制造商现货

GOFORD(谷峰) 制造商型号现货与清单询价

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G16P03S

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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5P40

GOFORD(谷峰)

P沟道 · -40V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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TL431L-1%

GOFORD(谷峰)

是三端可调稳压器系列 · 在适用温度范围内具有热稳定性
电源管理 > 电压基准芯片
TO-92-3
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G65P06D5

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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GT060N04D5

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8L
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06N06L

GOFORD(谷峰)

使用先进沟槽技术 · 提供出色的导通电阻和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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G4616-B

GOFORD(谷峰)

类型：N+P沟道@@漏源电压(Vdss)：40V · -40V@@连续漏极电流(Id)：8A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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G300N04L

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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G01N20LE

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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GT090N06D52

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8
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G6N02L-B

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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GT6K2P10IH

GOFORD(谷峰)

采用先进沟槽技术 · 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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G3404

GOFORD(谷峰)

30V 6A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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G3404B-BQ

GOFORD(谷峰)

类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：30V@@连续漏极电流(Id)：5.6A@@阈值电压(Vgs(th))
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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G15

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻、低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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G1002-B

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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G1NP02ELL

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术MOSFET · 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-6
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6616A

GOFORD(谷峰)

双P沟道 · -12V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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G500P03IE

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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G1208

GOFORD(谷峰)

特性：先进的沟槽MOSFET工艺技术 · 超低导通电阻和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-2020-6
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G3415LL

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-6
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G2003A

GOFORD(谷峰)

N沟道 · 190V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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G48N03D3

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-3X3-8L
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G3400L-B

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻、低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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G16N03A

GOFORD(谷峰)

G16N03A采用先进的沟槽技术和设计 · 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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G66

GOFORD(谷峰)

G66采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-6L
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G25N02K

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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G6N02L

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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60N06

GOFORD(谷峰)

N沟道 · 60V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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2301-B

GOFORD(谷峰)

2301-B采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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G09P02L

GOFORD(谷峰)

使用先进沟槽技术 · 提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3
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G20N03K

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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G3401

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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G7P03L

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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G20N06D52

GOFORD(谷峰)

G20N06D52采用先进的沟槽技术和设计 · 在实现低栅极电荷的同时
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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G3035

GOFORD(谷峰)

G3035采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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G12P10KE

GOFORD(谷峰)

特性：-100V漏源电压 · -12A连续漏极电流（VGS = -10V时）
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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G830K

GOFORD(谷峰)

特性：快速开关 · 100%雪崩测试
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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G170P03D3

GOFORD(谷峰)

采用先进的沟槽技术 · 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3-8L
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G75P04K-BQ

GOFORD(谷峰)

类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-40V@@连续漏极电流(Id)：-80A@@阈值电压(Vgs(th)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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GT1003A

GOFORD(谷峰)

GT1003A采用先进的沟槽技术和设计 · 可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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GT095N10D5

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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TL431L-0.5%

GOFORD(谷峰)

是三端可调稳压器系列 · 在适用温度范围内具有热稳定性
电源管理 > 电压基准芯片
TO-92-3
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G3035L

GOFORD(谷峰)

G3035L采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的RDS(ON)
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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G2014

GOFORD(谷峰)

采用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-2x2-6L
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G1002L

GOFORD(谷峰)

N沟道 · 100V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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G350P02LLE

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-6
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G1006LE

GOFORD(谷峰)

采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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G050N06LL

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-6
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G4N60K

GOFORD(谷峰)

特性：600V · 4A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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G250N03IE

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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GT55N06D5-B

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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G01N20LE-B

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-3L
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431C

GOFORD(谷峰)

是一个三端可调稳压器系列 · 在适用温度范围内具有保证的热稳定性
电源管理 > 电压基准芯片
SOT-23
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G08P06D3

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-3X3-8L
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G700P06D5

GOFORD(谷峰)

使用先进沟槽技术 · 提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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GT55N06D5

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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A2T

GOFORD(谷峰)

A 2 T采用沟槽处理技术设计 · 可实现极低的导通电阻、快速的开关速度并提高传输效率
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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G65P06K

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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G3416

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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G220P03S2

GOFORD(谷峰)

采用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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G1K1P06LL

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23-6L
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G050P03K

GOFORD(谷峰)

特性：VDS：-30V · ID (at VGS = -10V)：-85A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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G20P10KE

GOFORD(谷峰)

特性：- 漏源电压（VDS）：-100V · 漏极电流（ID
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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G16P03S-B

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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G3404B

GOFORD(谷峰)

N沟道增强型功率MOSFET · 电流:5.6A
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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G2K2P10SE

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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3401L

GOFORD(谷峰)

3401L采用先进的沟槽技术 · 可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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GT100N04K

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 具有出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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G4828

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
询盘确认
询盘报价
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TL431L-3%

GOFORD(谷峰)

是三端可调稳压器系列 · 在适用温度范围内具有热稳定性
电源管理 > 电压基准芯片
TO-92-3
询盘确认
询盘报价
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G170P02D32

GOFORD(谷峰)

类型：P+P沟道 漏源电压(Vdss)：-20V 连续漏极电流(Id)：-20A 阈值电压(Vgs(th))
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-8L(3x3)Dual
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GT105N10M

GOFORD(谷峰)

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：60A 阈值电压(Vgs(th))：4V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-263
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G30N03D3-L

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-3x3-8L
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5N20A-252

GOFORD(谷峰)

LED无级调光驱动用
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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G3K8N15KE

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
TO-252
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G16P03D3

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-3X3-8L
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GT011N03D5E

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
DFN-5x6-8L
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2305-B

GOFORD(谷峰)

采用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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G1K2C10S2

GOFORD(谷峰)

使用先进的沟槽技术 · 提供出色的导通电阻和低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOP-8
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