SINO-IC(光宇睿芯) 制造商型号现货与清单询价

SE2101

SINO-IC(光宇睿芯)

这是一款P沟道增强型功率MOSFET · 采用高单元密度和DMOS沟槽技术生产

SESD5Z5V

SINO-IC(光宇睿芯)

SESD5Z 系列旨在保护电压敏感器件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响 · 出色的钳位能力、低泄漏

SE6003C

SINO-IC(光宇睿芯)

N沟道 · 60V

SE30150B

SINO-IC(光宇睿芯)

高密单元设计 · 实现超低导通电阻

SEBT9013

SINO-IC(光宇睿芯)

特性：AM · FM放大器

SE2102E

SINO-IC(光宇睿芯)

MOSFET提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合

SE4607

SINO-IC(光宇睿芯)

特性：N-Channel · VDS = 20V

SEDFN2105C

SINO-IC(光宇睿芯)

SEDFN2105C 专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压敏电阻（MLV）

SEZ52C3V9

SINO-IC(光宇睿芯)

硅平面齐纳二极管 · 采用小型塑料SOD-523封装

SEB521CS-30

SINO-IC(光宇睿芯)

特性：产品材料符合RoHS要求且无卤 · S前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用

SESD5Z18V

SINO-IC(光宇睿芯)

SOD-523封装

SESDFBP07V

SINO-IC(光宇睿芯)

SESDFBPxxV静电放电（ESD）保护二极管专为在便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）

SESD5Z5CL

SINO-IC(光宇睿芯)

SESD5Z5CL旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响 · 出色的钳位能力、低泄漏

SESD9D5V

SINO-IC(光宇睿芯)

SESD9D系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）影响 · 出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间

SEBT8050

SINO-IC(光宇睿芯)

特性：与SEBT8050互补 · 应用：高电流应用

SE40P20B

SINO-IC(光宇睿芯)

P沟道 -40V -20A

SEZ52C2V7

SINO-IC(光宇睿芯)

小塑料SOD-523封装的硅平面齐纳二极管

SESD3Z12C

SINO-IC(光宇睿芯)

SESD3ZxxC 旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响 · 出色的钳位能力、低泄

SED10070GG

SINO-IC(光宇睿芯)

N沟道 100V 70A

SE30150G

SINO-IC(光宇睿芯)

SE30150G采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷

SED4060GM

SINO-IC(光宇睿芯)

使用先进的沟槽技术和设计 · 提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷

SE0108A

SINO-IC(光宇睿芯)

SE0108A SOT-89采用先进的沟槽技术和设计 · 可提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极

SE30P50B

SINO-IC(光宇睿芯)

高密度单元设计 · 实现超低导通电阻、完全表征的雪崩电压和电流、改进的直通 FOM、简单的驱动要求

SEBLC12C

SINO-IC(光宇睿芯)

超低压电容瞬态电压抑制器旨在保护低压集成电路免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）、浪涌及其他感应电压

SE8205A

SINO-IC(光宇睿芯)

特性：对于单个MOSFET: VDS = 20 V · RDS(ON) = 21mΩ @ VGS=4.5

SESD5Z6V

SINO-IC(光宇睿芯)

SESD5Z系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响 · 出色的钳位能力、低泄漏和

SEBT9015

SINO-IC(光宇睿芯)

特性：AM · FM放大器

SESD9D3V3

SINO-IC(光宇睿芯)

SESD9D系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）影响 · 出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间

SEBT818BA

SINO-IC(光宇睿芯)

该器件采用“基岛”布局的低压PNP平面技术制造 · 由此产生的晶体管具有出色的高增益性能和极低的饱和电压

SESD3Z5CL

SINO-IC(光宇睿芯)

SESD3Z5CL旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响 · 出色的钳位能力、低泄漏

SEDA

SINO-IC(光宇睿芯)

LED开路保护器件

SE9926

SINO-IC(光宇睿芯)

特性：VDS = 20V · I = 6A

SE720

SINO-IC(光宇睿芯)

结合了PNP低VCEsat小信号晶体管和N沟道沟槽MOSFET · 驱动要求简单

P1800SB

SINO-IC(光宇睿芯)

P1800SB是一款固态撬棒器件 · 旨在保护电信设备免受危险瞬态情况的影响

FKBA4903

SINO-IC(光宇睿芯)

先进的沟槽技术可提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷和低工作电压 · 该器件适合用作负载开关或用于 PWM

SEB160M-40

SINO-IC(光宇睿芯)

特性：小功率模具类型 (PMDS) · 低I_B

SE1003

SINO-IC(光宇睿芯)

高密度单元设计 · 实现超低导通电阻

SE2101E

SINO-IC(光宇睿芯)

P-Channel增强模式功率MOSFET · 采用高单元密度和DMOS沟槽技术生产

SE2305

SINO-IC(光宇睿芯)

采用高单元密度DMOS沟槽技术生产 · 该技术专门用于最小化导通电阻

SEBAT54A

SINO-IC(光宇睿芯)

特性：低开启电压 · 快速开关

SEC113ZU

SINO-IC(光宇睿芯)

特性：内置偏置电阻 · 无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路

SESD3Z5C

SINO-IC(光宇睿芯)

SESD3ZxxC 旨在保护电压敏感元件免受静电放电 (ESD) 和瞬态电压事件的影响 · 出色的钳位能力、

SE138U

SINO-IC(光宇睿芯)

高密度单元设计 · 实现超低导通电阻

SEBAV99

SINO-IC(光宇睿芯)

特性：提供无铅封装 · 高可靠性

SESMF05AC

SINO-IC(光宇睿芯)

标准 TVS 旨在保护低电压集成电路免受静电放电 (ESD)、电气快速瞬变 (EFT) 和其他感应电压引起的

SED8830A

SINO-IC(光宇睿芯)

N沟道 · 20V

MSEMF3V3LC

SINO-IC(光宇睿芯)

这款集成式瞬态电压抑制器（TVS）专为需要瞬态过压保护的应用而设计 · 适用于打印机、商用机器、通信系统、医

SE2060

SINO-IC(光宇睿芯)

高密单元设计 · 实现超低导通电阻

SE2N60B

SINO-IC(光宇睿芯)

这是一种高压功率MOSFET · 旨在具备更好的特性

SE2302U

SINO-IC(光宇睿芯)

2.4A · 20V N通道MOSFET

SESD3Z12V

SINO-IC(光宇睿芯)

SESD3Z 系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响 · 出色的钳位能力、低泄漏

SEDFN05V4

SINO-IC(光宇睿芯)

SEDFN05V4是超低电容TVS阵列 · 旨在保护高速数据接口

SE4610

SINO-IC(光宇睿芯)

特性：n 通道：VDS(V) = 30V · ID = 8.5A

MSEMF12HC

SINO-IC(光宇睿芯)

SOT-563封装

SE3082G

SINO-IC(光宇睿芯)

高密度单元设计 · 实现超低导通电阻

SE3080K

SINO-IC(光宇睿芯)

采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻、低栅极电荷和低工作电压

SE10015

SINO-IC(光宇睿芯)

先进的沟槽技术可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷和低工作电压 · 该器件适合用作负载开关或用

SE4060GB

SINO-IC(光宇睿芯)

高密单元设计 · 实现超低导通电阻

SE2301

SINO-IC(光宇睿芯)

MOSFET 提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合 · 高密单元设计

SE2333

SINO-IC(光宇睿芯)

先进的沟槽技术 · 可提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷和低工作电压

SE6050B

SINO-IC(光宇睿芯)

采用先进的沟槽技术和设计 · 可提供低栅极电荷的出色导通电阻

SEZ52C5V1

SINO-IC(光宇睿芯)

硅平面齐纳二极管 · 采用小型塑料SOD-523封装

SEBLC03C

SINO-IC(光宇睿芯)

超低压电容瞬态电压抑制器旨在保护低压集成电路免受静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）、浪涌及其他感应电压

SPL1060

SINO-IC(光宇睿芯)

特性：平面MOS肖特基势垒二极管 · 低正向压降

SE18NS65F

SINO-IC(光宇睿芯)

高密单元设计 · 实现超低导通电阻

SED4060G

SINO-IC(光宇睿芯)

使用先进的沟槽技术和设计 · 以低栅极电荷提供出色的导通电阻RDS(ON)

SE2N7002K(ESD)

SINO-IC(光宇睿芯)

MOSFET提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合

SE8810A(ESD)

SINO-IC(光宇睿芯)

特性：对于单个MOSFET · VDS = 20 V

SE6020DB

SINO-IC(光宇睿芯)

N沟道 60V 20A

SE20P03

SINO-IC(光宇睿芯)

这一系列是高压功率MOSFET · 旨在拥有更好的特性

SED3022M

SINO-IC(光宇睿芯)

N沟道 VDS = 30V RDS(ON) = 20mΩ@VGS=10V

SE4606S

SINO-IC(光宇睿芯)

先进的沟槽技术可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低工作电压 · 该器件适用于用作负载开关或PWM应用

SESD3Z5V

SINO-IC(光宇睿芯)

设计用于保护对电压敏感的组件免受 ESD 和瞬态电压事件的影响 · 出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间

SE2N7002

SINO-IC(光宇睿芯)

MOSFET提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合

SESMF3V3C

SINO-IC(光宇睿芯)

SOT-563封装

SE3400

SINO-IC(光宇睿芯)

MOSFET提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合

SE0503

SINO-IC(光宇睿芯)

表面贴装阵列系列产品旨在抑制静电放电（ESD）和其他瞬态过电压事件 · 这些阵列用于满足国际电工兼容性（IE

SE30P12D

SINO-IC(光宇睿芯)

先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷和低工作电压

SEDFN05C

SINO-IC(光宇睿芯)

SEDFN05C静电放电（ESD）保护二极管专为在便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA））中

SE2N7002E

SINO-IC(光宇睿芯)

MOSFET 提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合