制造商现货
ORIENTAL SEMI(东微) 制造商型号现货与清单询价
按制造商聚合公开现货、可询库存和资料库匹配型号，帮助采购用户区分品牌字段与官方制造商资料。当前匹配 58 个公开可查询型号。
58匹配型号
1库存品牌线索
8常见封装
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
OSG60R180FF
ORIENTAL SEMI(东微)
采用电荷平衡技术 · 实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
2,395
询盘报价
SFS08R03PNF
ORIENTAL SEMI(东微)
基于独特的器件设计 · 实现低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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OSG65R260FSF
ORIENTAL SEMI(东微)
高压MOSFET利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷 · 旨在最大限度地减少传导损耗三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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SFS08R03GNF
ORIENTAL SEMI(东微)
SFGMOS MOSFET基于独特的器件设计 · 实现了低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8
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SFS15R10GNF
ORIENTAL SEMI(东微)
FSMOS MOSFET基于独特的器件设计 · 可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8
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SFS08R07GF
ORIENTAL SEMI(东微)
基于独特的器件设计 · 可实现低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和优异的雪崩特性三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8
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SFS04R038GF
ORIENTAL SEMI(东微)
实现低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性 · 低阈值电压（Vth）系列针对低驱三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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SFG08R06DF
ORIENTAL SEMI(东微)
增强模式N通道功率MOSFET · 电流:100A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2
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OSG65R360DEF
ORIENTAL SEMI(东微)
GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术 · 实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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SFS08R08DF
ORIENTAL SEMI(东微)
实现低RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性 · 低Vth系列针对低驱动电压的同步整流系统进行三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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OSG65R580FF
ORIENTAL SEMI(东微)
采用电荷平衡技术 · 实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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OSG60R580FTF
ORIENTAL SEMI(东微)
高压MOSFET利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷 · 旨在最大限度地减少传导损耗三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F-3
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SFS06R03DF
ORIENTAL SEMI(东微)
FSMOS 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）基于东方半导体独特的器件设计 · 可实现低导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
询盘确认
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OSG65R900DTF
ORIENTAL SEMI(东微)
GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术 · 实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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OSG60R099KSZF
ORIENTAL SEMI(东微)
GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术 · 实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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SFS06R06DF
ORIENTAL SEMI(东微)
FSMOS 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）基于独特的器件设计 · 实现了低导通电阻 RDS(O三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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OSG80R250FF
ORIENTAL SEMI(东微)
采用电荷平衡技术 · 实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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OSG65R380FEF
ORIENTAL SEMI(东微)
漏源电压(Vdss) : 650V、连续漏极电流(Id) : 11A、导通电阻(RDS(on)) : 0.3三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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OSG60R074KSZF
ORIENTAL SEMI(东微)
采用电荷平衡技术 · 实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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OSG65R290FEF
ORIENTAL SEMI(东微)
OSG65R290xEF采用先进的GreenMOS™技术 · 可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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OSG70R600FF
ORIENTAL SEMI(东微)
高压MOSFET采用电荷平衡技术 · 实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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OSG55R074HSZF
ORIENTAL SEMI(东微)
增强模式N沟道功率MOSFET · 电流:47A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247-3
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OSG55R140HF
ORIENTAL SEMI(东微)
GreenMOS®高压MOSFET采用电荷平衡技术 · 实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247
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OSG65R380DEF
ORIENTAL SEMI(东微)
GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术 · 可实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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OSG70R750DF
ORIENTAL SEMI(东微)
增强模式N通道功率MOSFET 耐压:750V 电流:7A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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OSG80R1K4DF
ORIENTAL SEMI(东微)
采用电荷平衡技术 · 实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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SFG100N08PF
ORIENTAL SEMI(东微)
增强模式N通道功率MOSFET · 电流:100A三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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SFS06R025GF
ORIENTAL SEMI(东微)
实现低RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性 · 低Vth系列专为低驱动电压的同步整流电源系统三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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SFS06R03PF
ORIENTAL SEMI(东微)
FSMOS MOSFET基于独特的器件设计 · 实现了低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
询盘确认
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SFS06R045UNF
ORIENTAL SEMI(东微)
FSMOS MOSFET基于独特的器件设计 · 实现了低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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SFS06R06UGF
ORIENTAL SEMI(东微)
基于独特的器件设计 · 实现低RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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