制造商现货
SSGSEMI(世晶半导体) 制造商型号现货与清单询价
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
SE5VUBN062
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：60瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-0603-2L
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SE3V3UBN062
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：80W峰值脉冲功率（tp = 8 · 20μs）三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-0603-2L
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SE1V8FBN102
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：峰值脉冲功率110瓦（tp = 8 · 20μs）TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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SE24VFBN062
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：小尺寸：0.60 mm x 0.30 mm · 单线路双向ESD保护三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-0603-2L
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SE5VLVBN062
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：36瓦峰值脉冲功率（tp = 8 · 20 μs）三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-0603-2L
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SE3V3FBDN062
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：110W 峰值脉冲功率 (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-0603-2L
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SE12VFBN062
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：小尺寸外形：0.60 mm x 0.30 mm · 单线路双向ESD保护三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-0603-2L
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SE5VFBDN102
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：70瓦峰值脉冲功率（tp = 8 · 20 μs）三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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SE5VFBN102
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：100瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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SE5VLVBN102
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：36 瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 · 20 µs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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SE5VFBD522
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：100W峰值脉冲功率 (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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SE12VFBD522
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：84瓦峰值脉冲功率（tp = 8 · 20 μs）三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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SE15VFBD522
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：280瓦峰值脉冲功率（tp = 8 · 20 μs）三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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SE15VFD522
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：280W 峰值脉冲功率 (tp = 8 · 20 μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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SE18VFBD522
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：280瓦峰值脉冲功率（tp = 8 · 20 μs）三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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SE18VFD522
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：280瓦峰值脉冲功率（tp = 8 · 20 μs）三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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SE24VFBD522
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：250瓦峰值脉冲功率（tp = 8 · 20 μs）三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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SE24VFD522
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：360瓦峰值脉冲功率（tp = 8 · 20μs）三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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SE36VFD522
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：240W 峰值脉冲功率 (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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SE5VFBD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：每线225瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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SE5VUBD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：对一条 I · O 线进行双向 ESD 保护三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ST10VFN162
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：1650 Watts 峰值脉冲功率 (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1610-2L
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ST12VFBD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：每条线路350瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ST12VFD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：360 Watts Peak Pulse Power per Line (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ST12VFN162
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：1400瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1610-2L
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ST12VLD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：350 Watts Peak Pulse Power per Line (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ST15VFBD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：380瓦每线峰值脉冲功率 (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ST15VFD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：每条线路380瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ST15VFN162
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：1925W 峰值脉冲功率（tp = 8 · 20μs）三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1610-2
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ST18VFBD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：340 Watts Peak Pulse Power per Line (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ST18VFN162
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：1300瓦峰值脉冲功率（tp = 8 · 20μs）三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1610-2
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ST18VLD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：350 Watts Peak Pulse Power per Line (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ST20VFN162
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：1500瓦峰值脉冲功率（tp = 8 · 20μs）三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1610-2L
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ST24VFBD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：330瓦峰值脉冲功率（tp = 8 · 20μs）三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ST24VFD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：每线330瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ST24VFN162
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：1800 Watts 峰值脉冲功率 (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1610-2
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ST24VLBD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：350 Watts Peak Pulse Power per Line (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ST24VLD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：350 Watts Peak Pulse Power per Line (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ST36VFBD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：400瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ST36VFD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：每线240瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ST36VLBD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：350 Watts Peak Pulse Power per Line (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ST36VLD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：350 Watts Peak Pulse Power per Line (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ST3V3FBD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：每条线300瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ST3V3LD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：350 Watts Peak Pulse Power per Line (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ST3V3UBD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：对一条 I · O 线进行双向 ESD 保护三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ST4V5FHN162
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：2550 Watts 峰值脉冲功率 (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1610-2L
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ST5VFBN162
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：2280W峰值脉冲功率（tp = 8 · 20μs）三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1610-2L
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ST5VLD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：350 Watts Peak Pulse Power per Line (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ST8VFBD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：450瓦峰值脉冲功率 · 线 (tp = 8三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ST8VFD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：400W峰值脉冲功率 (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ST8VLD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：350 Watts Peak Pulse Power per Line (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ST4V5FBHN162
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：2800瓦峰值脉冲功率（tp = 8 · 20μs）三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1610-2L
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SE36VFBD522
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：260瓦峰值脉冲功率（tp = 8 · 20μs）三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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SE5VFD522
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：225W 峰值脉冲功率 (tp = 8 · 20 μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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ST12VLBD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：350 Watts 峰值脉冲功率 · 线 (tp = 8三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ST20VFBD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：每线330瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ST3V3FD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：每条线路324瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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SE12VFD522
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：240 瓦峰值脉冲功率（tp = 8 · 20μs）三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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ST15VLBD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：350 Watts Peak Pulse Power per Line (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ST18VLBD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：350 Watts Peak Pulse Power per Line (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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SE7VFBD522
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：96瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 · 20 μs)TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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ST5VFD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：每线500瓦峰值脉冲功率（tp = 8 · 20μs）TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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ST18VFD322
SSGSEMI(世晶半导体)
特性：每线340瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 · 20μs)三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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