制造商现货
WILLSEMI(韦尔) 制造商型号现货与清单询价
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605匹配型号
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
ESD5431N-2/TR
WILLSEMI(韦尔)
ESD5431N是一款双向TVS（瞬态电压抑制器） · 它专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-2
80,000
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ESD5451N-2/TR
WILLSEMI(韦尔)
ESD5451N是一款双向式瞬态电压抑制器（TVS） · 它专门用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-2
60,000
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ESD5304D-10/TR
WILLSEMI(韦尔)
ESD5304D是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列 · 旨在保护高速数据接口TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-2510-10
59,005
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WL2803E18-5/TR
WILLSEMI(韦尔)
WL2803E系列是超低压降、低静态电流、高电源抑制比（PSRR）的CMOS低压差线性稳压器（LDO） ·电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23-5
12,000
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WPM1480-3/TR
WILLSEMI(韦尔)
WPM1480采用先进的沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-323
7,718
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ESD5311N-2/TR
WILLSEMI(韦尔)
ESD5311N是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器） · 旨在保护高速数据接口TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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ESD56101D10-2/TR
WILLSEMI(韦尔)
ESD56101D10-2 · TR三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1610-2
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ESD56151D04-2/TR
WILLSEMI(韦尔)
ESD56201DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器 · 适用于替代便携式电子产品中的多个分立元件三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1610-2
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ESD56201D24-2/TR
WILLSEMI(韦尔)
ESD56201D24-2 · TR三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1610-2L
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ESD56321N09-2/TR
WILLSEMI(韦尔)
ESD56321N09-2 · TRTVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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ESD9B5VDA-2/TR
WILLSEMI(韦尔)
ESD9B5VDA是一款瞬态电压抑制器（TVS） · 可为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供高水平三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-923
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ESD5451X-2/TR
WILLSEMI(韦尔)
ESD5451X是一款双向TVS（瞬态电压抑制器） · 专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设计TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
FBP-02C
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WPM3028B-8/TR
WILLSEMI(韦尔)
WPM3028B 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管 · 采用先进的沟槽技术和设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3333-8L
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ESD54151N-2/TR
WILLSEMI(韦尔)
ESD54151N是一款双向TVS（瞬态电压抑制器） · 它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2
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WNM2072-3/TR
WILLSEMI(韦尔)
WNM2072是N沟道增强型MOS场效应晶体管 · 采用先进的沟槽技术和设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-1006-3L
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ESD9B5VL-2/TR
WILLSEMI(韦尔)
ESD9B5VL是一款双向TVS（瞬态电压抑制器） · 它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
FBP-02C
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ESD5411N-2/TR
WILLSEMI(韦尔)
ESD5411N是一款双向瞬态电压抑制器（TVS） · 它专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件而设三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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ESD5641D10-3/TR
WILLSEMI(韦尔)
ESD5641DXX是一款用于保护电源接口的瞬态电压抑制器 · 适用于替代便携式电子设备中的多个分立元件三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-2x2-3L
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WNM3019-3/TR
WILLSEMI(韦尔)
WNM3019 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管 · 采用先进的沟槽技术和设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-523
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WPM1488-3/TR
WILLSEMI(韦尔)
WPM1488 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管 · 采用先进的沟槽技术和设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-323
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WPM3012-3/TR
WILLSEMI(韦尔)
WPM3012 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管 · 采用先进的沟槽技术和设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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WS7916S-6/TR
WILLSEMI(韦尔)
WS7916S 是一款适用于 GNSS 接收器应用的低噪声放大器 · 包括 GPS、GLONASS、BeiD射频芯片/天线 > 射频低噪声放大器
DFN-6
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WS7918DC-6/TR
WILLSEMI(韦尔)
WS7918DC 是一种用于GPS接收应用的低噪声放大器 · 采用小型6引脚DFN封装射频芯片/天线 > 射频低噪声放大器
DFN-6
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ESD5341N-2/TR
WILLSEMI(韦尔)
ESD5341N是一款低电容TVS（瞬态电压抑制器） · 专为保护高速数据接口而设计TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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WNM2021-3/TR
WILLSEMI(韦尔)
WNM2021 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管 · 采用先进的沟槽技术和设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-323
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WNM6002-3/TR
WILLSEMI(韦尔)
WNM66002 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管 · 采用先进的沟槽技术和设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-323
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ESD5651N-2/TR
WILLSEMI(韦尔)
ESD5651N是一款双向TVS（瞬态电压抑制器） · 它专为保护连接到电源线的敏感电子元件而设计TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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ESD9X5VU-2/TR
WILLSEMI(韦尔)
ESD9X5VU 是一款单向瞬态电压抑制器 (TVS) · 可为可能遭受静电放电 (ESD) 的敏感电子元件TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
FBP-02C
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ESD56171D04-3/TR
WILLSEMI(韦尔)
ESD56171D04是一款双向瞬态电压抑制器 · 专为保护电源接口而设计TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-2020-3
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WNM5002-3/TR
WILLSEMI(韦尔)
WNM5002 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管 · 采用先进的沟槽技术和设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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ESD5471X-2/TR
WILLSEMI(韦尔)
ESD5471X是一款双向瞬态电压抑制器（TVS） · 它专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
FBP-02C
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ESD73034D-10/TR
WILLSEMI(韦尔)
ESD73034D是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器）阵列 · 旨在保护高速数据接口TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-2510-10L
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ESD5311Z-2/TR
WILLSEMI(韦尔)
ESD5311Z是一款超低电容TVS（瞬态电压抑制器） · 旨在保护高速数据接口TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-0603-2L
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