制造商现货

MP(美禄科技) 制造商型号现货与清单询价

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268匹配型号 1库存品牌线索 8常见封装
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MP(美禄科技)80
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价

MU4005X

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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MU4001Y

MP(美禄科技)

类型:P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):40A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
询盘确认
询盘报价

MU4003X

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):30A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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询盘报价

MU3016Y

MP(美禄科技)

类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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MPC356B1(T1)-GV

MP(美禄科技)

晶体管光耦:输入电压类型:DC 输出通道数:1 正向电压:1.24V 反向电压:6V 输出电流:50mA 接
光耦 > 晶体管输出光耦
SOP-4
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MU3407V

MP(美禄科技)

类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs ·
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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MPC1018(T1)-GV(B)

MP(美禄科技)

晶体管光耦:输入电压类型:DC 输出通道数:1 正向电压:1.24V 反向电压:6V 输出电流:50mA 接
光耦 > 晶体管输出光耦
LSOP-4
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MPC357C1(T1)-GV

MP(美禄科技)

晶体管光耦:输入电压类型:DC 输出通道数:1 正向电压:1.24V 反向电压:6V 输出电流:50mA 接
光耦 > 晶体管输出光耦
SOP-4
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MPC817C1-FGV

MP(美禄科技)

结合了AlGaAs红外发射二极管作为发射器 · 该发射器与塑料DIP4封装中的硅平面光电晶体管探测器进行光耦
光耦 > 晶体管输出光耦
DIP-4
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MP3H7B(T1)-GV

MP(美禄科技)

MP3H7系列将AlGaAs红外发射二极管作为发射器 · 该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合
光耦 > 晶体管输出光耦
SSOP-4
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MPC356C1(T1)-GV

MP(美禄科技)

晶体管光耦:输入电压类型:DC 输出通道数:1 正向电压:1.24V 反向电压:6V 输出电流:50mA 接
光耦 > 晶体管输出光耦
SOP-4
询盘确认
询盘报价

MPC1019(T1)-GV(B)

MP(美禄科技)

晶体管光耦:输入电压类型:DC 输出通道数:1 正向电压:1.24V 反向电压:6V 输出电流:50mA 接
光耦 > 晶体管输出光耦
LSOP-4
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MU2302T

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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MPC1018(T1)-GV

MP(美禄科技)

将AlGaAs红外发射二极管作为发射器 · 与塑料LSOP4封装中的硅平面光电晶体管探测器进行光耦合
光耦 > 晶体管输出光耦
LSOP-4
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MU6004D

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):80A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MU4003D

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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询盘报价

MU3008D

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):40A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MPC354(T1)-GV

MP(美禄科技)

常用于过零检测与AC通断检测
光耦 > 晶体管输出光耦
SOP-4
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MU2305T

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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MPCM3063(T1)-GV

MP(美禄科技)

光耦 光耦:控制可控硅触发 · 电吹风发热控制
光耦 > 可控硅输出光耦
SOP-4
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MPD05N50

MP(美禄科技)

特性:500V · 5A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MU3400T

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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MU3401V

MP(美禄科技)

类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs ·
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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MPC817B1(SL)(T1)-FGV

MP(美禄科技)

结合了AlGaAs红外发射二极管作为发射器 · 该发射器与塑料DIP4封装中的硅平面光电晶体管探测器进行光耦
光耦 > 晶体管输出光耦
SOP-4
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MP3H4A(T1)-GV

MP(美禄科技)

常用于过零检测与AC通断检测
光耦 > 晶体管输出光耦
SSOP-4
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MPD04N65

MP(美禄科技)

N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs · I
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MPD05N50C

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MPC357B1(T1)-GV

MP(美禄科技)

晶体管光耦:输入电压类型:DC 输出通道数:1 正向电压:1.24V 反向电压:6V 输出电流:50mA 接
光耦 > 晶体管输出光耦
SOP-4
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MU4001D

MP(美禄科技)

类型:P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):40A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MPCM601(T1)-GV

MP(美禄科技)

MPCM601系列将一个铝镓砷(AlGaAs)红外发射二极管作为发射端 · 该发射端与一个带可选通输出的硅高
光耦 > 逻辑输出光耦
SOP-5
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MPC817C1(SL)(T1)-FGV

MP(美禄科技)

结合了AlGaAs红外发射二极管作为发射器 · 该发射器与塑料DIP4封装中的硅平面光电晶体管探测器进行光耦
光耦 > 晶体管输出光耦
SOP-4
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MS8003L

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):383A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8
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MU3014D

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):180A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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询盘报价

MU3020Y

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):130A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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询盘报价

MU3013Y

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):90A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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询盘报价

MU4005D

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):70A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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询盘报价

MSE002L

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):130A 导通电阻(RDS(on)@Vg
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8
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询盘报价

MU2001D

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):90A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MPC3083-GV

MP(美禄科技)

可控硅光耦:控制可控硅触发 · 低触发电流:≤5mA
光耦 > 可控硅输出光耦
DIP-6
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MPF20N50

MP(美禄科技)

N沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs ·
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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MU4006X

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):70A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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MS0008Y

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):79A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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MPP10N65

MP(美禄科技)

特性:650V · 10A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PTO-252
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询盘报价

MD4001X

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):64A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
询盘确认
询盘报价

MU3020D

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):190A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
询盘确认
询盘报价

MU2N7002T

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):0.32A 导通电阻(RDS(on)@Vg
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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询盘报价

MS8001B

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):85V 连续漏极电流(Id):120A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
询盘确认
询盘报价

MSA004C

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):110V 连续漏极电流(Id):173A 导通电阻(RDS(on)@Vg
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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询盘报价

MP350A-G(B)

MP(美禄科技)

驱动光耦:输入类型:DC 共模瞬变抗扰度CMTI:15kV · us 传播延迟tpLH
光耦 > 栅极驱动光耦
DIP-8
询盘确认
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MU3019Y

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):140A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
询盘确认
询盘报价

MP3182-G(B)

MP(美禄科技)

驱动光耦:输入类型:DC 共模瞬变抗扰度CMTI:35kV · us 传播延迟tpLH
光耦 > 栅极驱动光耦
DIP-8
询盘确认
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MPC3120R-GV

MP(美禄科技)

驱动光耦:输入类型:DC 共模瞬变抗扰度CMTI:35kV · us 传播延迟tpLH
光耦 > 栅极驱动光耦
DIP-8
询盘确认
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FMSB310

MP(美禄科技)

带快恢复功能 · VRRM = 1000V
二极管 > 整流桥
MSB
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FMSB610

MP(美禄科技)

带快恢复功能 · VRRM = 1000V
二极管 > 整流桥
MSB
询盘确认
询盘报价

FMSB810

MP(美禄科技)

带快恢复功能 · VRRM = 1000V
二极管 > 整流桥
MSB
询盘确认
询盘报价

MU0004D

MP(美禄科技)

类型:P沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
询盘确认
询盘报价

MU6002D

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
询盘确认
询盘报价

MPC3150L(SL)(T1)-GV

MP(美禄科技)

输入类型:DC 共模瞬变抗扰度CMTI:20kV · us 传播延迟tpLH
光耦 > 栅极驱动光耦
SOP-8
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询盘报价

MPC3023-GV

MP(美禄科技)

光耦:控制可控硅触发 · 低触发电流:≤5mA
光耦 > 可控硅输出光耦
DIP-6
询盘确认
询盘报价

MU3009D

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
询盘确认
询盘报价

MU4002Y

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):40A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
询盘确认
询盘报价

MU3009X

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):30A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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MPC3120-GV

MP(美禄科技)

输入类型:DC 共模瞬变抗扰度CMTI:20kV · us 传播延迟tpLH
光耦 > 栅极驱动光耦
DIP-8
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MU3001T

MP(美禄科技)

特性:30V · 5.7A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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MU4007Y

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):190A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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6N137-GV

MP(美禄科技)

输入类型:DC 共模瞬变抗扰度CMTI:10kV · us 数据速率:10Mbit
光耦 > 逻辑输出光耦
DIP-8
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MPC3053(SL)(T1)-GV

MP(美禄科技)

光耦:控制可控硅触发 · 低触发电流:≤5mA
光耦 > 可控硅输出光耦
SOP-6
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FMSB410

MP(美禄科技)

带快恢复功能 · VRRM = 1000V
二极管 > 整流桥
MSB
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MPC3063-GV

MP(美禄科技)

可控硅光耦:控制可控硅触发 · 低触发电流:≤5mA
光耦 > 可控硅输出光耦
DIP-6
询盘确认
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MPC3023(SL)(T1)-GV

MP(美禄科技)

光耦:控制可控硅触发 · 低触发电流:≤5mA
光耦 > 可控硅输出光耦
SOP-6
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询盘报价

MPP10N65A

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):10A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PTO-252
询盘确认
询盘报价

MPC3053-GV

MP(美禄科技)

光耦:控制可控硅触发 · 低触发电流:≤5mA
光耦 > 可控硅输出光耦
DIP-6
询盘确认
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MSE003L

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):263A 导通电阻(RDS(on)@Vg
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8L
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MJQ28N60

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):28A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247
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MJD08N70

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MJF11N65

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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MPF04NA2

MP(美禄科技)

N沟道 漏源电压(Vdss):1200V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs ·
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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MU4004D

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):60A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MPF04N65

MP(美禄科技)

N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs · I
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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MJD11N65

MP(美禄科技)

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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