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G3R45MT17K
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特性：G3R SiC MOSFET技术 · 卓越的QG x RDS(ON)品质因数
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G3R75MT12J
Navitas(纳微)
特性：G3R™（第三代）技术 · RDS(ON)的低温系数
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G3R30MT12J
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特性：G3R SiC MOSFET技术 · 卓越的QG x RDS(ON)品质因数
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G3R40MT12J
Navitas(纳微)
特性：G3R™碳化硅MOSFET技术 · 卓越的QG x RDS(ON)品质因数
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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G3R60MT07K
Navitas(纳微)
特性：G3R技术 · RDS(ON)与温度的相关性更平缓
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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G3R75MT12K
Navitas(纳微)
特性：G3R SiC MOSFET技术 · 卓越的QG x RDS(ON)品质因数
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G3R40MT12D
Navitas(纳微)
特性：G3R SiC MOSFET技术 · 卓越的QG x RDS(ON)品质因数
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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G3R20MT12K
Navitas(纳微)
特性：G3R™ (第三代) 技术 · 低导通电阻RDS(ON)温度系数
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
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GC05MPS33J
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特性：增强的浪涌和雪崩鲁棒性 · 高温操作时低正向电压VF
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GD2X30MPS12N
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特性：Gen4 Thin Chip Technology for Low VF · Enhanced Sur
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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