制造商现货
TWGMC(迪嘉) 制造商型号现货与清单询价
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404匹配型号
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
ESD0603E002M05
TWGMC(迪嘉)
?最大钳位电压（VC):40V 工作电压（VDC):5V 结电容（CJ）:0.8PFTVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
0603
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SS36(SMC)
TWGMC(迪嘉)
二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：60V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：950mV@二极管 > 肖特基二极管
SMC
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SS56(SMB)
TWGMC(迪嘉)
二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：60V 平均整流电流(Io)：5A 正向压降(Vf)：550mV@二极管 > 肖特基二极管
SMB
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SS34(SMB)
TWGMC(迪嘉)
二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：950mV@二极管 > 肖特基二极管
SMB
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BAT54H
TWGMC(迪嘉)
二极管配置: 独立式 正向压降(Vf): 800mV@100mA\n直流反向耐压(Vr): 30V 整流电流二极管 > 肖特基二极管
SOD-323
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ESN2F5B1AA
TWGMC(迪嘉)
极性：双向\n反向截止电压：5V\n钳位电压：13V\n峰值脉冲电流：8ATVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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AO3415B
TWGMC(迪嘉)
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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2SK3018W
TWGMC(迪嘉)
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：200mW 导通三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-323
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SS310(SMB)
TWGMC(迪嘉)
二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：850mV二极管 > 肖特基二极管
SMB
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SS210(SMB)
TWGMC(迪嘉)
二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：850mV二极管 > 肖特基二极管
SMB
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MAX3485ESA
TWGMC(迪嘉)
MAX3485ESA是一款3.3V供电、半双工、低功耗的RS-485收发器 · 完全符合TlA通信接口芯片 > RS-485/RS-422芯片
SOP-8
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SS54(SMB)
TWGMC(迪嘉)
二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：5A 正向压降(Vf)：550mV@二极管 > 肖特基二极管
SMB
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AO3404-TWGMC
TWGMC(迪嘉)
1个N沟道\n漏源电压30V\n连续漏极电流6A\n导通电阻18mΩ@10V 应用于MB · VGA三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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AMS1117-3.3(SOT-89)
TWGMC(迪嘉)
输出类型: 固定 工作电压: 18V 输出电压: 3.3V 输出电流: 1A电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-89
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PXT3904
TWGMC(迪嘉)
晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：500三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-89
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2SC4177
TWGMC(迪嘉)
晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：150三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-323
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PESDUC2FD5VB
TWGMC(迪嘉)
极性：双向\n反向截止电压：5V\n钳位电压：22V\n峰值脉冲电流：4.5A@8 · 20usTVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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ESDA5B0M5D2
TWGMC(迪嘉)
极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压(VBR)：6V 钳位电压(Vc)@Ipp：20V 反向TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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PESD0402MS18
TWGMC(迪嘉)
类型: ESD 反向截止电压(Vrwm): 18V 容值:0.05PF三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
0402
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ESH16F5U1DB
TWGMC(迪嘉)
极性：单向\n反向截止电压：5V\n钳位电压：20V\n峰值脉冲电流：30A@8 · 20usTVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1610-2L
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PESD0402MS12
TWGMC(迪嘉)
类型: ESD 反向截止电压(Vrwm): 12V 容值:0.05PF三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
0402
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PESD0402MS05
TWGMC(迪嘉)
类型: ESD 反向截止电压(Vrwm): 5V 容值:0.05PFTVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-882
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ESDJ5B0U4D2
TWGMC(迪嘉)
反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压(VBR)：6V 钳位电压(Vc)@Ipp：12V 反向截止电压(V三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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SS36(SMB)
TWGMC(迪嘉)
二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：60V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：950mV@二极管 > 肖特基二极管
SMB
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ESN9D5B1AA
TWGMC(迪嘉)
极性：双向\n反向截止电压：5V\n钳位电压：12V\n峰值脉冲电流：8A@8 · 20us三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-923
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79L08
TWGMC(迪嘉)
输出类型：固定 输出极性：负 最大输入电压：35V 输出电压：8V 输出电流：150mA 电源纹波抑制比(P电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-89
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ESDK5B0U0S9
TWGMC(迪嘉)
反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压(VBR)：6V 钳位电压(Vc)@Ipp：14V 反向截止电压(V三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-923
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SS510(SMB)
TWGMC(迪嘉)
二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：5A 正向压降(Vf)：850mV二极管 > 肖特基二极管
SMB
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BSS138KW
TWGMC(迪嘉)
漏源电压：55V\n连续漏极电流：350mA\nN沟道 · 带ESD保护三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-323
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FDN308P-TWGMC
TWGMC(迪嘉)
漏源电压：20V\n连续漏极电流：2.9A 导通电阻65mΩ@4.5V \nN沟道 · 带ESD保护三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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TW3139KT
TWGMC(迪嘉)
1个P沟道\n漏源电：20V\n连续漏极电流：660mA\n导通电阻520mΩ@4.5V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-523
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SP485EN
TWGMC(迪嘉)
SP485EN是用于RS-485和RS-422通信的低功耗收发器 · 该IC包含一个驱动器和一个接收器通信接口芯片 > RS-485/RS-422芯片
SOP-8
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FZT653
TWGMC(迪嘉)
晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic): 3A 集射极击穿电压(Vceo): 120V三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-223
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SI2301T-TWGMC
TWGMC(迪嘉)
1个P沟道\n漏源电：20V\n连续漏极电流：2.1A\n导通电阻120mΩ@4.5V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-523
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SS220(SMA)
TWGMC(迪嘉)
二极管配置: 独立式 正向压降(Vf): 950mV@2A 直流反向耐压(Vr): 200V 整流电流: 2二极管 > 肖特基二极管
SMA
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ES2G(SMB)
TWGMC(迪嘉)
二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1V@2A二极管 > 快恢复/高效率二极管
SMB
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1N5818WS
TWGMC(迪嘉)
二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：30V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：875mV@二极管 > 肖特基二极管
SOD-323
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SS510(SMC)
TWGMC(迪嘉)
二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：5A 正向压降(Vf)：850mV二极管 > 肖特基二极管
SMC
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RS2G(SMB)
TWGMC(迪嘉)
二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1.3V@二极管 > 快恢复/高效率二极管
SMB
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ES3D(SMC)
TWGMC(迪嘉)
二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1V@3A二极管 > 快恢复/高效率二极管
SMC
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BAT43WS
TWGMC(迪嘉)
二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：30V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：450二极管 > 肖特基二极管
SOD-323
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ES2D(SMB)
TWGMC(迪嘉)
二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1V@2A二极管 > 快恢复/高效率二极管
SMB
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RS3A
TWGMC(迪嘉)
二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：50V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1.3V@3二极管 > 快恢复/高效率二极管
SMB
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AO3407-L-TWGMC
TWGMC(迪嘉)
数量1个P沟道\n漏源电压(Vdss)30V\n连续漏极电流(Id)4.2A\n导通电阻(RDS(on))5三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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AO3413-L-TWGMC
TWGMC(迪嘉)
数量1个P沟道\n漏源电压(Vdss)20V\n连续漏极电流(Id)3A\n导通电阻(RDS(on))65m三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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AO3415-L-TWGMC
TWGMC(迪嘉)
数量1个P沟道\n漏源电压(Vdss)20V\n连续漏极电流(Id)4.2A\n导通电阻(RDS(on))4三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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AO3420-L-TWGMC
TWGMC(迪嘉)
数量1个N沟道\n漏源电压(Vdss)20V\n连续漏极电流(Id)6.5A\n导通电阻(RDS(on))1三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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AO3423-L-TWGMC
TWGMC(迪嘉)
数量1个P沟道\n漏源电压(Vdss)20V\n连续漏极电流(Id)3A\n导通电阻(RDS(on))70m三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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ES3J(SMB)
TWGMC(迪嘉)
二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1.68V二极管 > 快恢复/高效率二极管
SMB
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TW15N06S
TWGMC(迪嘉)
数量1个N沟道\n漏源电压(Vdss)60V\n连续漏极电流(Id)15A\n导通电阻(RDS(on))28三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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TW4606
TWGMC(迪嘉)
数量:1个N沟道+1个P沟道\n漏源电压(Vdss):30V\n连续漏极电流(Id):7A · -6A\n导三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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