三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
DFN-1006-2
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MM1Z3B6
Huixin(慧芯)
稳压二极管 稳压值(标称值):3.6V 稳压值(范围):3.528V~3.672V 精度:±2% \n功率:
二极管 > 稳压二极管
SOD-123
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MM1ZB47
Huixin(慧芯)
稳压值(标称值):47V 稳压值(范围):46.06V~47.94V 精度:±2% 功率:500mW 反向电
二极管 > 稳压二极管
SOD-123
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SS14(SMAF)
Huixin(慧芯)
特性:塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级 · 适用于表面贴装应用
二极管 > 肖特基二极管
SMAF
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SS5100
Huixin(慧芯)
特性:塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级 · 适用于表面贴装应用
二极管 > 肖特基二极管
SMB
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HABS210
Huixin(慧芯)
正向压降:1.1V@2A · 直流反向耐压:1kV
二极管 > 整流桥
ABS
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HRB210
Huixin(慧芯)
正向压降:1.3V@4A · 直流反向耐压:1kV
二极管 > 整流桥
ABS
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二极管 > 快恢复/高效率二极管
SMBF
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二极管 > 通用二极管
SMB
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二极管 > 通用二极管
SMBF
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二极管 > 肖特基二极管
SMA
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US4M
Huixin(慧芯)
正向压降:1.7V@4A · 直流反向耐压:1kV
二极管 > 快恢复/高效率二极管
SMBF
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN-8L
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ES2D(SMA)
Huixin(慧芯)
正向压降:0.95V@2A · 直流反向耐压:200V
二极管 > 快恢复/高效率二极管
SMA
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SP1040L
Huixin(慧芯)
特性:塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级 · 适用于表面贴装应用
二极管 > 肖特基二极管
TO-277B
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二极管 > 肖特基二极管
TO-277B
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H7534N
Huixin(慧芯)
N沟道 · 漏源电压:30V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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RS4M
Huixin(慧芯)
正向压降:1.3V@4A · 直流反向耐压:1kV
二极管 > 快恢复/高效率二极管
SMBF
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二极管 > 肖特基二极管
SMA
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二极管 > 快恢复/高效率二极管
SMA
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H7344AD10
Huixin(慧芯)
工作电压:-0.3V~+6V · 功能:串行至串行或并行
通信接口芯片 > CAN收发器
SOIC-8
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三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
SOT-523
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HESD5Z6V0
Huixin(慧芯)
VRWM=6V VBR=6.8Vmin 反向电流(Ir):0.05μAmaxVc: IPP=5A=13.5V
TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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二极管 > 快恢复/高效率二极管
SMA
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MM3Z6B8
Huixin(慧芯)
稳压值(标称值):6.8V 稳压值(范围):6.664V~6.936V 精度:±2% 功率:300mW 反向
二极管 > 稳压二极管
SOD-323
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BC2301
Huixin(慧芯)
P沟道 · 漏源电压:20V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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BC2302
Huixin(慧芯)
N沟道 · 漏源电压:20V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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BC847DW
Huixin(慧芯)
晶体管类型:NPN+NPN · 集电极电流:100mA
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-363
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三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-223
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二极管 > 稳压二极管
SOD-123
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三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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HESD5Z5V0
Huixin(慧芯)
旨在保护对电压敏感的组件免受 ESD 和瞬态电压事件的影响 · 具有出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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HSD12
Huixin(慧芯)
VRWM=12V VB=13.3Vmin 反向电流(Ir):1μAmaxVc@1A=29Vmax
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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HSD12C
Huixin(慧芯)
设计用于需要瞬态过电压保护能力的应用 · 适用于对电压和静电放电 (ESD) 敏感的设备
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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HSD15C
Huixin(慧芯)
双向 · 反向截止电压:15V
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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HSD18C
Huixin(慧芯)
双向 · 反向截止电压:18V
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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HSD24
Huixin(慧芯)
单向 · 反向截止电压:24V
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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HSD24C
Huixin(慧芯)
VRWM=24V VB=26.7Vmin 反向电流(Ir):1μAmax Vc@1A=43Vmax
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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HSM24
Huixin(慧芯)
VRWM=24V VB=26.7Vmin 反向电流(Ir):1μAmax Vc@1A=43Vmax
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOT-23
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-6
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MM1ZB11
Huixin(慧芯)
稳压二极管 稳压值(标称值):11V 稳压值(范围):10.78V~11.22V 精度:±2% \n功率:5
二极管 > 稳压二极管
SOD-123
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MM1ZB15
Huixin(慧芯)
特性:功率耗散:500 mW · 齐纳电压公差:±2%
二极管 > 稳压二极管
SOD-123
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MM1ZB68
Huixin(慧芯)
规格值:68V · 稳压值:66.64V~69.36V
二极管 > 稳压二极管
SOD-123
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MM3Z6B2
Huixin(慧芯)
特性:功率耗散:300 mW · 齐纳电压容差:± 2%
二极管 > 稳压二极管
SOD-323
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MM3ZB11
Huixin(慧芯)
规格值:11V · 稳压值:10.78V~11.22V
二极管 > 稳压二极管
SOD-323
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MM3ZB15
Huixin(慧芯)
规格值:15V · 稳压值:14.7V~15.3V
二极管 > 稳压二极管
SOD-323
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二极管 > 稳压二极管
SOD-323
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MM3ZB33
Huixin(慧芯)
稳压值(标称值):33V 稳压值(范围):32.34V~33.66V 精度:±2% 功率:300mW 反向电
二极管 > 稳压二极管
SOD-323
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MM3ZB43
Huixin(慧芯)
规格值:43V · 稳压值:42.14V~43.86V
二极管 > 稳压二极管
SOD-323
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MMBT4140
Huixin(慧芯)
晶体管类型:NPN · 集电极电流:1A
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-23
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三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-26
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三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-23
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三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-523
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MMSZ4702S
Huixin(慧芯)
规格值:15V · 稳压值:14.25V~15.75V
二极管 > 稳压二极管
SOD-323
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MUN2232
Huixin(慧芯)
晶体管类型:NPN · 集电极电流:100mA
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
SOT-23
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MUN2233
Huixin(慧芯)
晶体管类型:NPN · 集电极电流:100mA
三极管/MOS管/晶体管 > 数字晶体管
SOT-23
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MURC560
Huixin(慧芯)
正向压降:1.8V@5A · 直流反向耐压:600V
二极管 > 快恢复/高效率二极管
SMC
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二极管 > 快恢复/高效率二极管
SOD-123FL
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RS3M(SMB)
Huixin(慧芯)
正向压降:1.3V@3A · 直流反向耐压:1kV
二极管 > 快恢复/高效率二极管
SMB
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SS26(SMAF)
Huixin(慧芯)
特性:塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级 · 适用于表面贴装应用
二极管 > 肖特基二极管
SMAF
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二极管 > 通用二极管
SMB
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二极管 > 稳压二极管
SOD-123
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三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-523
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二极管 > 快恢复/高效率二极管
SMC
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二极管 > 快恢复/高效率二极管
SMAF
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二极管 > 开关二极管
SOD-323
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2A7
Huixin(慧芯)
正向浪涌电流(Ifsm):40A
二极管 > 通用二极管
SOD-123FL
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MM3ZB20
Huixin(慧芯)
稳压值(标称值):20V 稳压值(范围):19.6V~20.4V 精度:±2% 功率:300mW 反向电流(
二极管 > 稳压二极管
SOD-323
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二极管 > 通用二极管
SMAF
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HSD05
Huixin(慧芯)
单向 · 反向截止电压:5V
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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HSD15
Huixin(慧芯)
单向 · 反向截止电压:15V
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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BC3400
Huixin(慧芯)
N沟道 · 漏源电压:30V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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BC3407
Huixin(慧芯)
使用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(on)和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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MM3ZB24
Huixin(慧芯)
特性:功率耗散:300 mW · 齐纳电压容差:± 2%
二极管 > 稳压二极管
SOD-323
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HESD1524-A
Huixin(慧芯)
双向 · 反向截止电压:(PIN 1 to PIN 2:15V)
TVS/保险丝/板级保护 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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HSD18
Huixin(慧芯)
VRWM=18V VB=20Vmin 反向电流(Ir):1μAmax Vc@1A=29Vmax
三极管/MOS管/晶体管 > 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
SOD-323
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MM3ZB12
Huixin(慧芯)
规格值:12V · 稳压值:11.76V~12.24V
二极管 > 稳压二极管
SOD-323
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