制造商现货
NCE(无锡新洁能) 制造商型号现货与清单询价
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665匹配型号
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
NCE6080K
NCE(无锡新洁能)
NCE6080K采用先进的沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
397,500
询盘报价
NCE40H12K
NCE(无锡新洁能)
NCE40H12K采用先进的沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
164,250
询盘报价
NCE6050KA
NCE(无锡新洁能)
N沟道MOSFET. VDS=60V · ID=50A. 导通电阻<20mR三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
161,120
询盘报价
NCE6003X
NCE(无锡新洁能)
NCE6003X采用先进的沟槽技术 · 具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
112,640
询盘报价
NCE0110AK
NCE(无锡新洁能)
NCE0110AK采用先进的沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻Rds(ON)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
37,054
询盘报价
NCE80TD60BT
NCE(无锡新洁能)
使用专有沟槽设计和先进的 FS（场截止）第二代技术 · 600V 沟槽 FSII IGBT 具有卓越的导通和三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
28,000
询盘报价
NCE15P25JK
NCE(无锡新洁能)
NCE15P25JK采用先进的沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷的情况下提供出色的 $\\mathsf{R_三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
27,500
询盘报价
NCE30P50G
NCE(无锡新洁能)
NCE30P50G采用先进的沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷下提供出色的 $\\mathsf{R_{DS(三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN
21,840
询盘报价
NCE1540K
NCE(无锡新洁能)
NCE1540K采用先进的沟槽技术和设计 · 在实现低栅极电荷的同时具备出色的导通电阻RDS(ON)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
20,000
询盘报价
NCE7560K
NCE(无锡新洁能)
N沟道MOSFET. VDS=75V · ID=60A. 导通电阻<8.5mR三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
20,000
询盘报价
NCE80TD65BT
NCE(无锡新洁能)
使用专有沟槽设计和先进的 FS（场截止）第二代技术 · 650V 沟槽 FS II IGBT 具有出色的导通三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
15,000
询盘报价
NCE60TD60BT
NCE(无锡新洁能)
采用专有沟槽设计和先进的FS（场截止）第二代技术 · 600V沟槽FSII IGBT提供卓越的导通和开关性能三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
13,800
询盘报价
NCE3065Q
NCE(无锡新洁能)
NCE3065Q采用先进的沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN3.3X3.3
10,000
询盘报价
NCE4060K
NCE(无锡新洁能)
NCE4060K采用先进的沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
10,000
询盘报价
NCE6080A
NCE(无锡新洁能)
NCE6080A采用先进的沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
10,000
询盘报价
NCE60P10K
NCE(无锡新洁能)
使用先进的沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻 (RDS(ON))三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
7,500
询盘报价
NCE65T900K
NCE(无锡新洁能)
该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计 · 以低栅极电荷提供出色的RDS(ON)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
7,500
询盘报价
NCE8295AK
NCE(无锡新洁能)
NCE8295AK采用先进的沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻Rds(ON)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
7,500
询盘报价
NCE6012AS
NCE(无锡新洁能)
NCE6012AS采用先进的沟槽技术和设计 · 在低栅极电荷的情况下可实现出色的导通电阻RDS(ON)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
7,292
询盘报价
NCE60TD65BT
NCE(无锡新洁能)
采用新洁能（NCE）专有的沟槽设计和先进的第二代场截止（FS）技术 · 650V沟槽式FSII绝缘栅双极晶体三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
7,200
询盘报价
NCE65TF130
NCE(无锡新洁能)
该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计 · 可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
6,260
询盘报价
NCE0224AK
NCE(无锡新洁能)
使用先进的沟槽技术和设计 · 提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
5,000
询盘报价
NCE40P13S
NCE(无锡新洁能)
NCE40P13S采用先进的沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
5,000
询盘报价
NCE65TF180T
NCE(无锡新洁能)
该系列器件采用先进的沟槽栅超级结技术和设计 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247
3,600
询盘报价
NCE65T540F
NCE(无锡新洁能)
该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计 · 提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
3,326
询盘报价
NCE70T540F
NCE(无锡新洁能)
使用先进的沟槽栅极超结技术和设计 · 可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
1,000
询盘报价
NCE65NF036T
NCE(无锡新洁能)
该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计 · 可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247
900
询盘报价
NCE603S
NCE(无锡新洁能)
NCE603S采用先进的沟槽技术 · 具备出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SO-8
790
询盘报价
NCE0224K
NCE(无锡新洁能)
使用先进的沟槽技术和设计 · 提供低栅极电荷和出色的导通电阻RDS(ON)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
询盘确认
询盘报价
NCE60P12K
NCE(无锡新洁能)
NCE60P12K采用先进的沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2L
询盘确认
询盘报价
NCE01P30K
NCE(无锡新洁能)
NCE01P30K采用先进的沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2L
询盘确认
询盘报价