Slkor(萨科微) 制造商型号现货与清单询价

2SC2712-Y

Slkor(萨科微)

特性：高电压和高电流：VCEO = 50V · Ic = 150mA（最大值）

FDN304P

Slkor(萨科微)

场效应管

FDN302P

Slkor(萨科微)

场效应管

2SD1898-R

Slkor(萨科微)

特性：高VCEO · VCEO = 80V

74HC4051PW

Slkor(萨科微)

该器件是一款数字控制的模拟开关 · 采用硅栅CMOS技术

FDN306P

Slkor(萨科微)

场效应管

CD4001BM

Slkor(萨科微)

这些四栅极是由N通道和p通道增强模式晶体管构成的单片互补MOS(CMOS)集成电路 · 它们具有相等的源和汇

SM4007PLA7

Slkor(萨科微)

特性：塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级 · 采用无空隙模塑塑料技术

SLSS39E-9

Slkor(萨科微)

SS39E线性霍尔效应传感器是一种小巧、通用的设备 · 由永磁体产生的磁场驱动

ZMM2V0

Slkor(萨科微)

采用MiniMELF封装 · 特别适用于自动插入

RS1M

Slkor(萨科微)

特性：低轮廓表面贴装封装 · 快速恢复时间

AO3400-SL

Slkor(萨科微)

特性：Trench Power LV MOSFET技术 · 高密度单元设计

BAT54AW

Slkor(萨科微)

特性：极快的开关速度

C1815

Slkor(萨科微)

特性：功率耗散

SL1603SL

Slkor(萨科微)

Polarity 全极 VDD(V) 1.6-5.5 IDD(uA) 1.6 TA(℃) -40～85 BO

SLESD5Z5V

Slkor(萨科微)

SLESD5Z 系列产品旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响 · 出色的钳位能力、

CD4013

Slkor(萨科微)

CD4013是一双D触发器 · 由两个相同的、相互独立的数据型触发器构成

SLSS49E-3

Slkor(萨科微)

SLSs49E线性霍尔效应传感器是一款小巧、多功能的设备 · 由永久磁铁产生的磁场驱动

SLESDL0402-24

Slkor(萨科微)

适用于高频、低电压应用的理想静电放电（ESD）保护器件

SLESDTU5V0A1

Slkor(萨科微)

SLESDTU5V0 A1是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS） · 旨在为高速数据接口提供静电放电（ESD）

SEU0501P1

Slkor(萨科微)

特性：超低电容：0.35pF（典型值） · 反向工作电压：5V

SLESD05D6CU

Slkor(萨科微)

SLESD05D6CU旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响 · 出色的钳位能力、低

SLNC2F5V1BB

Slkor(萨科微)

SLNC2F5V1BB旨在保护电压敏感元件 · 避免其因静电放电（ESD）而损坏或发生闩锁效应

ZMM10

Slkor(萨科微)

采用MiniMELF封装 · 特别适用于自动插入

SLPESD0201M42

Slkor(萨科微)

特性：超低电容：0.05pF（典型值） · 低漏电流：<10nA

SL2054

Slkor(萨科微)

肖特基检波二极管

SL10N10A

Slkor(萨科微)

类型 N VDSS(V) 100 ID@TC=88?C(A) 10 PD@TC=88?C(W) 3.1 VG

SLESD11LL5.0CT5G

Slkor(萨科微)

SLESD11LL5.0CT5是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管 · 采用先进的单片硅技术

SLPESD0402M24

Slkor(萨科微)

PESD旨在保护一条双向数据线免受ESD损坏

WE05DF-BS

Slkor(萨科微)

PPP(W) 60 VRWM(V) 5 VBR(V) 8.4 VC(V) 12 IPP(A) 5 IR(uA

BTRD04A035

Slkor(萨科微)

特性：电容：15pF（典型值） · 反向工作电压：5V

BTRD04A15

Slkor(萨科微)

BTRD04A15是一款15V双向瞬态电压抑制（TVS）二极管 · 采用先进的单片硅技术

ESD8D5.0C-SL

Slkor(萨科微)

ESD8D5.0C-SL

ESD8L5.0C-SL

Slkor(萨科微)

ESD8L5.0C-SL

SL0521PZ

Slkor(萨科微)

SL0521PZ是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS） · 旨在为数据、控制或电源线提供静电放电（ESD）保护

SLESD8D5.0CB1T5G

Slkor(萨科微)

SLESD8D5.0CB1T5G旨在保护电压敏感元件 · 使其免受因静电放电（ESD）造成的损坏或闩锁效应

SLESD8LL5.0C

Slkor(萨科微)

飞法拉第双向静电放电 (ESD) 保护二极管 · 采用无铅超小型 DFN1006 表面贴装器件 (SMD)

SLESD5.0C

Slkor(萨科微)

SLESD5.0C是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS） · 旨在为数据、控制或电源线提供静电放电（ESD）保

SLESD8D12C

Slkor(萨科微)

低电容双向静电放电 (ESD) 保护二极管 · 采用 DFN1006(SOD882) 无铅超小型表面贴装器件

MC34063A

Slkor(萨科微)

MC34063A是一款单片开关调节器控制电路 · 适用于升压、降压和反相DC-DC转换应用

SLPESD0542U005

Slkor(萨科微)

SLPE SD 专为保护一条双向数据线免受静电放电 (ESD) 损坏而设计

SLESDP0603UC6VB

Slkor(萨科微)

用于保护一条双向数据线免受静电放电损坏

SLESD0301M

Slkor(萨科微)

SLESD0301M是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS） · 旨在为数据、控制或电源线提供静电放电（ESD）

SLESD03D6BN

Slkor(萨科微)

SLESD03D6BN是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS） · 旨在为数据、控制或电源线提供静电放电（ESD

SL9451

Slkor(萨科微)

SL9451是一款内部集成有高边高压功率MOSFET管的高频率(1.8MHz)降压型开关稳压器 · 提供单路

SLESD0301BU

Slkor(萨科微)

SLESD0301BU是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS） · 旨在为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护

WE24DF-B

Slkor(萨科微)

PPP(W) 200 VRWM(V) 24 VBR(V) 32 VC(V) 50 IPP(A) 3 IR(u

SLPESD0402-14

Slkor(萨科微)

特性：超低电容：0.05pF（典型值） · 低泄漏电流 (< 10A)

SLESD0501L

Slkor(萨科微)

特性：可替代MLV (0402) · 保护I

SLESD11D5V0C

Slkor(萨科微)

特性：小尺寸外形：0.61mm × 0.31mm · 低高度：0.28mm

SLESD03D6BU

Slkor(萨科微)

SLESD03D6BU是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS） · 旨在为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护

SLESDA33CP

Slkor(萨科微)

SLESDA33CP是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS） · 旨在为数据、控制或电源线提供静电放电（ESD）

SLESD0502L

Slkor(萨科微)

SLESD0502L是一款超低电容瞬态电压抑制器（TVS） · 专为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护而

SLESD0801PB

Slkor(萨科微)

特性：电容：10pF（典型值） · 反向工作电压：5V

SLESD5411N

Slkor(萨科微)

SLESD5411N是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS） · 旨在为数据、控制或电源线提供静电放电（ESD）

SLESD0402-V05

Slkor(萨科微)

特性：0402inch · 1005mm 封装尺寸

SLESD5311X

Slkor(萨科微)

SLESD5311X是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS） · 旨在为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护

SLPESD0603M05

Slkor(萨科微)

SLPE SD 专为保护一条双向数据线免受静电放电 (ESD) 损坏而设计

SLESD5311N-2/TR

Slkor(萨科微)

特性：替代MLV (0402) · 保护I

SLESD8D7.0CAT5G

Slkor(萨科微)

SLESD8D7.0CA T5G是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS） · 旨在为数据、控制或电源线提供静电放

WE07DF-B

Slkor(萨科微)

PPP(W) 150 VRWM(V) 7 VBR(V) 7.5 VC(V) 19 IPP(A) 8 IR(u

BAV199W

Slkor(萨科微)

特性：低泄漏电流应用

SLESD8D3.3C

Slkor(萨科微)

低电容双向静电放电 (ESD) 保护二极管 · 采用 DFN1006(SOD882) 无铅超小型表面贴装器件

SLPESD0402M18

Slkor(萨科微)

PPP(W) - VRWM(V) 18 VBR(V) 450 VC(V) 40 IPP(A) - IR(uA

SL27517

Slkor(萨科微)

SL27517是单通道4A的高速低侧栅极驱动器 · 可以高效安全地驱动MOSFET、IGBT以及新兴的宽带隙

RST9361MA

Slkor(萨科微)

RST9361MA是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS） · 旨在为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护

SLM601

Slkor(萨科微)

SLM601由一个高效的铝镓砷（AlGaAs）发光二极管和一个高速光电探测器组成 · 采用SOP5封装

ESD9L5.0C-SL

Slkor(萨科微)

设计用于保护对电压敏感的组件免受ESD和瞬态电压事件的影响 · 卓越的钳位能力、低泄漏和快速响应时间

ESD9X3.3S-SL

Slkor(萨科微)

单向静电放电 (ESD) 保护二极管 · 采用 SOD923 塑料封装

ESD9B5.0ST5G-SL

Slkor(萨科微)

旨在保护对电压敏感的组件免受ESD和瞬态电压事件的影响 · 具有出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间

SLDFN2C031V

Slkor(萨科微)

SLDFN2C031V是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS） · 旨在为数据、控制或电源线提供静电放电（ESD

BFR520

Slkor(萨科微)

本芯片采用硅外延工艺制造 · 具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性

SLESD5341N

Slkor(萨科微)

特性：可替代 MLV (0402) · 保护 I

SL002N02K

Slkor(萨科微)

特性：小封装（SOT723） · 超低电压驱动（1.2V驱动）

SLESD8D12CT5G

Slkor(萨科微)

特性：低电容：8pF（典型值） · 反向工作电压：12V

SL27511

Slkor(萨科微)

单通道4A 峰值拉电流和8A 峰值灌电流的高速低侧栅极驱动器 · 可以高效安全地驱动MOSFET、IGBT

SLESD12.0C

Slkor(萨科微)

特性：低电容：8pF（典型值） · 反向工作电压：12V

BZX584B18

Slkor(萨科微)

特性：平面芯片结构 · 功率耗散150mW

SLPESD0402-15

Slkor(萨科微)

SLPESD 专为保护一条双向数据线免受静电放电（ESD）损坏而设计

SLESD5.0U035

Slkor(萨科微)

PPP(W) 100 VRWM(V) 5 VBR(V) 9.5 VC(V) 22 IPP(A) 4.5 IR