制造商现货
Leiditech(雷卯电子) 制造商型号现货与清单询价
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L35L5V0CB2
Leiditech(雷卯电子)
特性:450W 峰值脉冲功率 (8 · 20μs)SP3012-04UTG
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特性:超低电容:典型值0.3pF(I · O到IPMV27UPEA
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PMV27UPEA采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷PESD5V0C1BLS-Q
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特性:超低电容:典型值0.5 pF · 超低泄漏:nA级别STL20N6F7
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STL20N6F7采用先进技术 · 可实现出色的导通电阻Rps(on)、低栅极电荷CDSOD323-T08C
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特性:超低泄漏:nA级别 · 工作电压:8VESD112-B1-02EL
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特性:超低泄漏:nA级别 · 工作电压:5VTT0501SB
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特性:超低电容:典型值0.5pF · 超低泄漏:nA级别CDSOD323-T12C
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特性:350W 峰值脉冲功率(8 · 20μs)ULC0511CDN
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特性:超低泄漏:nA级别 · 工作电压:5VPESD2442U005
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特性:ESD保护高速数据线 · 符合IEC61000-4-2标准PESD0542U005
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PESD0542U005聚合物ESD抑制器可保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)影响 · 且不会扭曲数据信ESDBKV3V3D3
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特性:400W 峰值脉冲功率 (8 · 20 μs)ULC9L5V
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极性Unidirectional峰值脉冲电流5A(8 · 20us)箝位电压10V@1ACPDQC3V3C-HF
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特性:保护一条数据线 · 超低泄漏:nA级别AZ5525-01F
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特性:超小封装:1.0×0.6×0.5mm · 超低电容:典型值15pFAZ9565-01F
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特性:超低泄漏:nA级别 · 工作电压:5VAZ9585-01F
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特性:超小封装:1.0×0.6×0.5mm · 保护一条数据线或电源线BDFN1C051R
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特性:超小尺寸封装:0.6×0.3×0.3mm · 超低电容:典型值0.25pFCESD882NC5VB
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特性:超小封装:1.0×0.6×0.5 mm · 超低电容:典型值15pFDESD5V0S1BL-7B
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特性:超小封装:1.0×0.6×0.5mm · 超低电容:典型值15pFDESD5V0U1BL-7B
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特性:超低泄漏:nA级 · 工作电压:5VDF2B6.8M1ACT
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特性:超低泄漏:nA级别 · 工作电压:5VDTESDBLC5V0LED02
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特性:超小封装:1.0×0.6×0.5 mm · 超低电容:典型值15 pFESD0P2RF-02LRH-TP
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特性:超低泄漏:nA级别 · 工作电压:5VESD0P2RF-02LS
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特性:超小封装:0.6×0.3×0.3mm · 超低电容:典型值0.25pFESD105-B1-02ELS
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特性:超小封装:0.6×0.3×0.3mm · 超低电容:0.25pF(典型值)ESD108-B1-CSP0201
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特性:超小封装:0.6×0.3×0.3mm · 超低电容:0.25pF(典型值)ESD5311N-2
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特性:超低泄漏:nA级别 · 工作电压:5VESD5451Z
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特性:超低泄漏:nA级别 · 工作电压:5VESD5V0B03-1006
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特性:超低泄漏:nA级别 · 工作电压:5VESDALC6V1-1BM2
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特性:超小封装:1.0×0.6×0.5 mm · 超低电容:典型值15 pFESDLC3V3LB
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特性:保护一条数据线 · 超低泄漏:nA级别ESDTU5V0A1
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特性:超低泄漏:nA级别 · 工作电压:5VGESDBK5V0Y1
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特性:超小封装:1.0×0.6×0.5mm · 超低电容:典型值15pFLM-AZ4A18-01F
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特性:每线100瓦峰值脉冲功率(tp = 8 · 20 μs)LM-AZ6118-01F
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特性:保护一条数据线 · 超低泄漏:nA级别LM-EZAEG2A50AX
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特性:超低电容:0.05pF(典型值) · 低泄漏电流:<10nAMKT3412AB
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特性:超小封装:1.0×0.6×0.5 mm · 超低电容:典型值15 pFP0402FC05C
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特性:超小封装:1.0×0.6×0.5mm · 保护一条数据线或电源线PCLAMP0511ZV
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特性:超小封装:1.0×0.6×0.5mm · 保护一条电源线PESD0542L003
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特性:最大允许连续直流电压:5.0V · 触发电压PESD1642U005
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特性:ESD保护高速数据线 · 符合IEC61000-4-2标准PESD2842U005
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特性:ESD保护高速数据线 · 符合IEC61000-4-2标准:接触放电典型值15KVPESD3V3L1UL
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特性:保护一条数据线 · 超低泄漏:nA级别PESD5V0C1USF
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特性:超小封装:0.6×0.3×0.3mm · 超低电容:0.25pF(典型值)PESD5V0R1BSF
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特性:超小封装:0.6×0.3×0.3mm · 超低电容:典型值0.25pFPS05TBUL2
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特性:超低泄漏:nA级别 · 工作电压:5VSDA0811CDN
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特性:超低泄漏:nA级别 · 工作电压:8VSP1005-01ETG
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特性:超低泄漏:nA级别 · 低工作电压:5VSP1006-01UTG
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特性:超低泄漏:nA级别 · 工作电压:5VSSCE5V022L1
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特性:超低泄漏:nA级别 · 工作电压:5VSSCE5V032N9
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特性:超低泄漏:nA级别 · 工作电压:5VTT0521SB
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特性:超低泄漏:nA级别 · 工作电压:5VUAD8C05L01
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特性:超低泄漏:nA级别 · 工作电压:5VUCLAMP0511T
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特性:超小封装:1.0 × 0.6 × 0.5 mm · 超低电容:15 pF(典型值)WE05DRF-B-01
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特性:超低泄漏:nA级别 · 工作电压:5VWE05DUCMS-B
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特性:超小封装:0.6×0.3×0.3mm · 超低电容:0.25pF(典型值)PESD1442U005
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特性:为高速数据线提供静电放电保护 · 符合IEC61000-4-2标准SMDA05CCN
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极性Bidirectional峰值脉冲电流25A(8 · 20us)箝位电压7V@1ALAD8C05L01
Leiditech(雷卯电子)
特性:超小封装:1.0 × 0.6 × 0.5 mm · 超低电容:15 pF(典型值)PESD0542L050
Leiditech(雷卯电子)
Leiditech的ESD器件系列可帮助保护HDMI 1.3、便携式视频播放器、LCD和等离子电视、USBAZ5A23-01F
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特性:超小封装:0.6×0.3×0.3 mm · 低电容LM-ESDA33CP
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特性:保护一条数据线 · 超低泄漏:nA级别RSD6325FT
Leiditech(雷卯电子)
特性:超小封装:1.0×0.6×0.5 mm · 超低电容:典型值15 pFESD9B5VL-2
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特性:超小封装:1.0×0.6×0.5mm · 超低电容:典型值15pFLM-RCLAMP0521PA
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特性:超低泄漏:nA级别 · 工作电压:5V