制造商现货
GME(银河微电) 制造商型号现货与清单询价
按制造商聚合公开现货、可询库存和资料库匹配型号，帮助采购用户区分品牌字段与官方制造商资料。当前匹配 277 个公开可查询型号。
277匹配型号
1库存品牌线索
8常见封装
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型号 / 品牌 / 摘要类目封装库存报价
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-23
询盘确认
询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-23
询盘确认
询盘报价
BL1017
GME(银河微电)
特性：电流传输比（CTR）：IF = 5mA · VCE = 5V时为50~600%
光耦 > 晶体管输出光耦
LSOP-4L
询盘确认
询盘报价
BLM3053
GME(银河微电)
特性：峰值击穿电压：250V · 400V
光耦 > 可控硅输出光耦
SOP-4
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BLM3063
GME(银河微电)
特性：峰值击穿电压：250V · 400V
光耦 > 可控硅输出光耦
SOP-4
询盘确认
询盘报价
BL1019
GME(银河微电)
特性：电流传输比（CTR）：IF = 5mA · VCE = 5V时为50~600%
光耦 > 晶体管输出光耦
LSOP-4L
询盘确认
询盘报价
BL1018
GME(银河微电)
特性：电流传输比（CTR）：IF = 5mA · VCE = 5V时为50~600%
光耦 > 晶体管输出光耦
LSOP-4L
询盘确认
询盘报价
BL3H7C
GME(银河微电)
特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA · VCE = 5V时为80~600%
光耦 > 晶体管输出光耦
SSOP-4
询盘确认
询盘报价
BL357A
GME(银河微电)
特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA、VCE = 5V时为80~600% · 输入输出之间的高隔离
光耦 > 晶体管输出光耦
SOP-4
询盘确认
询盘报价
BL357C
GME(银河微电)
特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA、VCE = 5V时为80~600% · 输入输出之间的高隔离
光耦 > 晶体管输出光耦
SOP-4
询盘确认
询盘报价
BL817X
GME(银河微电)
特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA · VCE = 5V时为50%-600%
光耦 > 晶体管输出光耦
DIP-4L
询盘确认
询盘报价
BL3404
GME(银河微电)
特性：静电敏感器件 · RDS(ON) < 28mΩ @ VGS = 10V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
询盘确认
询盘报价
BL3H7A
GME(银河微电)
特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA · VCE = 5V时为80~600%
光耦 > 晶体管输出光耦
SSOP-4
询盘确认
询盘报价
光耦 > 晶体管输出光耦
DIP-4L
询盘确认
询盘报价
光耦 > 晶体管输出光耦
DIP-4L
询盘确认
询盘报价
PC817SA
GME(银河微电)
特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA · VCE = 5V时为50~600%
光耦 > 晶体管输出光耦
SMD-4L
询盘确认
询盘报价
光耦 > 晶体管输出光耦
DIP-4L
询盘确认
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BZG03C10
GME(银河微电)
特性：高可靠性 · 电压范围：10V 至 270V
二极管 > 稳压二极管
SMA
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MMSZ5233BS
GME(银河微电)
特性：稳压二极管电压选择范围大：2.4V-75V · 电压容差小：B系列为±5%
二极管 > 稳压二极管
SOD-323
询盘确认
询盘报价
BL817SA
GME(银河微电)
特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA、VCE = 5V时为50%-600% · 输入和输出之间的高
光耦 > 晶体管输出光耦
SMD-4L
询盘确认
询盘报价
BL1013
GME(银河微电)
特性：电流传输比（CTR）：IF = 5mA · VCE = 5V时为50~600%
光耦 > 晶体管输出光耦
LSOP-4L
询盘确认
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BLM3021
GME(银河微电)
特性：峰值击穿电压：250V、400V、600V · 输入和输出之间的高隔离电压（Viso = 3750V
光耦 > 可控硅输出光耦
SOP-4
询盘确认
询盘报价
BLM3022
GME(银河微电)
特性：峰值击穿电压：250V、400V、600V · 输入和输出之间的高隔离电压（Viso = 3750V
光耦 > 可控硅输出光耦
SOP-4
询盘确认
询盘报价
BLM3023
GME(银河微电)
特性：峰值击穿电压：250V、400V、600V · 输入和输出之间的高隔离电压（Viso = 3750V
光耦 > 可控硅输出光耦
SOP-4
询盘确认
询盘报价
BLM3041
GME(银河微电)
特性：峰值击穿电压：250V、400V、600V、800V · 输入和输出之间的高隔离电压（Viso = 3
光耦 > 可控硅输出光耦
SOP-4
询盘确认
询盘报价
BLM3042
GME(银河微电)
特性：峰值击穿电压：250V、400V、600V、800V · 输入和输出之间的高隔离电压（Viso = 3
光耦 > 可控硅输出光耦
SOP-4
询盘确认
询盘报价
BLM3043
GME(银河微电)
特性：峰值击穿电压：250V、400V、600V、800V · 输入和输出之间的高隔离电压（Viso = 3
光耦 > 可控硅输出光耦
SOP-4
询盘确认
询盘报价
BLM3051
GME(银河微电)
特性：峰值击穿电压：250V、400V、600V · 输入和输出之间的高隔离电压（Viso = 3750V
光耦 > 可控硅输出光耦
SOP-4
询盘确认
询盘报价
BLM3081
GME(银河微电)
特性：峰值击穿电压：250V、400V、600V、800V · 输入和输出之间的高隔离电压（Viso = 3
光耦 > 可控硅输出光耦
SOP-4
询盘确认
询盘报价
BLM3082
GME(银河微电)
特性：峰值击穿电压：250V、400V、600V、800V · 输入和输出之间的高隔离电压（Viso = 3
光耦 > 可控硅输出光耦
SOP-4
询盘确认
询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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询盘报价
BLM3052
GME(银河微电)
特性：峰值击穿电压：250V、400V、600V · 输入和输出之间的高隔离电压（Viso = 3750V
光耦 > 可控硅输出光耦
SOP-4
询盘确认
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BL357D
GME(银河微电)
特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA、VCE = 5V时为80~600% · 输入输出之间的高隔离
光耦 > 晶体管输出光耦
SOP-4
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B280
GME(银河微电)
特性：金属硅结 · 多数载流子导电
二极管 > 肖特基二极管
SMB
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MMSZ4683
GME(银河微电)
特性：紧密的电压容差：±5% · 超薄封装
二极管 > 稳压二极管
SOD-123
询盘确认
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B0520LWS
GME(银河微电)
特性：低正向压降 · 用于瞬态保护的保护环结构
二极管 > 肖特基二极管
SOD-323
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2N5003
GME(银河微电)
特性：低导通电阻 · 符合人体模型 JESD22-A114-B 2 类 ESD 等级
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
询盘确认
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
询盘确认
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BL6202
GME(银河微电)
特性：先进的沟槽技术 · 低栅极电荷
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
询盘确认
询盘报价
BL3H4A
GME(银河微电)
特性：电流传输比（CTR）：在 IF = ±1mA、VCE = 5V 时为 20~300% · 输入输出之间
光耦 > 晶体管输出光耦
SSOP-4
询盘确认
询盘报价
BL817SC
GME(银河微电)
特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA、VCE = 5V时为50%-600% · 输入和输出之间的高
光耦 > 晶体管输出光耦
SMD-4L
询盘确认
询盘报价
BL3415
GME(银河微电)
特性：静电敏感设备 · VDS(V) = -20V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
询盘确认
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BL2300
GME(银河微电)
特性：高速开关 · 驱动电路可以很简单
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
询盘确认
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BL452
GME(银河微电)
特性：电流传输比（CTR）：当IF = 1mA · VCE = 2V时
光耦 > 晶体管输出光耦
SOP-4
询盘确认
询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-23
询盘确认
询盘报价
BL814A
GME(银河微电)
特性：电流传输比（CTR）：在IF = ±1mA · VCE = 5V时为20~300%
光耦 > 晶体管输出光耦
DIP-4L
询盘确认
询盘报价
BL815
GME(银河微电)
特性：电流传输比（CTR：在IF = 1mA · VCE = 2V时为600~7500%）
光耦 > 晶体管输出光耦
DIP-4L
询盘确认
询盘报价
BL817MX
GME(银河微电)
特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA · VCE = 5V时为50%-600%
光耦 > 晶体管输出光耦
DIP-4L
询盘确认
询盘报价
BL852
GME(银河微电)
特性：电流传输比（CTR）：当IF = 1mA · VCE = 2V时
光耦 > 晶体管输出光耦
DIP-4L
询盘确认
询盘报价
BL814B
GME(银河微电)
特性：电流传输比（CTR）：在IF = ±1mA · VCE = 5V时为20~300%
光耦 > 晶体管输出光耦
DIP-4L
询盘确认
询盘报价
BLM3083
GME(银河微电)
特性：峰值击穿电压：250V、400V、600V、800V · 输入和输出之间的高隔离电压（Viso = 3
光耦 > 可控硅输出光耦
SOP-4
询盘确认
询盘报价
BL2301
GME(银河微电)
特性：RDS(ON) ≤ 110mΩ @VGS = -4.5V · RDS(ON) ≤ 140mΩ @VGS
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
询盘确认
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BL78M09
GME(银河微电)
特性：输出电流超过0.5A · 无需外部组件
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
TO-252
询盘确认
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BL78M12
GME(银河微电)
特性：输出电流高达 0.5A · 热过载保护
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
TO-252
询盘确认
询盘报价
BL3021S
GME(银河微电)
特性：高输入输出隔离电压（Viso = 5000V rms） · 工作温度：-55℃ ~ 100℃
光耦 > 可控硅输出光耦
SMD-6L
询盘确认
询盘报价
BL3023S
GME(银河微电)
特性：高输入输出隔离电压（Viso = 5000V rms） · 工作温度：-55℃ ~ 100℃
光耦 > 可控硅输出光耦
SMD-6L
询盘确认
询盘报价
BL3043S
GME(银河微电)
特性：高输入输出隔离电压 (Viso = 5000V rms) · 工作温度：-55℃ ~ 100℃
光耦 > 可控硅输出光耦
SMD-6L
询盘确认
询盘报价
BL3052S
GME(银河微电)
特性：高输入输出隔离电压（Viso = 5000V rms） · 工作温度：-55℃ ~ 100℃
光耦 > 可控硅输出光耦
SMD-6L
询盘确认
询盘报价
BL3063S
GME(银河微电)
特性：高输入输出隔离电压 (Viso = 5000V rms) · 工作温度：-55℃ ~ 100℃
光耦 > 可控硅输出光耦
SMD-6L
询盘确认
询盘报价
BL814SB
GME(银河微电)
特性：电流传输比（CTR）：在IF = ±1mA · VCE = 5V时为20~300%
光耦 > 晶体管输出光耦
SMD-4L
询盘确认
询盘报价
BL815S
GME(银河微电)
特性：电流传输比（CTR：在IF = 1mA · VCE = 2V时为600~7500%）
光耦 > 晶体管输出光耦
SMD-4L
询盘确认
询盘报价
BL852S
GME(银河微电)
特性：电流传输比（CTR）：当IF = 1mA · VCE = 2V时
光耦 > 晶体管输出光耦
SMD-4L
询盘确认
询盘报价
BLH11L1S
GME(银河微电)
特性：高数据速率 · 典型值为2MHz（NRZ）
光耦 > 逻辑输出光耦
SMD-6L
询盘确认
询盘报价
BL851S
GME(银河微电)
特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA · VCE = 5V时为50~600%
光耦 > 晶体管输出光耦
SMD-4L
询盘确认
询盘报价
三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-23
询盘确认
询盘报价
BL817SX
GME(银河微电)
特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA · VCE = 5V时为50%-600%
光耦 > 晶体管输出光耦
SMD-4L
询盘确认
询盘报价
BL817SB
GME(银河微电)
特性：电流传输比（CTR）：在IF = 5mA、VCE = 5V时为50%-600% · 输入和输出之间的高
光耦 > 晶体管输出光耦
SMD-4L
询盘确认
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BL3083S
GME(银河微电)
特性：高输入输出隔离电压 (Viso = 5000V rms) · 工作温度：-55℃ ~ 100℃
光耦 > 可控硅输出光耦
SMD-6L
询盘确认
询盘报价
BL78M08
GME(银河微电)
特性：输出电流超过0.5A · 无需外部组件
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
TO-252
询盘确认
询盘报价
BL4321%
GME(银河微电)
特性：低动态输出阻抗：典型值0.20 · 吸收电流能力：1.0至100mA
电源管理 > 电压基准芯片
SOT-23
询盘确认
询盘报价
BL3400
GME(银河微电)
特性：静电敏感设备 · VDS(V) = 30V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
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BL3407
GME(银河微电)
特性：RDS(ON) ≤ 52mΩ @ VGS = -10V · RDS(ON) ≤ 87mΩ @ VGS
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
询盘确认
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三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)
SOT-23
询盘确认
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BAT54G
GME(银河微电)
特性：快速开关 · 低开启电压
二极管 > 肖特基二极管
SOT-23
询盘确认
询盘报价
BL78M15
GME(银河微电)
特性：输出电流超过0.5A · 无需外部组件
电源管理 > 线性稳压器(LDO)
TO-252
询盘确认
询盘报价
BL3023
GME(银河微电)
特性：高输入输出隔离电压（Viso = 5000V rms） · 工作温度：-55℃ ~ 100℃
光耦 > 可控硅输出光耦
DIP-6L
询盘确认
询盘报价
BL3043
GME(银河微电)
特性：高输入输出隔离电压 (Viso = 5000V rms) · 工作温度：-55℃ ~ 100℃
光耦 > 可控硅输出光耦
DIP-6L
询盘确认
询盘报价
BL3052
GME(银河微电)
特性：高输入输出隔离电压（Viso = 5000V rms） · 工作温度：-55℃ ~ 100℃
光耦 > 可控硅输出光耦
DIP-6L
询盘确认
询盘报价
BL3083
GME(银河微电)
特性：高输入输出隔离电压 (Viso = 5000V rms) · 工作温度：-55℃ ~ 100℃
光耦 > 可控硅输出光耦
DIP-6L
询盘确认
询盘报价
BL2302
GME(银河微电)
特性：RDS(ON) ≤ 45 mΩ @ VGS = 4.5 V · RDS(ON) ≤ 59 mΩ @ V
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
SOT-23
询盘确认
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