制造商现货

PJSEMI(平晶微) 制造商型号现货与清单询价

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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价

ESDU5V0ADF

PJSEMI(平晶微)

8KV接触 · 15KV空隙放电
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN1x0.6-2L
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PJ75AL50SA

PJSEMI(平晶微)

这是一组采用CMOS技术实现的三端低功耗高压稳压器 · 允许高达36V的输入电压
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23
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PJM05P40SA

PJSEMI(平晶微)

特性:先进的沟槽技术 · 符合RoHS和Reach标准
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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PJM10H01PSA

PJSEMI(平晶微)

特性:SOT-23 · 快速开关
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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PJM2300NSA

PJSEMI(平晶微)

特性:SOT-23封装 · TrenchFET功率MOSFET
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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PJ75AL33SA

PJSEMI(平晶微)

输入36V 输出3.3V 100mA
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23
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PJM2301PSA

PJSEMI(平晶微)

特性:高功率和电流处理能力 · 获得无卤产品认证
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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PJM3401PSA

PJSEMI(平晶微)

特性:高密度单元设计 · 实现超低RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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MMBTSC3875G

PJSEMI(平晶微)

特性:适用于开关和音频放大器应用 · 推荐作为PNP晶体管MMBTSA1504的互补类型
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-23
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ESDB24VADB

PJSEMI(平晶微)

ESDB24VADB是一款双向瞬态电压抑制器(TVS) · 用于保护敏感电子元件免受静电放电(ESD)影响
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN1x0.6-2L
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ESDB18VADB

PJSEMI(平晶微)

ESDB18VADB是一款双向瞬态电压抑制器(TVS) · 用于保护敏感电子元件免受静电放电(ESD)影响
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN1x0.6-2L
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DTC144EDC

PJSEMI(平晶微)

特性:内置偏置电阻 · 简化电路设计
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
DFN-3L
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MMDT3906SG

PJSEMI(平晶微)

特性:适用于开关和放大器应用
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-23-6
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DTC123JDC

PJSEMI(平晶微)

特性:内置偏置电阻 · 简化电路设计
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
DFN-3L
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PJM7002KNDC

PJSEMI(平晶微)

特性:快速开关 · 低栅极电荷和低导通电阻
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-3L
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DTC114EDC

PJSEMI(平晶微)

特性:内置偏置电阻 · 简化电路设计
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
DFN-3L
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PJM01N20KDC

PJSEMI(平晶微)

特性:低栅极电荷和低导通电阻RDS(ON) · ESD保护(HBM)高达2KV
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-3L
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MMBT3906DC

PJSEMI(平晶微)

特性:适用于开关和音频放大器应用
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
DFN-3L
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PJ9193M30SE

PJSEMI(平晶微)

是高度精确、低噪声的正电压LDO稳压器 · 采用CMOS工艺制造
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23-5
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DTC143EDC

PJSEMI(平晶微)

特性:内置偏置电阻 · 简化电路设计
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
DFN-3L
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BAS70DB

PJSEMI(平晶微)

特性:低正向电压 · 快速开关
二极管 > 肖特基二极管
DFN-1006-2L
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AH49HSC

PJSEMI(平晶微)

AH49HSC是一款小型、多功能的线性霍尔效应器件 · 由永磁体或电磁体产生的磁场驱动
传感器 > 线性霍尔传感器
SOT-23
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PJM4602DNSG-S

PJSEMI(平晶微)

特性:快速开关 · 低栅极电荷和低导通电阻RDS(on)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-6
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RB521CS-30DB

PJSEMI(平晶微)

特性:小表面贴装类型 · 高可靠性
二极管 > 肖特基二极管
DFN-1006-2L
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PJM3400JNSC

PJSEMI(平晶微)

N沟道 · VDS=30V ID=5A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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BAS40DB

PJSEMI(平晶微)

特性:低正向电压 · 快速开关
二极管 > 肖特基二极管
DFN-1006-2L
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1N4148WB

PJSEMI(平晶微)

特性:适用于表面贴装应用 · 玻璃钝化芯片结
二极管 > 开关二极管
SOD-323W
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PJ54BM50SE

PJSEMI(平晶微)

带使能脚
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23-5
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PJ73AL30SC

PJSEMI(平晶微)

PJ73A系列是一组采用CMOS技术实现的三端低功耗高压稳压器 · 它们允许高达20V的输入电压
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23-3
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PJ78L05SA

PJSEMI(平晶微)

PJ78LXXSA 系列固定电压单片集成电路三端正电压稳压器适用于需要高达 100 mA 电源的应用场景
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23
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PJ71K30SC

PJSEMI(平晶微)

PJ71KXXSC系列是采用CMOS技术实现的一组三端低功耗高压稳压器 · 它们允许的输入电压高达24V
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23
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PJM2301PSA-S

PJSEMI(平晶微)

特性:VDS = -20V · ID = -2A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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PJ6206AL30SA

PJSEMI(平晶微)

是高精度、低功耗的三端正电压调节器 · 采用CMOS技术制造
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23
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PJM3400NSA

PJSEMI(平晶微)

特性:VDS = 30V · ID = 5.8A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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MMBTSC1623-L5

PJSEMI(平晶微)

特性:高直流电流增益 · 高电压
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-23
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PJ1117ST-3.3

PJSEMI(平晶微)

VIN(MAX):15V IOUT(MAX):1A · VOUT:3.3V
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-223
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PJM2309PSC

PJSEMI(平晶微)

特性:VDS =-60V · ID =-4A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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PJM138NSA

PJSEMI(平晶微)

特性:SOT-23封装 · 坚固可靠
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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PJM10H03NSC

PJSEMI(平晶微)

特性:VDS = 100V · ID = 3A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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PJM07P20SA

PJSEMI(平晶微)

特性:SOT-23 · 低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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MMDT3904SG

PJSEMI(平晶微)

特性:适用于开关和放大器应用
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-23-6
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PJ4054B

PJSEMI(平晶微)

PJ4054B是一款完整的单节锂离子电池恒流 · 恒压线性充电器
电源管理 > 电池管理
SOT-23-5
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2SC2873SQ-Y

PJSEMI(平晶微)

特性:低饱和电压 · 高速开关时间
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-89
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PJM02N60SA

PJSEMI(平晶微)

特性:RDS(ON) < 85mΩ @ VGS = 10V · RDS(ON) < 120mΩ @ VGS
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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PJM7002KNSI

PJSEMI(平晶微)

特性:高密度单元设计 · 实现低导通电阻
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-323
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LM317ST

PJSEMI(平晶微)

三端稳压IC · 可调输出
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-223
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PJ71K30SQ

PJSEMI(平晶微)

是一组采用CMOS技术实现的三端低功耗高压稳压器 · 允许高达24V的输入电压
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-89
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PJ5102SG

PJSEMI(平晶微)

PJ5102SG是一款双USB专用充电端口控制器 · 自动检测功能监控USB数据线电压
电源管理 > 快充协议芯片
SOT-23-6
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DTC124EDC

PJSEMI(平晶微)

特性:内置偏置电阻 · 简化电路设计
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
DFN-3L
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PJ78L15SQ

PJSEMI(平晶微)

特性:输入电压:最高35V · 输出:15V
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-89-3
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TL432C

PJSEMI(平晶微)

Vref:1.24V 0.5% · IKA(MIN): 80uA
电源管理 > 电压基准芯片
SOT-23
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PJ71K50SC

PJSEMI(平晶微)

是一组采用CMOS技术实现的三端低功耗高压稳压器 · 它们允许高达24V的输入电压
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23
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TL431A

PJSEMI(平晶微)

特性:可编程输出电压至36V · 低动态输出阻抗
电源管理 > 电压基准芯片
SOT-23
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PJM13P40PA

PJSEMI(平晶微)

一个P沟道 · VDS=-40V ID=-13A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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LM317SST

PJSEMI(平晶微)

三端稳压IC · 可调输出
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-223
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1N4148WA

PJSEMI(平晶微)

特性:适用于表面贴装应用 · 快速反向恢复时间
二极管 > 开关二极管
SOD-123W
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PJ9193BM28SE

PJSEMI(平晶微)

PSRR:75dB@1KHz · 静态电流:40uA
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23-5
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PJ9500M33SE

PJSEMI(平晶微)

宽电压输入范围1.8~6V · 超低功耗
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23-5
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PJM123NSA

PJSEMI(平晶微)

特性:表面贴装封装 · 低RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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PJM10H06NSC

PJSEMI(平晶微)

N沟道 · VDS=100V ID=6A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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PJM15N30DF

PJSEMI(平晶微)

N沟道 · VDS=30V ID=15A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-2x2-6L
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PJM10H10NSC

PJSEMI(平晶微)

N沟道 · VDS=100V ID=10A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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MMDTA143Z

PJSEMI(平晶微)

两个PNP · R1:4.7K R2:47K
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
SOT-23-6
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LMV721SE

PJSEMI(平晶微)

增益带宽积达10MHz · 压摆率为 8.5V
运算放大器/比较器 > 运算放大器
SOT-23-5
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PJ75AL30SQ

PJSEMI(平晶微)

这是一组采用CMOS技术实现的三端低功耗高压稳压器 · 允许高达36V的输入电压
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-89-3
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PJ75BL30SC

PJSEMI(平晶微)

宽电压输入范围 · 低功耗
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23-3
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PJS6001SE

PJSEMI(平晶微)

采用恒频电流模式架构 · 高效率同步降压DC
电源管理 > DC-DC电源芯片
SOT-23-5
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BC817SG-40

PJSEMI(平晶微)

两个NPN · Vceo=45V
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-23-6
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PJ54M30SC

PJSEMI(平晶微)

耐压55V · 1Q:2.1uA
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23-3
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PJ9400L30SC

PJSEMI(平晶微)

超低功耗 · 超低静态电流:0.5uA(TYP.)
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23-3
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PJP1103ASE

PJSEMI(平晶微)

单节保护 · 内置MOSFET
电源管理 > 电池管理
SOT-23-5
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PJ73AL28SA

PJSEMI(平晶微)

输入电压:20V(MAX.) · 1Q:1.5uA(TYP.)
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23
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PJM65H0D5NSA

PJSEMI(平晶微)

N沟道 · VDS=650V ID=50mA
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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1SS355WB

PJSEMI(平晶微)

特性:适用于表面贴装应用 · 高速:典型值 t = 1.2ns
二极管 > 开关二极管
SOD-323W
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PJ9500M36SQ

PJSEMI(平晶微)

是高精度、极低静态电流、低压差线性稳压器 · 能够提供500mA负载电流
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-89
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PJ56L50SE

PJSEMI(平晶微)

耐压80V · 1Q:2uA
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23-5
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PJ71K33SC

PJSEMI(平晶微)

是一组采用CMOS技术实现的三端低功耗高压稳压器 · 允许高达24V的输入电压
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23
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MMBT8050D(1.5A)

PJSEMI(平晶微)

特性:适用于开关和放大器应用 · 特别适用于音频驱动级和低功率输出级
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-23
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MMDT5551SG

PJSEMI(平晶微)

2个NPN · VCEO=160V IC=600mA
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-23-6
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PJ54DM50SE

PJSEMI(平晶微)

耐压55V · 1Q:2.1uA
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
SOT-23-5
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