制造商现货
Liown(里阳半导体) 制造商型号现货与清单询价
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
LY323DC05
Liown(里阳半导体)
LY323DCXX是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列 · 采用领先的单片硅技术TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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LY143DA05UL
Liown(里阳半导体)
LY143DA05UL是一款TVS阵列 · 采用领先的单片硅技术TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-143
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LY236DA05UL
Liown(里阳半导体)
LY236DA05UL是一款超低电容TVS阵列 · 采用先进的单片硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-23-6
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LY8AC15UL
Liown(里阳半导体)
LY8AC15UL 是一款双向 TVS 二极管 · 采用领先的单片硅技术TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2
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SJD12A10L01
Liown(里阳半导体)
旨在保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响 · 与SMA封装相比三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-123
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SJD12C36L01
Liown(里阳半导体)
SJD系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计 · 与SMA封装相比TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-123FL
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LY323DC15UL
Liown(里阳半导体)
LY323DCXXUL是一款双向TVS二极管阵列 · 采用领先的单片硅技术TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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LYQ10BA05UL
Liown(里阳半导体)
LYQ10BA05UL是一款超低电容TVS阵列 · 采用领先的单片硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-2510-10
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SJD12C28L01
Liown(里阳半导体)
SJD系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计 · 与SMA封装相比TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-123FL
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LY8AC05UL
Liown(里阳半导体)
LY8AC05UL是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管 · 采用先进的单片硅技术TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2
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LY323DC05UL
Liown(里阳半导体)
LY323DCXXUL是一款双向TVS二极管阵列 · 采用领先的单片硅技术TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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P6SMAJ22CA
Liown(里阳半导体)
设计用于保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响 · 适用于表面贴装应用三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DO-214AC
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LY523DC05
Liown(里阳半导体)
LY523DC05是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管 · 采用先进的单片硅技术TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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SJD12C05L01
Liown(里阳半导体)
SJD系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计 · 与SMA封装相比TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-123FL
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SMBJ18CA-Q
Liown(里阳半导体)
SMBJ-Q系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变而设计 · 适用于表面贴装应用TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SMB
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P6SMAJ33CA
Liown(里阳半导体)
P6SMAJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计 · 适用于表面贴装应TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DO-214AC
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LY323DC12UL
Liown(里阳半导体)
LY323DCXXUL是一款双向TVS二极管阵列 · 采用领先的单片硅技术TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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SJD12A110L01
Liown(里阳半导体)
旨在保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响 · 与SMA封装相比三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-123
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SJD12C33L01
Liown(里阳半导体)
SJD系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计 · 与SMA封装相比三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-123FL
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SJD12C90L01
Liown(里阳半导体)
旨在保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响 · 与SMA封装相比三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-123
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SJD12C12L01
Liown(里阳半导体)
SJD系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计 · 与SMA封装相比TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-123FL
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SMDJ210A
Liown(里阳半导体)
SMDJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变而设计 · 适用于表面贴装应用三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SMC
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LY712
Liown(里阳半导体)
LY712专为多点数据传输应用中的不对称（12V至 -7V）保护而设计 · 它通过在单个封装中集成两个17V三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-23
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SJD12A15L01
Liown(里阳半导体)
SJD系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计 · 与SMA封装相比三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-123FL
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SMDJ24A-Q
Liown(里阳半导体)
SMDJ-Q系列专门设计用于保护敏感电子设备 · 使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DO-214AB
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LY23EA05
Liown(里阳半导体)
LY23EA05 是一款单向 TVS 二极管阵列 · 采用领先的单片硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-23
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SMBJ43CA-Q
Liown(里阳半导体)
SMBJ-Q系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变而设计 · 适用于表面贴装应用三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SMB
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1.0SMB18CA
Liown(里阳半导体)
1.0SMB系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计 · 适用于表面贴装应三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SMB
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SJD12C18L01
Liown(里阳半导体)
SJD系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计 · 与SMA封装相比TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-123FL
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LY236CA05UL
Liown(里阳半导体)
LY236CA05UL是一款超低电容TVS阵列 · 采用领先的单片硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-23-6
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SMDJ200A
Liown(里阳半导体)
SMDJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变而设计 · 适用于表面贴装应用三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SMC
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SJD12C45L01
Liown(里阳半导体)
SJD系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计 · 与SMA封装相比三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-123FL
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LY323BC1524L
Liown(里阳半导体)
LY323BC1524L专为多点数据传输应用中的不对称（15V至-24V）保护而设计 · 是保护电压敏感高速三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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SMDJ220A
Liown(里阳半导体)
SMDJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变而设计 · 适用于表面贴装应用TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SMC
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SMBJ6.0CA-Q
Liown(里阳半导体)
SMBJ-Q系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变而设计 · 适用于表面贴装应用三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SMB
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SJD12C60L01
Liown(里阳半导体)
SJD系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计 · 与SMA封装相比TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-123FL
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SJD12A26L01
Liown(里阳半导体)
SJD系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计 · 与SMA封装相比三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-123FL
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LY323DC24UL
Liown(里阳半导体)
LY323DCXXUL是一款双向TVS二极管阵列 · 采用领先的单片硅技术TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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LYA2.8-4
Liown(里阳半导体)
LYA2.8 - 4旨在保护低压CMOS半导体免受静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）、雷击及其他感应三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SO-8
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LY23EA12
Liown(里阳半导体)
LY23EAXX 是一款单向 TVS 二极管阵列 · 采用领先的单片硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-23
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SJD12A05L01
Liown(里阳半导体)
SJD系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计 · 与SMA封装相比TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-123FL
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SJD12C06L01
Liown(里阳半导体)
SJD系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计 · 与SMA封装相比TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-123FL
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SJD12C100L01
Liown(里阳半导体)
SJD系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计 · 与SMA封装相比三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-123FL
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SMBJ16CA-Q
Liown(里阳半导体)
SMBJ-Q系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变而设计 · 适用于表面贴装应用三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SMB
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LYT32CC24L
Liown(里阳半导体)
LYT32CC24L 是一款双向 TVS 二极管阵列 · 采用领先的单片硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-323
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SJD12A13L01
Liown(里阳半导体)
旨在保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响 · 与SMA封装相比三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-123
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SJD12C24L01
Liown(里阳半导体)
SJD系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计 · 与SMA封装相比三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-123FL
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SMDJ180A
Liown(里阳半导体)
SMDJ系列专为保护敏感电子设备免受雷击和其他瞬态电压事件引起的电压瞬变而设计 · 适用于表面贴装应用TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SMC
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5KP12CA
Liown(里阳半导体)
5KP系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
P600
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SJD12C7.5L01
Liown(里阳半导体)
SJD系列专为保护敏感电子设备免受雷击及其他瞬态电压事件引起的电压瞬变影响而设计 · 与SMA封装相比三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-123FL
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LY323DC18
Liown(里阳半导体)
LY323DCXX是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列 · 采用领先的单片硅技术三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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LY323DC03UL
Liown(里阳半导体)
LY323DCXXUL是一款双向TVS二极管阵列 · 采用领先的单片硅技术TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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LY03AC5UL
Liown(里阳半导体)
LY03AC5UL是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管 · 采用先进的单片硅技术TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1610-2
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