制造商现货
RealChip(正芯半导体) 制造商型号现货与清单询价
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156匹配型号
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
RC3134KM3
RealChip(正芯半导体)
RC3134KM3 是 N 沟道增强型 MOSFET 晶体管 · 采用先进的沟槽技术和设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-723
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RC3415P
RealChip(正芯半导体)
特性：VDS = -20V · ID = 4A (VGS = -4.5V)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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RC2310A
RealChip(正芯半导体)
RC2310A 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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RC3401
RealChip(正芯半导体)
特性：Vss (Ω) = 30V · ID =-4.2A (VGS =-10V)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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RC3407
RealChip(正芯半导体)
特性：VDs (V) = -30V · ID = -4.1A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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RCQ36N25
RealChip(正芯半导体)
N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：44.6W 导通电阻(RD三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3x3-8
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RC3401A
RealChip(正芯半导体)
P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RD三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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RCQ5409
RealChip(正芯半导体)
P- 沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽 DMOS 技术 · 这种先进技术经过特别设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8
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RC4606
RealChip(正芯半导体)
RC4606采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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RC3404
RealChip(正芯半导体)
特性：VDS = 30V · ID = 5.8A（VGS = 10V）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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RCQ5402
RealChip(正芯半导体)
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术 · 这种先进技术经过特别调整三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8
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RC3422
RealChip(正芯半导体)
RC3422是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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RCJ7118
RealChip(正芯半导体)
特性：VGS =-30V · ID =-36.1 A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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RCD4N65
RealChip(正芯半导体)
功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造 · 由此产生的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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RC3P06
RealChip(正芯半导体)
特性：TrenchFET功率MOSFET · 应用：便携式设备负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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RC6525Q
RealChip(正芯半导体)
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术 · 这种先进技术经过特别设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8L
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RCQ3632
RealChip(正芯半导体)
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽 DMOS 技术 · 这项先进技术经过专门设计三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PPAK-8
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RC2304A
RealChip(正芯半导体)
RC2304A采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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RC2308A
RealChip(正芯半导体)
SS2308 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管 · 采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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RC4953
RealChip(正芯半导体)
SS4953 是高单元密度的沟槽式 P 沟道 MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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RCQ3310D
RealChip(正芯半导体)
N+N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：42A 功率(Pd)：35W 导通电阻(RD三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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RC409
RealChip(正芯半导体)
RC 409采用先进的沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷的情况下提供出色的 $\\mathsf{R_{DS(三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2L
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RC100N05
RealChip(正芯半导体)
RC100N05采用先进的沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻Rds(ON)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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RC25P03S
RealChip(正芯半导体)
RC25P03 S是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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RC6602
RealChip(正芯半导体)
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:5.3A 电流:3.5A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-6
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RCF18N50
RealChip(正芯半导体)
N- 通道增强型 VDMOSFET · 通过自对准平面技术获得三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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RC30N06
RealChip(正芯半导体)
N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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RC3420
RealChip(正芯半导体)
特性：VDS (V) = 20V · ID = 6A (VGS = 10V)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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RC2305A
RealChip(正芯半导体)
特性：VDs = -20V · RDS(ON) < 0.045Ω (VGS = -4.5V)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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