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HUASHUO(华朔) 制造商型号现货与清单询价

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HUASHUO(华朔)80
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FDN335N

HUASHUO(华朔)

FDN335N是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET · 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
12,000
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HSBB6115

HUASHUO(华朔)

HSBB6115 是高单元密度的沟槽式 P 沟道 MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
10,000
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HSS2N7002K

HUASHUO(华朔)

产品材料符合Rohs要求且无卤 · ESD保护
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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HSS3400A

HUASHUO(华朔)

HSS3400A 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET · 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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HSS2P10

HUASHUO(华朔)

HSS2P10是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET · 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23L
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HSS6014

HUASHUO(华朔)

HSS6014 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23L
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HSBB4115

HUASHUO(华朔)

HSBB4115是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(R
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PRPAK3x3-8L
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HSS3402A

HUASHUO(华朔)

HSS3402A 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET · 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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HSS2N15

HUASHUO(华朔)

HSS2N15是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET · 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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HSU6008

HUASHUO(华朔)

HSU6008是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET · 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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HSK5P10

HUASHUO(华朔)

HSK5P10是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET · 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-89
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HSL6107

HUASHUO(华朔)

是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET · 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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HSBA4052

HUASHUO(华朔)

HSBA4052是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(R
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PRPAK5x6-8L
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HSU4103

HUASHUO(华朔)

HSU4103是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RD
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2
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HSBB6113

HUASHUO(华朔)

HSBB6113是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET · 能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(R
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PRPAK3x3-8L
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HSUL8712

HUASHUO(华朔)

二合一 · 内置mos锂电池保护芯片
电源管理 > 电池管理
UDFN-4-EP
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HSBA8066

HUASHUO(华朔)

特性:100% EAS 保证 · 有绿色环保器件可供选择
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PRPAK5x6-8L
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HSL3002

HUASHUO(华朔)

HSL3002是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RD
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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HSBA20N15S

HUASHUO(华朔)

HSBA20N15S是高性能沟槽N沟道MOSFET · 具有极高的单元密度
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PRPAK5x6-8L
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HSL3P20

HUASHUO(华朔)

P沟道 · 200V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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HSBB6066

HUASHUO(华朔)

先进的沟槽MOS技术 · 低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PRPAK3x3-8L
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HSS2P15

HUASHUO(华朔)

特性:100% EAS保证 · 提供绿色环保器件
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23L
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HSU0139

HUASHUO(华朔)

HSU0139采用先进的沟槽式MOSFET技术 · 具有出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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HSSC3139

HUASHUO(华朔)

HSSC3139 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-723
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HSS1N20

HUASHUO(华朔)

HSS1N20是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET · 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23L
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HSU4119

HUASHUO(华朔)

HSU4119是高单元密度沟槽P沟道MOSFET · 为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDSON和栅极电
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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HSU60P03

HUASHUO(华朔)

HSU60P03是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(R
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2
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HSU6014

HUASHUO(华朔)

HSU6014是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RD
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252-2
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HSM4805

HUASHUO(华朔)

HSM4805 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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HSM4435A

HUASHUO(华朔)

是高单元密度沟槽P沟道MOSFET · 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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HSW6604

HUASHUO(华朔)

HSW6604 是具有高单元密度的高性能互补 N 沟道和 P 沟道 MOSFET · 可为大多数小功率开关和
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-6L
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HSL0107

HUASHUO(华朔)

HSL0107 是高单元密度沟槽型 P 沟道 MOSFET · 能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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HSM4407

HUASHUO(华朔)

HSM4407 是高单元密度沟槽型 P 沟道 MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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HSU60P02

HUASHUO(华朔)

HSU60P02是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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HSM4953

HUASHUO(华朔)

是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET · 为大多数同步降压转换器应用提供出色的 RDSON 和栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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HSCB2016

HUASHUO(华朔)

HSCB2016是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET · 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-6L
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HSBA3331

HUASHUO(华朔)

高单元密度沟槽P沟道MOSFET · 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PRPAK5x6-8L
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HSS2300A

HUASHUO(华朔)

HSS2300A 是一款高单元密度沟槽 N 沟道 MOSFET · 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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HSM24P03

HUASHUO(华朔)

HSM24P03是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(R
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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HSM4606BA

HUASHUO(华朔)

HSM4606BA采用先进的沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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HSBA100P03

HUASHUO(华朔)

HSBA100P03是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PRPAK5x6-8L
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HSBB3052

HUASHUO(华朔)

HSBB3052是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(R
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PRPAK3x3-8L
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HSM4606B

HUASHUO(华朔)

HSM4606B是高性能互补型N沟道和P沟道MOSFET · 具有高单元密度
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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HSCB0012

HUASHUO(华朔)

特性:先进的沟槽MOS技术 · 100%保证EAS
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-6L
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HSL10N06

HUASHUO(华朔)

HSL10N06是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET · 能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(R
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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HSCB2903

HUASHUO(华朔)

HSCB2903 是高性能互补型 N 沟道和 P 沟道 MOSFET · 具有高单元密度
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-6L-EP
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HSH120N85

HUASHUO(华朔)

高单元密度沟槽式 N 沟道 MOSFET · 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263-2L
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HSBA6048

HUASHUO(华朔)

HSBA6048 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PRPAK5x6-8L
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HSM10N15A

HUASHUO(华朔)

HSM10N15A是具有极高单元密度的高性能沟槽式N沟道MOSFET · 能为大多数同步降压转换器应用提供出
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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HSM2202

HUASHUO(华朔)

HSM2202是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(R
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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HSBA0903

HUASHUO(华朔)

特性:超低栅极电荷 · 100% EAS保证
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PRPAK5x6-8L
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HSM4P10D

HUASHUO(华朔)

HSM4P10D采用先进的沟槽MOSFET技术 · 可提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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HSCB6014

HUASHUO(华朔)

HSCB6014 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-6L
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HSBA8048

HUASHUO(华朔)

HSBA8048是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET · 可为大多数同步整流应用提供出色的导通电阻(RDSO
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PRPAK5x6-8L
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HSO8205

HUASHUO(华朔)

HSO8205 是低导通电阻(RDSON)的沟槽型 N 沟道 MOSFET · 该产品适用于锂离子电池组应用
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TSSOP-8
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HSS0008

HUASHUO(华朔)

HSS0008是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET · 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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HSS0127

HUASHUO(华朔)

HSS0127是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET · 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23L
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HSBA0048A

HUASHUO(华朔)

特性:先进的沟槽MOS技术 · 100% EAS保证
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PRPAK5x6-8L
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HSCE2631

HUASHUO(华朔)

HSCE2631 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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HSBA4903

HUASHUO(华朔)

HSBA4903是高性能互补型N沟道和P沟道MOSFET · 具有高单元密度
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PRPAK5x6-8L
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HSBB0096

HUASHUO(华朔)

HSBB0096采用SGT技术 · 可提供出色的导通电阻(Rds(on))、低栅极电荷和快速开关特性
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PRPAK3x3-8L
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HSL6115

HUASHUO(华朔)

是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET · 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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HSS2P20

HUASHUO(华朔)

P沟道 · 200V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23L
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HSM6115

HUASHUO(华朔)

HSM6115 是高单元密度沟槽型 P 沟道 MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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HSS1P25

HUASHUO(华朔)

P沟道 · 250V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23L
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HSBB0056

HUASHUO(华朔)

低结电容 封装小
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PRPAK3x3-8
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HSCC2734

HUASHUO(华朔)

HSCC2734 是具有强大静电放电(ESD)保护功能的低导通电阻(RDSON)沟槽型 N 沟道 MOSFE
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-6-EP
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HSCB2004A

HUASHUO(华朔)

高性能互补N沟道和P沟道MOSFET · 具有高单元密度
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-6L
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HSCE4117

HUASHUO(华朔)

是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET · 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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HSS2307

HUASHUO(华朔)

HSS2307是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET · 能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RD
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23L
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HSSK2N7002

HUASHUO(华朔)

产品材料符合RoHS要求且无卤素 · 具备ESD保护
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-363
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HSSN2N7002K

HUASHUO(华朔)

产品材料符合RoHS要求且无卤素 · 具备ESD保护
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-323
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HSCE3031

HUASHUO(华朔)

是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET · 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8
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HSBB3006

HUASHUO(华朔)

是高单元密度沟槽式 N 沟道 MOSFET · 为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻 (RDSON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PRPAK-8
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HSBA3006

HUASHUO(华朔)

HSBA3006 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET · 能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PRPAK5x6-8L
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HSBA4050A

HUASHUO(华朔)

100% UIS 测试 · 先进的沟槽技术
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PRPAK5x6-8L
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HSBA4206

HUASHUO(华朔)

双N · 40V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PRPAK5x6-8L
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HSBB3016

HUASHUO(华朔)

HSBB3016是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET · 可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PRPAK3x3-8L
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HSL0004

HUASHUO(华朔)

HSL0004 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET · 可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-223
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HSCC8211

HUASHUO(华朔)

HSCC8211是具有强大静电放电(ESD)保护功能的低导通电阻(RDSON)沟槽型N沟道MOSFET ·
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-6-EP
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