制造商现货
KUU 制造商型号现货与清单询价
按制造商聚合公开现货、可询库存和资料库匹配型号，帮助采购用户区分品牌字段与官方制造商资料。当前匹配 612 个公开可查询型号。
612匹配型号
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8常见封装
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
IRLML2502TRPBF
KUU
特性：沟槽场效应晶体管功率MOSFET · 应用：便携式设备负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
39,000
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IRFML8244TRPBF
KUU
特性：TrenchFET功率MOSFET · 应用：便携式设备负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
24,900
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KLXES15AAA1
KUU
KLXES15AAA1聚合物ESD抑制器可保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）影响 · 且不会使数据信号失TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
0402
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KPESD0402V05U
KUU
KPE SD0402V05U是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS） · 旨在为数据、控制或电源线提供静电放电（三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2
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KESD3Z5.0
KUU
KESD3Z5.0专为需要瞬态过电压保护功能的应用而设计 · 它们适用于对电压和静电放电敏感的设备TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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KESD5Z3.3
KUU
KESD5Z系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响 · 出色的钳位能力、低泄漏和三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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KESD5Z5.0
KUU
KESD5Z系列旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响 · 出色的钳位能力、低泄漏和三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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KESDU5V0H4
KUU
反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压(最小值)：6V 峰值脉冲电流(Ipp)@tp=8 · 20μs：5三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-23-6L
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KPESD5V0L1BA
KUU
KPESD5V0L1BA旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响 · 出色的钳位能力、三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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KPESD5V0S2BT
KUU
反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压(最小值)：6V 峰值脉冲电流(Ipp)@tp=8 · 20μs：1三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-23
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KSI2300DS-T1-GE3
KUU
特性：TrenchFET Power MOSFET · 应用：便携式设备负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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KSI2302CDS-T1-GE3
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类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.9A 功率(Pd)：1W 导通电阻(R三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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KSM12
KUU
反向截止电压(Vrwm)：12V 击穿电压(最小值)：13.3V 峰值脉冲电流(Ipp)@tp=8 · 20三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-23
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KUDD32C12L01
KUU
反向截止电压(Vrwm)：12V 击穿电压(最小值)：13.3V 峰值脉冲电流(Ipp)@tp=8 · 20三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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KZ1045-SP
KUU
反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压(最小值)：6V 峰值脉冲电流(Ipp)@tp=8 · 20μs：4三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-2510
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KZ176S-04F
KUU
反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压(最小值)：6V 峰值脉冲电流(Ipp)@tp=8 · 20μs：4三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-2510
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KESD0801PB
KUU
K E S D 08 0 1 P B是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS） · 专为数据、控制或电源线提供静电TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2
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ESD5341N
KUU
特性：超低电容：0.05pF（典型值） · 低泄漏电流（<10nA）TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2
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KESD9B5VL
KUU
K E S D 9 B 5 V L是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS） · 旨在为数据、控制或电源线提供静电TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2
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KPESD5V0L1BL
KUU
KPESD5V0L1BL聚合物静电放电（ESD）抑制器可保护敏感电子设备免受静电放电影响 · 且不会扭曲数据TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2
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KSI2305CDS-T1-GE3
KUU
特性：TrenchFET Power MOSFET · 应用：便携式设备负载开关三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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KESD5311X
KUU
KESD5311X 是一款聚合物静电放电（ESD）抑制器 · 可在不扭曲数据信号的情况下保护敏感电子设备免受TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
0402
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KPESDC2FD3V3B
KUU
KPESDC2FD3V3B聚合物静电放电（ESD）抑制器可保护敏感电子设备免受静电放电影响 · 且不会使数据TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
0402
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