制造商现货
Prisemi(芯导) 制造商型号现货与清单询价
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265匹配型号
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
PNM3FD20V1E
Prisemi(芯导)
MOSFET提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-1006-3L
29,187
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PTVSHC3D12VU
Prisemi(芯导)
PTVSHC3D12VU瞬态电压抑制器旨在取代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理）中的多层压敏电阻TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
9,000
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PESDNC2FD4V5B
Prisemi(芯导)
PESDNC2FD4V5B可保护敏感半导体元件 · 使其免受静电放电（ESD）及其他电压诱发的瞬态事件造成的TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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PESDXC2FD5VU
Prisemi(芯导)
PESDXC2FD5VU静电放电（ESD）保护器专为替代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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PESDNC2FD3V3BS
Prisemi(芯导)
PESDNC2FD3V3BS可保护敏感半导体元件 · 避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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PESDNC2FD8VB
Prisemi(芯导)
PESDNC2FD8VB可保护敏感半导体元件 · 使其免受静电放电（ESD）及其他电压诱发的瞬态事件造成的损三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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P14C5N
Prisemi(芯导)
P14C5N是一款过压保护（OVP）负载开关 · 其过压锁定（OVLO）阈值电压可调三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-2x2-8L
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PESDHC2FD4V5BH
Prisemi(芯导)
PESDHC2FD4V5BH 可保护敏感半导体元件免受静电放电 (ESD) 和其他电压感应瞬态事件造成的损坏TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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PTVSHC3D4V5BH
Prisemi(芯导)
PTVSHC3D4V5BH静电放电（ESD）保护器专为替代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理 (PTVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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PESDNC2FD5VBN
Prisemi(芯导)
PESDNC2FD5VBN可保护敏感半导体元件 · 使其免受静电放电（ESD）及其他电压感应瞬态事件造成的损TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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PESDREC2XD5VBF
Prisemi(芯导)
PESDREC2XD5VBF是一款超低电容的静电放电（ESD）保护器件 · 专为保护高速线路而设计三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-0603-2L
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PESDNC2FD7VB
Prisemi(芯导)
PESDNC2FD7VB可保护敏感的半导体元件 · 使其免受静电放电（ESD）和其他电压诱发的瞬态事件导致的TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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PTVSLC3D3V3B
Prisemi(芯导)
PTVSLC3D3V3B是一款用于高速数据接口的低电容瞬态电压抑制器 · 旨在保护敏感电子设备免受因静电放电TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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PESDMC2XD5VB
Prisemi(芯导)
PESDMC2XD5VB可保护敏感半导体元件 · 使其免受静电放电（ESD）及其他电压诱发的瞬态事件所造成的三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-0603-2L
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PESDUC3FD3V3U
Prisemi(芯导)
PESDUC3FD3V3U静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-3L
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PESDSC2FD5VU
Prisemi(芯导)
PESDSC2FD5VU静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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PTVSHC3D5VB
Prisemi(芯导)
PTVSHC3D5VB静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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PESDUC2XD3V3BF
Prisemi(芯导)
PESDUC2XD3V3BF可保护敏感半导体元件 · 使其免受静电放电（ESD）和其他电压感应瞬态事件造成的TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-0603-2L
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PESDHC2FD4V8UF
Prisemi(芯导)
ESD保护器旨在取代便携式应用（如手机、笔记本电脑和PDA）中的多层压敏电阻（MLV） · 它们具有大横截面TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2
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PESDHC2FD5V5BH
Prisemi(芯导)
保护敏感半导体组件免受静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件的损坏或干扰 · 它们具有大横截面积结TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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PESDNC2FD12VBH
Prisemi(芯导)
PESDNC2FD12VBH可保护敏感半导体元件 · 避免其因静电放电（ESD）和其他电压诱发的瞬态事件而损TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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PESDNC2FD3V3B
Prisemi(芯导)
PESDNC2FD3V3B可保护敏感半导体元件 · 使其免受静电放电（ESD）及其他电压瞬态事件造成的损坏或TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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PESDALC10N5VU
Prisemi(芯导)
PESDALC10N5VU是一款用于高速数据接口的低电容瞬态电压抑制器阵列 · 旨在保护敏感电子设备免受因静TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-10
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PESDNC2FD30VB
Prisemi(芯导)
PESDNC2FD30VB可保护敏感半导体元件 · 使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件导致的TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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PESDNC2XD5VBL
Prisemi(芯导)
PESDNC2XD5VBL可保护敏感半导体元件 · 使其免受静电放电（ESD）及其他电压引起的瞬态事件造成的三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-0603-2L
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PESDKC2FD5VB
Prisemi(芯导)
PESDKC2FD5VB可保护敏感半导体元件 · 使其免受静电放电（ESD）及其他电压诱发的瞬态事件造成的损三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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PESDNC9D7VU
Prisemi(芯导)
PESDNC9D7VU静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-923
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PESDNC2FD12VU
Prisemi(芯导)
PESDNC2FD12VU静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
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PESDNC2XD12VB
Prisemi(芯导)
PESDNC2XD12VB可保护敏感半导体元件 · 使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-0603-2L
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PNM723T30V01
Prisemi(芯导)
PNM723T30V01专为高速开关应用而设计 · 该增强型MOS具有极高的单元密度和低导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-723
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PTVSHC3N7VU
Prisemi(芯导)
PTVSHC3N7VU静电放电（ESD）保护器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-2x2-3L
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PESDNC2XD7VBF
Prisemi(芯导)
PESDNC2XD7VB可保护敏感半导体元件 · 避免其因静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件而损坏或三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-0603-2L
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PESDUC2FD5VBA
Prisemi(芯导)
PESDUC2FD5VBA可保护敏感半导体元件 · 使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
询盘确认
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PESDUC2XD5VBF
Prisemi(芯导)
PESDUC2XD5VBF可保护敏感半导体元件 · 使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-0603-2L
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PPM8PN30V25
Prisemi(芯导)
使用先进的沟槽技术 · 提供出色的低导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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PNM523T30V01
Prisemi(芯导)
PNM523T30V01专为高速开关应用而设计 · 该增强型MOS具有极高的单元密度和低导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-523
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PESDNC5D5VB
Prisemi(芯导)
PESDNC5D5VB可保护敏感半导体元件 · 使其免受静电放电（ESD）及其他电压引起的瞬态事件造成的损坏TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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P14C1S
Prisemi(芯导)
P14C1S是一款过压保护（OVP）负载开关 · 其过压锁定（OVLO）阈值电压固定为6.0V电源管理 > 功率电子开关
SOT-23-6L
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PPM723T201E0
Prisemi(芯导)
MOSFET在快速开关、低导通电阻和成本效益方面实现了最佳组合三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-723
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PTVSHC2EN5VB
Prisemi(芯导)
PTVSHC2EN5VB ESD保护器旨在替代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理 (PDA)）中的TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1610-2L
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PESDNC3D5VBL
Prisemi(芯导)
保护敏感半导体组件免受静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件的损坏或干扰 · 具有大横截面积结三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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PNMT60V02E
Prisemi(芯导)
PNMT60V02E专为高速开关应用而设计 · 该增强型MOS具有极高的单元密度和低导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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PTVSLC3D24VB
Prisemi(芯导)
PTVSLC3D24VB是一款用于高速数据接口的低电容瞬态电压抑制器 · 旨在保护敏感电子设备免受因静电放电三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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PESDNC3D3V3U
Prisemi(芯导)
PESDNC3D3V3U可保护敏感半导体元件 · 使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
询盘确认
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PESDHC2FD4V5BHN
Prisemi(芯导)
PESDHC2FD4V5BHN可保护敏感半导体元件 · 使其免受静电放电（ESD）及其他电压引起的瞬态事件造三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2L
询盘确认
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PPM523T201E0
Prisemi(芯导)
MOSFET 提供了快速开关、低导通电阻和成本效益的最佳组合三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-523
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PTVSHC3D4V5U
Prisemi(芯导)
PTVSHC3D4V5U瞬态电压抑制器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中替代多层压TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
询盘确认
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PTVSHC3N4V5B
Prisemi(芯导)
PTVSHC3N4V5B瞬态电压抑制器专为在便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理 (PDA)）中替代TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-2x2-3L
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