制造商现货
KY(韩景元) 制造商型号现货与清单询价
按制造商聚合公开现货、可询库存和资料库匹配型号，帮助采购用户区分品牌字段与官方制造商资料。当前匹配 73 个公开可查询型号。
73匹配型号
1库存品牌线索
8常见封装
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
KY4407
KY(韩景元)
特性：RDS(ON) ≤ 14 mΩ（典型值10mΩ）@VGS = -10V · RDS(ON) ≤ 20三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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KY2004KNC
KY(韩景元)
特性：RDS(ON) ≤ 0.75Ω (典型值0.65Ω) @VGS = -2.5V · RDS(ON) ≤三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-1006-3L
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KY4435
KY(韩景元)
特性：RDS(ON) ≤ 23 mΩ（典型值16mΩ） @VGS=-10V · RDS(ON) ≤ 34 m三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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KY2312
KY(韩景元)
特性：RDS(ON) ≤ 21mΩ (16mΩ 典型值) @VGS = 4.5V · RDS(ON) ≤ 3三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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KY2300
KY(韩景元)
特性：- RDS(ON) ≤ 24mΩ (21.6mΩ 典型值) @VGS = 2.5V · RDS(ON)三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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KY2002KNC
KY(韩景元)
特性：RDS(ON) ≤ 0.38Ω (典型值0.25Ω) @VGS = 4.5V · RDS(ON) ≤三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-1006-3L
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KY6800
KY(韩景元)
特性：RDS(ON) ≤ 39 mΩ (30mΩ Typ.) @VGS=10V · RDS(ON) ≤ 52三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-6L
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KY3401
KY(韩景元)
特性：RDS(ON) ≤ 55mΩ (45mΩ 典型值) @VGS = 10V · RDS(ON) ≤ 68三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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KY2301H
KY(韩景元)
特性：RDS(ON) ≤ 110mΩ (76mΩ 典型值) @VGS=-4.5V · RDS(ON) ≤ 1三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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KY2305A
KY(韩景元)
特性：RDS(ON) ≤ 45 mΩ (35mΩ 典型值) @VGS=-4.5V · RDS(ON) ≤ 7三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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KYL3407
KY(韩景元)
特性：RDS(ON) ≤ 60mΩ (45mΩ典型值) · VGS = -10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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KY2004K
KY(韩景元)
特性：RDS(ON) ≤ 520 mΩ (380mΩ 典型值) @VGS=-4.5V · RDS(ON) ≤三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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KY3400
KY(韩景元)
特性：RDS(ON) ≤ 33mΩ (21mΩ 典型值) · VGS = 10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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KY6801
KY(韩景元)
特性：RDS(ON) ≤ 150 mΩ (120mΩ 典型值) @VGS=-4.5V · RDS(ON) ≤三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-6L
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KY3404
KY(韩景元)
特性：RDS(ON) ≤ 25 mΩ (典型值18mΩ) · VGS = 10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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KYL3400
KY(韩景元)
特性：RDS(ON) ≤ 26mΩ (19mΩ 典型值) @VGS = 10V · RDS(ON) ≤ 32三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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KY4953C
KY(韩景元)
特性：RDS(ON) ≤ 87mΩ (66mΩ 典型值) @VGS = -10V · RDS(ON) ≤ 1三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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KY2310L
KY(韩景元)
特性：RDS(ON) ≤ 100mΩ (83mΩ 典型值) · VGS = 10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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KY3407C
KY(韩景元)
特性：RDS(ON) ≤ 80 mΩ (57mΩ 典型值) @VGS = -4.5V · RDS(ON) ≤三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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BTB26-800B
KY(韩景元)
25A TRIACs 3 Quadrants IT(RMS): 25A VGT: 1.5V VDRM VRR三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-263
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KY2304
KY(韩景元)
特性：RDS(ON) ≤ 39 mΩ (31mΩ 典型值) · VGS = 10V三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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KY3407
KY(韩景元)
特性：RDS(ON) ≤ 60 mΩ (48mΩ 典型值) @VGS = 10V · RDS(ON) ≤ 8三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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KY3415B
KY(韩景元)
特性：RDS(ON) ≤ 45 mΩ (38mΩ 典型值) @VGS=-4.5V · RDS(ON) ≤ 6三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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KY2N7002KL
KY(韩景元)
特性：RDS(ON) ≤ 1.6 Ω @ VGS = 10V · RDS(ON) ≤ 2.5 Ω @ VGS三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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BTB12-800SW
KY(韩景元)
3 Quadrants TRIACs\nIT(RMS): 12A VGT≤1.3V：VDRM VRRM:80三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-263
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KY9435
KY(韩景元)
特性：RDS(ON) ≤ 55 mΩ (43mΩ 典型值) @VGS=-10V · RDS(ON) ≤ 90三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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KY2310
KY(韩景元)
特性：RDS(ON) ≤ 100mΩ (83mΩ 典型值) @VGS = 10V · RDS(ON) ≤ 1三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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BCR12PM
KY(韩景元)
12A TRIACsHigh temperature junciton TRIACs · IT(RMS):1三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-220F
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SCR1630
KY(韩景元)
30A Standard SCRs\nIT(RMS):30A VGT: 1.5V \nVDRM VRRM:1三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-220B
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TYN7512
KY(韩景元)
晶闸管(可控硅) · 模块 75A Standard SCRs\nIT(RMS):75A VGT: 1.3V三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-247J
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TYN8012
KY(韩景元)
晶闸管(可控硅) · 模块 80A Standard SCRs\nIT(RMS):80A VGT: 1.5V三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-247S
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TYN7516
KY(韩景元)
晶闸管(可控硅) · 模块 75A Standard SCRs\nIT(RMS):75A VGT: 1.3V三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-247J
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BTA100-1600B
KY(韩景元)
晶闸管(可控硅) · 模块 100A TRIACs 3 Quadrants\nIT(RMS):100A VG三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
ITO-247
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BT151-600R
KY(韩景元)
特性：均方根通态电流（IT(RMS)）：12A · 门极触发电压（VGT）：1V三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-252
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BTA12-800BW
KY(韩景元)
12A Insulated 3 Quadrants TRIACs\nIT(RMS): 12A VGT: ≤1三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-220A
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KY2302S
KY(韩景元)
特性：RDS(ON) ≤ 80mΩ (53mΩ 典型值) @VGS = 4.5V · RDS(ON) ≤ 1三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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TYN1212
KY(韩景元)
晶闸管(可控硅) · 模块 30A Standard SCRs\nIT(RMS):12A VGT: 1.5V三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
TO-220C
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TYN8016
KY(韩景元)
晶闸管(可控硅) · 模块 80A Standard SCRs\nIT(RMS):80A VGT: 1.5V三极管/MOS管/晶体管 > 晶闸管(可控硅)/模块
ITO-247
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