制造商现货
GOSEMICON(顾邦半导体) 制造商型号现货与清单询价
按制造商聚合公开现货、可询库存和资料库匹配型号，帮助采购用户区分品牌字段与官方制造商资料。当前匹配 36 个公开可查询型号。
36匹配型号
1库存品牌线索
8常见封装
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
GBI7256NMCR
GOSEMICON(顾邦半导体)
GBI7256是一款双通道高速低端栅极驱动器 · 可为MOSFET、IGBT和GaN功率器件提供5A的峰值源电机驱动芯片 > 栅极驱动芯片
WSON-8-EP
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GBI7254SMBR
GOSEMICON(顾邦半导体)
是双通道高速低端栅极驱动器 · 为MOSFET、IGBT和GaN功率器件提供5A峰值源电流和灌电流以及轨到轨电机驱动芯片 > 栅极驱动芯片
SOIC-8L
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GBI1400TKBR
GOSEMICON(顾邦半导体)
GBI1400是一款40V、600mA的同步降压转换器 · 具有宽输入电压范围（5V至40V）电源管理 > DC-DC电源芯片
SOT-23-6
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GBI1450SMAR
GOSEMICON(顾邦半导体)
GBI1450是一款40V、5A的非同步降压DC-DC转换器 · 具有集成80mΩ高侧MOSFET电源管理 > DC-DC电源芯片
SOP-8
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GBI1633SMAR
GOSEMICON(顾邦半导体)
GBI1633是一款60V、3A的非同步降压DC-DC转换器 · 具备高效睡眠模式电源管理 > DC-DC电源芯片
SOP-8
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GBI1410TKBR
GOSEMICON(顾邦半导体)
GBI1410是一款40V、1A的降压转换器 · 集成了一个400mΩ的高端MOSFET和一个200mΩ的低电源管理 > DC-DC电源芯片
TSOT-23-6L
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GBI5120NMCR
GOSEMICON(顾邦半导体)
6.5V 2A Ultralow Noise High PSRR Fast Transient Respon电源管理 > 线性稳压器(LDO)
DFN-8L
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GBI5132QYAR
GOSEMICON(顾邦半导体)
1.1V-6.5V 3A High Accuracy Low Noise LDO Regulator电源管理 > 线性稳压器(LDO)
QFN-20-EP
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GBP65200GPMAR
GOSEMICON(顾邦半导体)
Enhancement-mode 650V 140mΩ(Typ) GaN Power Transistor电源管理 > AC-DC控制器和稳压器
PDFN-8-EP
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GBS032R4PMAR
GOSEMICON(顾邦半导体)
N-channel 30V 1.3mΩ (Typ) Power MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8L
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GBI5130QYAR
GOSEMICON(顾邦半导体)
GBI5130 4A High Accuracy Low Noise LDO Regulator电源管理 > 线性稳压器(LDO)
QFN-20
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GBI7254MMAR
GOSEMICON(顾邦半导体)
是双通道高速低端栅极驱动器 · 为MOSFET、IGBT和GaN功率器件提供5A峰值源电流和灌电流以及轨到轨电机驱动芯片 > 栅极驱动芯片
EMSOP-8
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GBI1632SMAR
GOSEMICON(顾邦半导体)
GBI1632 是一款 60V、3A 的降压转换器 · 集成了一个 150 mΩ 的高端 MOSFET电源管理 > DC-DC电源芯片
ESOP-8
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GBI1600TKBR
GOSEMICON(顾邦半导体)
GBI1600是一款4-60V输入电压范围的非同步降压DC-DC转换器 · 最大输出电流为800mA电源管理 > DC-DC电源芯片
TSOT-6L
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GBI7A54NOCR
GOSEMICON(顾邦半导体)
GBI7A54可为半桥或同步降压配置中的MOSFET提供4A的峰值源电流和灌电流 · 以及轨到轨驱动能力电机驱动芯片 > 栅极驱动芯片
DFN-10L
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GBI1620MOAR
GOSEMICON(顾邦半导体)
GBI1620是一款60V、2.5A的非同步降压DC-DC转换器 · 具有宽输入电压范围（4.5V至60V）电源管理 > DC-DC电源芯片
SOP-10
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GBI7254NMCR
GOSEMICON(顾邦半导体)
双通道、低边高速MOSFET、GaN HEMT、IGBT驱动器 · 供电电压4.5~20V、拉电机驱动芯片 > 栅极驱动芯片
DFN-8
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GBI1650SMAR
GOSEMICON(顾邦半导体)
GBI1650是一款60V、5A非同步降压DC-DC转换器 · 具有高效率睡眠模式电源管理 > DC-DC电源芯片
ESOP-8
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GBS032R4PMBR
GOSEMICON(顾邦半导体)
N-channel 30V 1.55mΩ (Typ) Power MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN3.3x3.3-8
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GBS65041TOB
GOSEMICON(顾邦半导体)
650V高压超结MOSFET实现了超低导通电阻和栅极电荷 · 由于开关性能和传导性能之间的出色平衡三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247
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GBI7250TJBR
GOSEMICON(顾邦半导体)
单通道高速低端栅极驱动器 · 可为MOSFET、IGBT和GaN功率器件提供5A的峰值源电流和灌电流以及轨到电机驱动芯片 > 栅极驱动芯片
TSOT23-5
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GBS030R8TPMAR
GOSEMICON(顾邦半导体)
N-channel 30V 0.85mΩ (Typ) Power MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
PDFN5x6-8L
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GBS60037TOB
GOSEMICON(顾邦半导体)
600V高压超结MOSFET实现了超低导通电阻和栅极电荷 · 由于开关性能和传导性能之间的出色平衡三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247
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GBI7251TBKR
GOSEMICON(顾邦半导体)
GBI7251是单通道高速低端栅极驱动器 · 可为氮化镓（GaN）功率器件提供2A的峰值源电流和2A的灌电流电机驱动芯片 > 栅极驱动芯片
TSOT-23-6L
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GBS65060TOA
GOSEMICON(顾邦半导体)
650V高压超结MOSFET实现了超低导通电阻和栅极电荷 · 由于开关性能和传导性能之间的出色平衡三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-220
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GBS65060TOB
GOSEMICON(顾邦半导体)
650V高压超结MOSFET实现超低导通电阻和栅极电荷 · 由于开关性能和传导性能之间的出色平衡三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247
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GBS65041CTOB
GOSEMICON(顾邦半导体)
这款650V高压超结MOSFET实现了超低导通电阻和栅极电荷 · 凭借开关性能和传导性能之间的出色平衡三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-247
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GBS030R8TLAR
GOSEMICON(顾邦半导体)
N-channel 30V 1.05mΩ(Typ) Power MOSFET三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TOLL-8
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