHC89S105K8T6
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HC89S105xx 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机 · 内部最多 64HC18P133L-SOP20-T
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HC18P13xL是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机 · 内部有4K×16HC15P013A0-SOP8
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HC15P013A0 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的 8 位高性能精简指令单片机 · 内有1HC89F3541B-SOP28-T-M
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HC89F3541B是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位触摸单片机 · 内部有32K BytHC16P122B1-S16B-T
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HC16P122A1 · B1是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机HC18P015A0-SOP8
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HC18P015A0是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机 · 内有1K*14HC18P110A0-SOP8-T
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HC18P110A0 · B0是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片 机HC18P110B0-SOP14-T
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HC18P110A0 · B0是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片 机HC18P110B0-SOP16-T
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HC18P110A0 · B0是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片 机HC18P122L-SOP16-T
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HC18P12xL是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机 · 内部有 2Kx16HC89S105AC8T7M
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HC89S105A 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机 · 内部最多 64KHC89S105C8T6NMC
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HC89S105C8T6是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位单片机 · 内部有64KByteHC89S105K8T6NMC
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HC89S105K8T6是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的增强型8位单片机 · 内部有64KByteSQ013L-SOP8-T
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SQ013L是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机 · 内部有1K*14位一次性SQ013L-SOT23-6-TR
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SQ013L是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机 · 内部有1K*14位一次性SQ015L-SOP14-T
holychip(芯圣电子)
SQ015L是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机 · 内有1K*14位一次性可SQ015L-SOP16-T
holychip(芯圣电子)
SQ015L是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机 · 内有1K*14位一次性可SQ015L-SOP8-T
holychip(芯圣电子)
SQ015L是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机 · 内有1K*14位一次性可SQ015L-SOT23-6-R
holychip(芯圣电子)
SQ015L是一颗采用高速低功耗CMOS工艺设计开发的8位高性能精简指令单片机 · 内有1K*14位一次性可