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VBsemi(微碧半导体) 制造商型号现货与清单询价

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VBF16I07

VBsemi(微碧半导体)

IGBT · TO251
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VBE16I07

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IGBT · TO252
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VBE16I10

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IGBT · TO252
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STGF19NC60KD-VB

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VBL16I07

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VBL16I10

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IGBT · TO263
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VBL16I15

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IGBT · TO263
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VBL16I25

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VBL16I25
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VBL16I30

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IGBT · TO263
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VBM16I10

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IGBT · TO220
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VBM16I15

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IGBT · TO220
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VBM16I20

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IGBT · TO220
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VBMB16I07

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IGBT · TO220F
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VBMB16I10

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IGBT · TO220F
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IGBT · TO220F
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VBMB16I20

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IGBT · TO220F
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AIMW120R045M1-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:60A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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AIMW120R045M1XKSA1-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:60A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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AIMW120R080M1-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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AIMZH120R080M1T-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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AIMZHN120R060M1T-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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AIMZHN120R060M1TXKSA1-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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AIMZHN120R080M1T-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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AIMZHN120R080M1TXKSA1-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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AOK060V65X2-VB

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漏极源极电压VDS(V):650V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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AOK065V65X2-VB

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漏极源极电压VDS(V):650V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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AOM060V65X2-VB

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漏极源极电压VDS(V):650V · 电流:30A
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AS2M040120P-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:60A
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C2M0080120D-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C3M0040120K-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:60A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C3M0075120D-A-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C3M0075120D-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C3M0075120K-A-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C3M0075120K-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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C3M0075120K1-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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DIW120SIC059-AQ-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:60A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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DMWSH120H90SM3Q-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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E3M0075120D-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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G3R75MT12D-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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GP2T040A120U-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:60A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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GP2T080A120H-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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IMW120R030M1H-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:60A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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IMW120R030M1HXKSA1-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:60A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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IMW120R040M1H-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:60A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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IMW120R045M1XKSA1-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:60A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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IMW120R060M1HXKSA1-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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IMW120R090M1HXKSA1-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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IMW65R048M1H-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):650V · 电流:40A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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IMW65R057M1H-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):650V · 电流:40A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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IMW65R072M1H-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):650V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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IMZ120R030M1HXKSA1-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:60A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4L
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IMZ120R060M1HXKSA1-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4L
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IMZ120R090M1H-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4L
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IMZA65R072M1H-VB

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漏极源极电压VDS(V):650V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4
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LSIC1MO120G0080-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4L
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MSC040SMA120B4-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:60A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4L
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MXP120A080FW-GE3-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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NSF040120L3A0Q-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:60A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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NSF040120L4A0Q-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:60A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4L
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NSF080120L4A0Q-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4L
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NTH4L040N120SC1-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:60A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4L
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NTH4L075N065SC1-VB

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漏极源极电压VDS(V):650V · 电流:40A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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NTHL070N120M3S-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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NTHL075N065SC1-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):650V · 电流:40A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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NTHL080N120SC1A-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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NVH4L040N120SC1-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:60A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4L
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NVH4L095N065SC1-VB

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漏极源极电压VDS(V):650V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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NVHL040N120SC1-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:60A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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NVHL075N065SC1-VB

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漏极源极电压VDS(V):650V · 电流:40A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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NVHL080N120SC1A-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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P3M12040K3-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:60A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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P3M12080K3-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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S2M0040120D-1-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:60A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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S2M0040120D-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:60A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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S2M0080120D-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247
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SCT025W120G3-4AG-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:60A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4L
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SCT055W65G3-4AG-VB

VBsemi(微碧半导体)

漏极源极电压VDS(V):650V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4
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SCT2080KEC-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
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SCT2080KEGC11-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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SCT2080KEHRC11-VB

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漏极源极电压VDS(V):1200V · 电流:30A
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