制造商现货

JIAENSEMI(佳恩半导体) 制造商型号现货与清单询价

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JFFM7N90C

JIAENSEMI(佳恩半导体)

此功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术生产 · 该先进技术经过特别设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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JFFM3N150C

JIAENSEMI(佳恩半导体)

该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术制造 · 此先进技术经过特别设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220F
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JFAM20N60C

JIAENSEMI(佳恩半导体)

该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术生产 · 该先进技术经过特别设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-3P
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JNG30N120HS3

JIAENSEMI(佳恩半导体)

NPT IGBTs 为诸如 IH（感应加热）、UPS、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
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JNG15T65FS1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

Trench IGBTs 为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-220F
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JNG30T65HS1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

JIAEN Trench IGBTs 为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
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JNG40T65HJU1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

Trench IGBTs 为 UPS、感应转换器、不间断电源和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
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JNG25T120HS

JIAENSEMI(佳恩半导体)

沟槽式IGBT为感应加热、UPS、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
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JFQM3N150C

JIAENSEMI(佳恩半导体)

此功率MOSFET采用先进的自对准平面技术生产 · 该先进技术经过特别设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-3PH
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JNG15T120HJS1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

Trench IGBTs为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
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JNG15T65KS1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

JIAEN沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263
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JNG25T120HJS1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
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JNG20T65FS1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

JIAEN沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-220F
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JNG25T65FS1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

JIAEN沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-220F
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JNG25T65PS1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

JIAEN沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-220
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JNG15T65FJS1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

特性：650V · 15A
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-220F
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JNG15T65PS1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

JIAEN沟槽IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-220
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JNG20T65PS1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

JIAEN沟槽式IGBT可为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-220
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JNG30T65FJS1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

特性：650V · 30A
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
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GL150HF120T1SZ1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

Trench FS IGBTs 为通用逆变器和其他软开关应用提供更低的损耗和更高的能源效率 · 如电机驱动、
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
-
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JNG20T65FJS1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

特性：650V · 20A
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-220F
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JNG10T65DJS1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

特性：650V · 10A（Tc = 100℃）
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-252-2L
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JCD30S120T6

JIAENSEMI(佳恩半导体)

特性：正温度系数 · 可用于并联
二极管 > 碳化硅二极管
TO-247-2
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JFAM20N50E

JIAENSEMI(佳恩半导体)

该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术生产 · 这种先进技术经过特别设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-3P
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JFAM25N50E

JIAENSEMI(佳恩半导体)

该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术生产 · 这种先进技术经过特别设计
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-3P
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JNCF120R016ZJ2

JIAENSEMI(佳恩半导体)

特性：高阻断电压 · 低导通电阻
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-4
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JNCF120R040HR1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

特性：高阻断电压 · 低导通电阻
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
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JNCF120R075HR1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

特性：高阻断电压 · 低导通电阻
碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)
TO-247-3L
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JNG15N120AI

JIAENSEMI(佳恩半导体)

NPT IGBTs 为 IH（感应加热）、UPS、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-3P
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JNG15T120HIRU2

JIAENSEMI(佳恩半导体)

JIAEN沟槽IGBT为不间断电源、电机驱动、功率因数校正、便携式电站和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
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JNG25T120HIRU2

JIAENSEMI(佳恩半导体)

沟槽式 IGBT 为诸如 UPS、感应转换器、不间断电源和其他软开关应用等提供了更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
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JNG25T65AI

JIAENSEMI(佳恩半导体)

Trench IGBTs 为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-3P
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JNG25T65KS1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263
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JNG40T120HIRU2

JIAENSEMI(佳恩半导体)

Trench IGBTs 为 UPS、电机驱动器、PFC、移动电源站和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
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JNG40T120HJS1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
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JNG40T120HP

JIAENSEMI(佳恩半导体)

沟槽式IGBT为感应加热、UPS、交直流电机控制和通用逆变器等应用提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
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JNG40T65AI

JIAENSEMI(佳恩半导体)

沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-3P
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JNG40T65HMU1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

JIAEN沟槽IGBT降低了传导损耗 · 提高了开关性能
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
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JNG40T65HS1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

Trench IGBTs 为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
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JNG50T120HIMU2

JIAENSEMI(佳恩半导体)

沟槽 IGBT 为 UPS、电机驱动器、PFC、便携式电站等软开关应用提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
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JNG60T65HJU1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

沟槽式IGBT为UPS、感应转换器、不间断电源和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
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JNG60T65HS1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

JIAEN沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
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JNG50T120QMU2

JIAENSEMI(佳恩半导体)

JIAEN沟槽IGBT为UPS、电机驱动、PFC、移动电源站和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247-3LPlus
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JNG40T120HS

JIAENSEMI(佳恩半导体)

JIAEN沟槽式IGBT为诸如感应加热（IH）、不间断电源（UPS）、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
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JNG75T65HMU2

JIAENSEMI(佳恩半导体)

Trench IGBTs 降低了传导损耗 · 提高了开关性能
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
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JNG50T120LIS2

JIAENSEMI(佳恩半导体)

JIAEN沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-264
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JNG75T120LCS1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

JIAEN沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-264
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JNG75T120LZS1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

Trench IGBTs 可为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-264
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JNG75T120QCS2

JIAENSEMI(佳恩半导体)

JIAEN沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247-3LPlus
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JNG25N120HS

JIAENSEMI(佳恩半导体)

NPT IGBT 为感应加热 (IH)、UPS、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
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JNG50N120LS

JIAENSEMI(佳恩半导体)

NPT IGBTs 为诸如感应加热 (IH)、不间断电源 (UPS)、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-264
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JNG50T65HMU1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

JIAEN沟槽式IGBT降低了传导损耗 · 提高了开关性能
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
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JFAM50N50C

JIAENSEMI(佳恩半导体)

特性：快速开关 · ESD 改进能力
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-3P
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JNG15N120HS2

JIAENSEMI(佳恩半导体)

NPT IGBTs 为 IH（感应加热）、UPS、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
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JNG15T120HS

JIAENSEMI(佳恩半导体)

JIAEN沟槽式IGBT为诸如IH（感应加热）、UPS、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
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JNG20T65KS

JIAENSEMI(佳恩半导体)

JIAEN沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-263
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JNG50T65HJU1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

JIAEN沟槽式IGBT为不间断电源、感应转换器、不间断电源和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
询盘确认
询盘报价
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JNG15T65HS1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

JIAEN沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
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JNG20T65HS1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

JIAEN沟槽式IGBT为电机控制、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的损耗和更高的能源效率
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-247
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GL150HF120F1UR1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

特性：1200V 150A · VCE(sat)(typ.) = 2.5V
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
-
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GL75HF120F1UR1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

特性：1200V 75A · VCE(sat)(typ.) = 2.5V
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
-
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GN200HF120T3SS1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

Trench FS IGBTs 为通用逆变器和其他软开关应用提供更低的损耗和更高的能源效率 · 如电机驱动、
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
-
询盘确认
询盘报价
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GN300HF120T1SZ1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

Trench FS IGBTs 为通用逆变器和其他软开关应用提供更低的损耗和更高的能源效率 · 如电机驱动、
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
-
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GN450HF120T3SS1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

Trench FS IGBTs 为通用逆变器和其他软开关应用提供更低的损耗和更高的能源效率 · 如电机驱动、
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
-
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JNG15T60IPD1S3

JIAENSEMI(佳恩半导体)

特性：IGBT驱动：增强型输入滤波 · 高速600V电平转换
三极管/MOS管/晶体管 > 智能功率模块(IPM)
IPM-25
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JNG15T60IPQ1S1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

特性：集成6个低损耗IGBT（600V · 15A）
三极管/MOS管/晶体管 > 智能功率模块(IPM)
DIP-24H
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JNG20T60IPQ1S1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

特性：低损耗、短路额定IGBT · 集成高压栅极驱动电路（HVIC）
三极管/MOS管/晶体管 > 智能功率模块(IPM)
DIP-24H
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GL100HF120F1UR1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

特性：1200V 100A · VCE(sat)(typ.)=2.5V
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
-
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GL50HF120T1UA1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

特性：1200V 50A · VCE(sat)(typ.) = 2.1V
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
-
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JNG30T60IPQ1S1

JIAENSEMI(佳恩半导体)

特性：集成6个低损耗IGBT（600V · 30A）
三极管/MOS管/晶体管 > 智能功率模块(IPM)
DIP-24H
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JNG25N120AI

JIAENSEMI(佳恩半导体)

NPT IGBTs 为诸如感应加热 (IH)、不间断电源 (UPS)、通用逆变器和其他软开关应用等提供更低的
三极管/MOS管/晶体管 > IGBT管/模块
TO-3P
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