制造商现货
WPMtek(维攀) 制造商型号现货与清单询价
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CLAMP0504DT
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CLAMP0504DT是一款超低电容TVS阵列 · 采用领先的单片硅技术WL9005D4-33
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超小封装 0.3uA超低功耗 100mV超低压差 500mA超大电流输出 70dB@(1KHz)高纹波抑制CLAMP0551P1
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CLAMP0551P1采用威攀穿通工艺的TVS技术设计 · 旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)影响WPE0521
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WPE0521采用WPMTEK穿通工艺的瞬态电压抑制(TVS)技术设计 · 可保护电压敏感元件免受静电放电(CLAMP1211P
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CLAMP1211P是一款12V双向瞬态电压抑制(TVS)二极管 · 采用先进的单片硅技术WPE0521NB
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WPE0521NB是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管 · 采用先进的单晶硅技术WPE0501P1
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WPE0501P1是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管 · 采用领先的单片硅技术WPE1261KP1
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WPE1261KP1是一款12V双向瞬态电压抑制(TVS)二极管 · 采用领先的单片硅技术WTM2302
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WTM2302采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷WPE0521PZ
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WPE0521PZ 旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)影响 · 出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间CLAMP0561P1
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CLAMP0561P1是一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管 · 采用先进的单片硅技术WL9005S5-33
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带EN 0.3uA超低功耗 100mV超低压差 500mA超大电流输出 70dB@(1KHz)高纹波抑制WPE3V3D3ULA
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WPE3V3D3ULA是一款5V双向瞬态电压抑制(TVS)二极管 · 采用领先的单片硅技术P4SMA350CA
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TVS 二极管可用于多种应用 · 如消费电子产品、电信和智能控制系统WL9005S3-33
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0.3uA超低功耗 100mV超低压差 500mA超大电流输出 70dB@(1KHz)高纹波抑制WTM2300
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WTM2300采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷WPE0731D3
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WPE0731D3是一款单向高功率瞬态电压抑制(TVS)二极管 · 采用领先的单片硅技术CLAMP0524P
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CLAMP0524P 是一款超低电容 TVS 阵列 · 采用领先的单片硅技术WL9005S3-15
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0.3uA超低功耗 100mV超低压差 500mA超大电流输出 70dB@(1KHz)高纹波抑制CLAMP0504S
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CLAMP0504S是一款超低电容的瞬态电压抑制(TVS)阵列 · 采用先进的单片硅技术WPE0791ZP4
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WPE0791ZP4是一款高功率瞬态电压抑制器(TVS) · 采用领先的单片硅技术WPE0561D3
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WPE0561D3旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响 · 出色的钳位能力、低泄漏2.0SMBJ58CA
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2.0SMBJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计WTM2305
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WTM2305采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷ESD5B5CL
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ESD5B5CL旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响 · 出色的钳位能力、低泄漏电WPE5V0D3ULA
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WPExxxD3ULA是超低电容瞬态电压抑制器阵列 · 旨在保护便携式电子设备和智能手机等应用WL9005S3-12
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0.3uA超低功耗 100mV超低压差 500mA超大电流输出 70dB@(1KHz)高纹波抑制WTM08N70AD
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N沟道 漏源电压(Vdss): 700V 连续漏极电流(Id): 8A 功率(Pd): 125W 导通电阻(P0080TVB
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P0080TVB 晶闸管是一种半导体组件 · 它们被设计用于调制解调器、电话、线路卡、答录机、传真机、SLIWL9005HS5-33
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带EN 0.2uA超低功耗 130mV超低压差 500mA超大电流输出 60dB@(1KHz)高纹波抑制WL9005S5-30
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带EN 0.3uA超低功耗 100mV超低压差 500mA超大电流输出 70dB@(1KHz)高纹波抑制WPE8V0D3ULA
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WPE8V0D3ULA是一款8V双向瞬态电压抑制(TVS)二极管 · 采用领先的单片硅技术WTM2306
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WTM2306采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)WTM3400
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WTM3400采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷WL9002HD4-33
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带EN 0.8uA超低功耗 130mV超低压差 500mA超大电流输出 65dB@(1KHz)高纹波抑制SMF5.0CAL
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TVS二极管可用于多种应用 · 如消费电子产品、电信和智能控制系统SMF05
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SMF系列瞬态电压抑制(TVS)阵列旨在保护敏感电子设备免受因静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件造成WL9005S5-18
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带EN 0.3uA超低功耗 100mV超低压差 500mA超大电流输出 70dB@(1KHz)高纹波抑制WP61300B
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该器件专门设计用于保护 1 条低压或信号线以及传统 RS - 485 接口 · 使其免受瞬态过电压影响WPE12VD3ULA
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WPE12VD3ULA是一款12V双向瞬态电压抑制(TVS)二极管 · 采用领先的单片硅技术WL6026A18S3M
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低功耗LDO WL6026系列是高纹波抑制率、低功耗、低压差 · 具有过流和短路保护的CMOS降压型电压稳压PSD15CL
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PSD15CL旨在采用单片硅技术 · 替代手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中的多层压敏电1.5KE20A
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高电流单 · 双向瞬态抑制器设计用于交流线路保护和高功率直流母线钳位应用WL9193S5-30
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带EN 36uA超低功耗 200mV超低压差 500mA超大电流输出 75dB@(1KHz)高纹波抑制WL9100S3-50B
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WL9100系列是一款高压、微功耗、低压差稳压器 · 该器件可提供150mA的输出电流WTM3415
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采用先进的沟槽技术 · 提供优异的导通电阻 (RDS(ON))、低栅极电荷WL9002P3-33
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WL9002系列是一组采用CMOS和激光微调技术制造的低功耗、低压差正电压稳压器 · 当输入WL9005P3-33
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0.3uA超低功耗 100mV超低压差 500mA超大电流输出 70dB@(1KHz)高纹波抑制WPE0581D3H
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WPE0581D3H旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响 · 出色的钳位能力、低泄WL6026A15S3M
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低功耗LDO WL6026系列是高纹波抑制率、低功耗、低压差 · 具有过流和短路保护的CMOS降压型电压稳压1.5KE30CA
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高电流单 · 双向瞬态抑制器设计用于交流线路保护和高功率直流母线钳位应用WL9005S5-28
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带EN 0.3uA超低功耗 100mV超低压差 500mA超大电流输出 70dB@(1KHz)高纹波抑制WL9005HS5-26
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带EN 0.2uA超低功耗 130mV超低压差 500mA超大电流输出 60dB@(1KHz)高纹波抑制WL9005HS5-18
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带EN 0.2uA超低功耗 130mV超低压差 500mA超大电流输出 60dB@(1KHz)高纹波抑制WL9193S5-18
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带EN 36uA超低功耗 200mV超低压差 500mA超大电流输出 75dB@(1KHz)高纹波抑制WL9193S5-28
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带EN 36uA超低功耗 200mV超低压差 500mA超大电流输出 75dB@(1KHz)高纹波抑制WL9005HS3-12
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带EN 0.2uA超低功耗 130mV超低压差 500mA超大电流输出 60dB@(1KHz)高纹波抑制WL9005HS5-15
WPMtek(维攀)
带EN 0.2uA超低功耗 130mV超低压差 500mA超大电流输出 60dB@(1KHz)高纹波抑制WL9005HS5-25
WPMtek(维攀)
带EN 0.2uA超低功耗 130mV超低压差 500mA超大电流输出 60dB@(1KHz)高纹波抑制WL9193S5-25
WPMtek(维攀)
带EN 36uA超低功耗 200mV超低压差 500mA超大电流输出 75dB@(1KHz)高纹波抑制WL9005HS3-15
WPMtek(维攀)
带EN 0.2uA超低功耗 130mV超低压差 500mA超大电流输出 60dB@(1KHz)高纹波抑制WL9005HS3-25
WPMtek(维攀)
带EN 0.2uA超低功耗 130mV超低压差 500mA超大电流输出 60dB@(1KHz)高纹波抑制WL9005HS3-30
WPMtek(维攀)
带EN 0.2uA超低功耗 130mV超低压差 500mA超大电流输出 60dB@(1KHz)高纹波抑制WL9193S5-12
WPMtek(维攀)
带EN 36uA超低功耗 200mV超低压差 500mA超大电流输出 75dB@(1KHz)高纹波抑制WL9005HS5-30
WPMtek(维攀)
带EN 0.2uA超低功耗 130mV超低压差 500mA超大电流输出 60dB@(1KHz)高纹波抑制WL9005HS3-18
WPMtek(维攀)
带EN 0.2uA超低功耗 130mV超低压差 500mA超大电流输出 60dB@(1KHz)高纹波抑制WL9005HS5-28
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带EN 0.2uA超低功耗 130mV超低压差 500mA超大电流输出 60dB@(1KHz)高纹波抑制SR05LC
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SR05LC是一款双线超低电容TVS二极管阵列 · 采用领先的单片硅技术WL9005HS3-33
WPMtek(维攀)
带EN 0.2uA超低功耗 130mV超低压差 500mA超大电流输出 60dB@(1KHz)高纹波抑制