制造商现货
WEIDA(韦达) 制造商型号现货与清单询价
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83匹配型号
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
PCR606
WEIDA(韦达)
逻辑电平敏感栅极三端双向可控硅 · 旨在直接与微控制器、逻辑集成电路和其他低功率栅极触发电路接口三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
SOT-23
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BTA16-800BW
WEIDA(韦达)
BTA16 · BTB16 系列双向可控硅具有承受大电流冲击负载的高能力三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-220
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PESD7V0F1BL
WEIDA(韦达)
特性:电容:15pF(典型值) · 反向工作电压:TV三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2
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PESD5V0U1BL
WEIDA(韦达)
特性:超低电容:0.30pF(典型值) · 反向工作电压:5VTVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2
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P61089B
WEIDA(韦达)
该器件专门设计用于保护用户线接口电路(SLIC)免受瞬态过电压影响 · 正向过载通过2个二极管进行限幅TVS/保险丝/板级保护 > 浪涌保护器
SOP-8
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BT131-800D-223
WEIDA(韦达)
可控硅类型: 双向可控硅\n断态峰值电压(Vdrm): 800V\n通态RMS电流(It(rms)):1A三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
SOD-223-3L
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BT138-600D
WEIDA(韦达)
BT138 系列双向可控硅保持电流和闩锁电流较低 · 特别推荐用于中小电阻型功率负载三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-252
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BT136-800D
WEIDA(韦达)
BT136 系列双向晶闸管具有低维持电流和低触发电流 · 特别推荐用于中小功率电阻性负载三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-252-4R
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MCR100-8-89
WEIDA(韦达)
可控硅类型: 单向可控硅\n断态峰值电压(Vdrm): 800V\n门极触发电流(Igt): 200uA\n三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
SOT-89-3L
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BTB06-600CW
WEIDA(韦达)
BTA06 · BTB06 系列双向可控硅具有很强的承受大电流冲击负载的能力三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-252
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1.5KE550CA
WEIDA(韦达)
双向TVS 467V截止 峰值浪涌电流:2A@10 · 1000usTVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DO-27
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MCR16
WEIDA(韦达)
MCR100 - 6 可控硅整流器(SCR)系列具备高 dv · dt 速率三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
SOT-23-3L
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T3035H-800B
WEIDA(韦达)
可控硅类型: 双向可控硅\n断态峰值电压(Vdrm): 800V\n门极触发电流(Igt): 35mA\n保三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-220B
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BTA10-800BW
WEIDA(韦达)
BTA10 · BTB10 系列三端双向可控硅具有高耐大电流冲击负载能力三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-220
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T810
WEIDA(韦达)
直流反向耐压(Vr) 1kV \n平均整流电流(Io) 8A \n正向压降(Vf) 1V@4A \n反向电流三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-252
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PESD5V0S1BL
WEIDA(韦达)
特性:电容:15pF(典型值) · 反向工作电压:5VTVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2
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PESD5V0S1BBN
WEIDA(韦达)
特性:75瓦峰值脉冲功率(tp = 8 · 20μs)TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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PESD12VV1BL
WEIDA(韦达)
特性:低电容:8pF(典型值) · 反向工作电压:12VTVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2
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PESD4V5F1BL
WEIDA(韦达)
特性:电容:最大80pF · 反向工作电压:4.5V三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2
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15N10
WEIDA(韦达)
类型: 1个N沟道\n漏源电压(Vdss): 100V\n连续漏极电流(Id): 15A\n导通电阻(RDS三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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T1635H-800B
WEIDA(韦达)
可控硅类型: 双向可控硅\n断态峰值电压(Vdrm): 800V\n门极触发电流(Igt): 35mA\n保三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-220B
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BTA41-1200BW
WEIDA(韦达)
可控硅类型: 双向可控硅\n断态峰值电压(Vdrm): 1200V\n门极触发电流(Igt): 50mA\n三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-3P
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WCR1K2N65TF
WEIDA(韦达)
WCR1K2N65系列是新一代高压MOSFET产品 · 采用先进的电荷平衡机制三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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BTA06-600CW
WEIDA(韦达)
BTA06 · BTB06 系列双向可控硅具有很强的承受大电流冲击负载的能力三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-220
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BT139-800E
WEIDA(韦达)
BT139 系列双向晶闸管具有低维持电流和低闩锁电流 · 特别推荐用于中小电阻型功率负载三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-220
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BTB26-800CW
WEIDA(韦达)
可控硅类型: 双向可控硅\n断态峰值电压(Vdrm): 1200V\n门极触发电流(Igt): 35mA\n三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-220B
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