制造商现货
MP(美禄科技) 制造商型号现货与清单询价
按制造商聚合公开现货、可询库存和资料库匹配型号,帮助采购用户区分品牌字段与官方制造商资料。当前匹配 268 个公开可查询型号。
268匹配型号
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
MU4005X
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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MU4001Y
MP(美禄科技)
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):40A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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MU4003X
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):30A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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MU3016Y
MP(美禄科技)
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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MPC356B1(T1)-GV
MP(美禄科技)
晶体管光耦:输入电压类型:DC 输出通道数:1 正向电压:1.24V 反向电压:6V 输出电流:50mA 接光耦 > 晶体管输出光耦
SOP-4
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MU3407V
MP(美禄科技)
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs ·三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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MPC1018(T1)-GV(B)
MP(美禄科技)
晶体管光耦:输入电压类型:DC 输出通道数:1 正向电压:1.24V 反向电压:6V 输出电流:50mA 接光耦 > 晶体管输出光耦
LSOP-4
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MPC357C1(T1)-GV
MP(美禄科技)
晶体管光耦:输入电压类型:DC 输出通道数:1 正向电压:1.24V 反向电压:6V 输出电流:50mA 接光耦 > 晶体管输出光耦
SOP-4
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MPC817C1-FGV
MP(美禄科技)
结合了AlGaAs红外发射二极管作为发射器 · 该发射器与塑料DIP4封装中的硅平面光电晶体管探测器进行光耦光耦 > 晶体管输出光耦
DIP-4
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MP3H7B(T1)-GV
MP(美禄科技)
MP3H7系列将AlGaAs红外发射二极管作为发射器 · 该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光耦合光耦 > 晶体管输出光耦
SSOP-4
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MPC356C1(T1)-GV
MP(美禄科技)
晶体管光耦:输入电压类型:DC 输出通道数:1 正向电压:1.24V 反向电压:6V 输出电流:50mA 接光耦 > 晶体管输出光耦
SOP-4
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MPC1019(T1)-GV(B)
MP(美禄科技)
晶体管光耦:输入电压类型:DC 输出通道数:1 正向电压:1.24V 反向电压:6V 输出电流:50mA 接光耦 > 晶体管输出光耦
LSOP-4
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MU2302T
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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MPC1018(T1)-GV
MP(美禄科技)
将AlGaAs红外发射二极管作为发射器 · 与塑料LSOP4封装中的硅平面光电晶体管探测器进行光耦合光耦 > 晶体管输出光耦
LSOP-4
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MU6004D
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):80A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MU4003D
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MU3008D
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):40A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MU2305T
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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MU3400T
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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MU3401V
MP(美禄科技)
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs ·三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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MPC817B1(SL)(T1)-FGV
MP(美禄科技)
结合了AlGaAs红外发射二极管作为发射器 · 该发射器与塑料DIP4封装中的硅平面光电晶体管探测器进行光耦光耦 > 晶体管输出光耦
SOP-4
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MPD04N65
MP(美禄科技)
N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs · I三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MPD05N50C
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MPC357B1(T1)-GV
MP(美禄科技)
晶体管光耦:输入电压类型:DC 输出通道数:1 正向电压:1.24V 反向电压:6V 输出电流:50mA 接光耦 > 晶体管输出光耦
SOP-4
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MU4001D
MP(美禄科技)
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):40A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MPCM601(T1)-GV
MP(美禄科技)
MPCM601系列将一个铝镓砷(AlGaAs)红外发射二极管作为发射端 · 该发射端与一个带可选通输出的硅高光耦 > 逻辑输出光耦
SOP-5
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MPC817C1(SL)(T1)-FGV
MP(美禄科技)
结合了AlGaAs红外发射二极管作为发射器 · 该发射器与塑料DIP4封装中的硅平面光电晶体管探测器进行光耦光耦 > 晶体管输出光耦
SOP-4
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MS8003L
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):383A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8
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MU3014D
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):180A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MU3020Y
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):130A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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MU3013Y
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):90A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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MU4005D
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):70A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MSE002L
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):130A 导通电阻(RDS(on)@Vg三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8
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MU2001D
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):90A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MPF20N50
MP(美禄科技)
N沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs ·三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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MU4006X
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):70A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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MS0008Y
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):79A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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MD4001X
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):64A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8
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MU3020D
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):190A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MU2N7002T
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):0.32A 导通电阻(RDS(on)@Vg三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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MS8001B
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):85V 连续漏极电流(Id):120A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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MSA004C
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):110V 连续漏极电流(Id):173A 导通电阻(RDS(on)@Vg三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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MU3019Y
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):140A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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MU0004D
MP(美禄科技)
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MU6002D
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MU3009D
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):50A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MU4002Y
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):40A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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MU3009X
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):30A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
询盘确认
询盘报价
MU4007Y
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):190A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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MPP10N65A
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):10A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PTO-252
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MSE003L
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):263A 导通电阻(RDS(on)@Vg三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8L
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MJQ28N60
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):28A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247
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MJD08N70
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MJF11N65
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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MPF04NA2
MP(美禄科技)
N沟道 漏源电压(Vdss):1200V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs ·三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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MU4004D
MP(美禄科技)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):60A 导通电阻(RDS(on)@Vgs三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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MPF04N65
MP(美禄科技)
N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs · I三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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