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PUOLOP(迪浦) 制造商型号现货与清单询价

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PT2301B

PUOLOP(迪浦)

特性：先进的沟槽工艺技术 · 高密度单元设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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AO3400-SOT23-3L

PUOLOP(迪浦)

特性：先进的沟槽工艺技术 · 高密度单元设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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2N7002-SOT23

PUOLOP(迪浦)

特性：60V · 0.2A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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LM324

PUOLOP(迪浦)

本电路为高性能、具有四个独立的运算放大器 · 内含相位补偿电路
运算放大器/比较器 > 运算放大器
SOIC-14
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PTN3006

PUOLOP(迪浦)

特性：低导通电阻RDS(on) @ 5V逻辑 · 5V逻辑电平控制
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8
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PT3400

PUOLOP(迪浦)

特性：先进的沟槽工艺技术 · 高密度单元设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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PT2302A

PUOLOP(迪浦)

特性：先进的沟槽工艺技术 · 高密度单元设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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PT8202

PUOLOP(迪浦)

PT8202针对锂离子 · 聚合物电池保护提供了高集成解决方案
电源管理 > 电池管理
SOT-23-5L
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PT3402

PUOLOP(迪浦)

特性：使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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PT2305

PUOLOP(迪浦)

特性：先进的沟槽工艺技术 · 高密度单元设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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PT3407

PUOLOP(迪浦)

特性：先进的沟槽工艺技术 · 高密度单元设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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PTS2017

PUOLOP(迪浦)

特性：非常低的导通电阻RDS(on) @ 3.3V逻辑 · 3.3V逻辑电平控制
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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PTD12N10

PUOLOP(迪浦)

特性：VDS = 100V · ID = 12A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTN30P03

PUOLOP(迪浦)

特性：4.5V逻辑电平控制 · PDFN3333贴片封装
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3333-8
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PTS4842

PUOLOP(迪浦)

特性：BVDSS > 30V · RDS(ON) = 21mΩ（典型值）@VGS = 10V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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PT8261

PUOLOP(迪浦)

PT8261内置高精度电压检测电路和延迟电路 · 是用于单节锂离子
电源管理 > 电池管理
SOT-23-6L
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PTD3004

PUOLOP(迪浦)

特性：低导通电阻（RDS(on)）@5V逻辑 · 5V逻辑电平控制
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PT3415

PUOLOP(迪浦)

PT3415采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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PT4606-SOP8

PUOLOP(迪浦)

1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:6.5A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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AO3400-SOT23

PUOLOP(迪浦)

特性：先进的沟槽工艺技术 · 高密度单元设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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PT438

PUOLOP(迪浦)

PT438是为单节锂离子电池供电系统（例如手机电池包）而设计的专用芯片 · 用来防止锂离子电池因为过充电、过
电源管理 > 电池管理
SOT-23-6L
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PT3416

PUOLOP(迪浦)

PT3416采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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PT8201

PUOLOP(迪浦)

PT8201是单节锂离子 · 锂聚合物可充电电池组保护的高集成度解决方案
电源管理 > 电池管理
SOT-23-5L
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PT2312

PUOLOP(迪浦)

特性：先进的沟槽工艺技术 · 高密度单元设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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PTD20N06

PUOLOP(迪浦)

PTD20N06采用沟槽工艺技术设计 · 可实现极低的导通电阻
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PT4054

PUOLOP(迪浦)

特性：采用PMOSFET · SOT23 5封装
电源管理 > 电池管理
SOT-23-5L
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PTD15N10

PUOLOP(迪浦)

特性：N沟道 · 5V逻辑电平控制
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTQ45P02

PUOLOP(迪浦)

特性：1.8V逻辑电平控制 · PDFN3333贴片封装
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3333-8
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PT4056

PUOLOP(迪浦)

PT4056 是一款完整的单节锂离子电池采用恒定电流 · 恒定电压线性充电器
电源管理 > 电池管理
ESOP-8
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PT4407

PUOLOP(迪浦)

P沟道 · -30V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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PT8205H

PUOLOP(迪浦)

特性：先进的沟槽工艺技术 · 高密度单元设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-6L
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PTD50N06

PUOLOP(迪浦)

PTD50N06采用沟槽工艺技术设计 · 可实现极低的导通电阻
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTY10HN08

PUOLOP(迪浦)

特性：80V · 100A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263-3
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PTY12HN06

PUOLOP(迪浦)

特性：60V · 120A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263-3
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PTF4N60

PUOLOP(迪浦)

特性：RDS(on)（典型值2.6Ω）@VGS = 10V · 改进的dv
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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PT2301A

PUOLOP(迪浦)

特性：先进的沟槽工艺技术 · 高密度单元设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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PT4953

PUOLOP(迪浦)

P沟道 -30V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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AO3404

PUOLOP(迪浦)

N沟道 · 30V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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PTD60N02

PUOLOP(迪浦)

PTD60N02采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTF13N50

PUOLOP(迪浦)

特性：RDS(on)（典型值0.44Ω）@VGS = 10V · 改善的dv
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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PT2005A

PUOLOP(迪浦)

PT2005是一款用于开关电源的高效率同步整流控制IC · 其具备较高的集成度
电源管理 > 同步整流控制器
SOIC-8
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HT753330V

PUOLOP(迪浦)

HT75XX是一款采用CMOS技术的低压差线性稳压器 · 最高工作电压可达30V
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-89
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PTF10HN08

PUOLOP(迪浦)

特性：80V · 100A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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PT2005C

PUOLOP(迪浦)

PT2005是一款用于开关电源的高效率同步整流控制IC · 其具备较高的集成度
电源管理 > 同步整流控制器
SOIC-8
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4558

PUOLOP(迪浦)

内部包括有两个独立的、高增益、内部频率补偿的双运算放大器 · 适合于电源电压范围很宽的单电源使用
运算放大器/比较器 > 运算放大器
SOP-8
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HT755030V

PUOLOP(迪浦)

HT75XX是一款采用CMOS技术的低压差线性稳压器 · 最高工作电压可达30V
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-89-3
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PT2300

PUOLOP(迪浦)

特性：先进的沟槽工艺技术 · 高密度单元设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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PTBO134XXS-SOP16

PUOLOP(迪浦)

8bit OTP带12bit ADC单片机
单片机/微控制器 > 单片机(MCU/MPU/SOC)
SOP-16
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PT9435

PUOLOP(迪浦)

P沟道
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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PTBO131XXS-SOP14

PUOLOP(迪浦)

特性：高抗干扰（HighEFT）系列 · 工作温度范围：-40℃~85℃（PTBO131XXC）
单片机/微控制器 > 单片机(MCU/MPU/SOC)
SOP-14
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PTS4803

PUOLOP(迪浦)

特性：低RDS(on)@VGS =-5V · 5V逻辑电平控制
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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AO3415-SOT23

PUOLOP(迪浦)

AO3415采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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PTP90N08

PUOLOP(迪浦)

特性：80V · 90A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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PTF10N65

PUOLOP(迪浦)

特性：RDS(on)（典型值0.6Ω）@VGS = 10V · 改进的dv
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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PTP4N65

PUOLOP(迪浦)

特性：RDS(on)（典型值 2.6Ω）@VGS = 10V · 改善的 dv
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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PTBO132XXS-SOP16

PUOLOP(迪浦)

特性：工作温度范围：-20℃~70℃ · 时钟源：内部高频RC振荡器
单片机/微控制器 > 单片机(MCU/MPU/SOC)
SOP-16
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PT4057

PUOLOP(迪浦)

PT4057 是一款用于单节锂离子电池的完整恒流 · 恒压线性充电器
电源管理 > 电池管理
ESOP-8
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PTF7N65

PUOLOP(迪浦)

特性：RDS(on)（典型值1.0Ω）@VGS=10V · 改善的dv
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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2N7002K-SOT23

PUOLOP(迪浦)

特性：60V · 0.2A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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L7809

PUOLOP(迪浦)

特性：最大输出电流 IoM：1.5A · 输出电压 Vo：9V
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
TO-220
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PTD4080B

PUOLOP(迪浦)

特性：RDS(on)（典型值5.5mΩ）@VGS = 10V · 改善的dv
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTD80N06

PUOLOP(迪浦)

特性：60V · 80A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTF4N65

PUOLOP(迪浦)

特性：RDS(on)（典型值2.6Ω）@VGS = 10V · 改善的dv
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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PTF5N65

PUOLOP(迪浦)

特性：RDS(on)（典型值1.9Ω）@VGS = 10V · 改善的dv
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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HT7550M24V

PUOLOP(迪浦)

HT75XXM是一款采用CMOS技术的低压差线性稳压器 · 最高工作电压可达24V
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-89-3
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PT9926-SOP8

PUOLOP(迪浦)

特性：先进的沟槽工艺技术 · 高密度单元设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
询盘确认
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PTD7N65

PUOLOP(迪浦)

特性：RDS(on)（典型值1.0Ω）@VGS = 10V · 改善的dv
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PT4435

PUOLOP(迪浦)

P沟道 -30V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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HT713624V

PUOLOP(迪浦)

HT71XX 系列是采用CMOS 工艺制造 · 低功耗的高压稳压器
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-89-3
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PT2302B

PUOLOP(迪浦)

特性：先进的沟槽工艺技术 · 高密度单元设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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PT24C02

PUOLOP(迪浦)

PT24C02是一款2K位（256x8）的两线串行EEPROM · 具有宽电压操作范围（1.7V至5.5V）
存储器 > EEPROM
SOP-8
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PT7126A

PUOLOP(迪浦)

AC-DC 6.0W(5V · 1200mA)原边反馈控制高精度恒流、恒压
电源管理 > AC-DC控制器和稳压器
SOP-7
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PT8200

PUOLOP(迪浦)

PT8200产品是单节锂离子 · 锂聚合物可充电电池组保护的高集成度解决方案
电源管理 > 电池管理
SOT-23-5L
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PT8810

PUOLOP(迪浦)

PT8810采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TSSOP-8
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PTB154CSX-SOP16

PUOLOP(迪浦)

PTB154CSX-SOP16
单片机/微控制器 > 单片机(MCU/MPU/SOC)
SOP-16
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PTD3006

PUOLOP(迪浦)

PTD3006采用沟槽工艺技术设计 · 实现了极低的导通电阻
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTD4N60

PUOLOP(迪浦)

PTD4N60
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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PTF12N65

PUOLOP(迪浦)

特性：RDS(on)（典型值 0.5Ω）@VGS = 10V · 改进的 dv
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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PTF2N65

PUOLOP(迪浦)

1个N沟道 耐压:650V 电流:2A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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PTF8N65

PUOLOP(迪浦)

1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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